Графен-на-стекле позволяет получить легированный транзистор

Команда ученых из Университета штата Нью-Йорк разработала метод создания графеновых слоев на обычном стекле с добавкой, дающей преимущество легирования.

Моделирование и настройка многономинальных чип-резисторов меандрового типа

В статье приводится структурно-функциональное описание тонкопленочных многономинальных чип-резисторов меандрового типа. Рассматриваются их основные функциональные показатели и характеристики, а также обобщенная эквивалентная схема замещения, составленная на базе конформного отображения топологии проводников микрочипа. Проведено компьютерное моделирование резистивного микрочипа в стационарном пр...

Может ли диоксид ванадия увеличить мощность транзисторов?

Ученые-материаловеды Университета штата Пенсильвания (Penn State, США) обнаружили путь, позволяющий увеличить производительность транзисторов, — он состоит в использовании нового технологического приема, основанного на включении диоксида ванадия (IV) в качестве функционального диоксида в эти электронные устройства.

Проблемы микроминиатюризации корпусов кварцевых резонаторов

Тенденции микроминиатюризации электронной техники требуют выпуска кварцевых резонаторов во все более компактных корпусах. При этом необходимо обеспечить высокую надежность и эксплуатационные характеристики, в частности, широкий температурный диапазон и малый уход частоты. В статье на примере кварцевых резонаторов, выпускаемых компанией Golledge, рассматриваются проблемы, вызванные уменьшением р...

Усовершенствованный корпус для низковольтных транзисторов 40–100 В от Yangjie Technology

Компания Yangjie Technology разработала специальное улучшенное медное основание для продвинутого процесса корпусировки транзисторов в корпусе DFN5060. Данное основание позволяет решить вопрос ограниченного размера структуры, сохраняя при этом стабильность электрических и тепловых характеристик. Таким образом, можно применять лучшие решения в разработках и повышать плотность мощности конечного изделия. Особенности продукции: SGT-технология с низким внутренним сопротивлением и усовершенствованными динамическими характеристиками; медное основание улучшает сопротивление перегрузкам, ...

Влияние гамма- и электронного облучения на ключевые параметры мощных высокочастотных диффузионных диодов

Эта статья посвящена исследованию возможных различий электронного и гамма-радиационного воздействия с точки зрения оптимального сочетания важнейших параметров кремниевых диффузионных выпрямительных диодов средней мощности — прямого падения напряжения (UF), обратного тока (IR) и времени восстановления обратного сопротивления (τrr).

Технология увеличения плотности теплового потока

Появление силовых полупроводниковых приборов с двусторонним охлаждением не только улучшает передачу тепла в инверторах, но и способно помочь снизить стоимость гибридных и электрических транспортных средств.

Специализированные радиационно-защитные корпуса для изделий микроэлектронной техники

В современных радиоэлектронных системах вопрос обеспечения высоких показателей эксплуатационной надежности приборов и аппаратуры в условиях радиационных воздействий (электронов, протонов, тяжелых заряженных частиц, рентгеновского и гамма-излучения) является весьма актуальным. В статье рассказывается о специализированных корпусах, рассматриваются проблемы их радиационной стойкости, описаны иссле...

Проблемы обеспечения низкого уровня паров воды в корпусах интегральных схем

Высокая надежность интегральных схем специального назначения достигается на стадии производства в результате минимизации содержания паров воды в герметичном корпусе, при условии постоянного мониторинга параметров инертной среды герметизации. Оптимизация технологии герметизации корпусов и использование импульсной шовно-роликовой сварки позволяют обеспечить высокий процент выхода годных и устойчи...

Методика восстановления трехпортовой бесструктурной модели полевого транзистора с затвором Шоттки

В статье представлена разработанная авторами методика восстановления трехпортовой бесструктурной модели полевого транзистора с затвором Шоттки по результатам измерений параметров рассеяния тестовых элементов на пластине.