Несмотря на тенденции к росту информационной емкости запоминающих устройств, появлению их новых технологических исполнений, таких как, например, FRAM, MRAM и другие, на рынке элементной базы по-прежнему востребованы ПЗУ с небольшой информационной емкостью, используемые разработчиками аппаратуры для хранения загрузочных программ, подстроечных кодов и калибровок малого объема информации. Обычно д...

Микросхема СОЗУ 1669РА035 информационной емкостью 4 Мбит имеет организацию 512К×8 бит. Микросхема предназначена для применения в высоконадежных вычислительных системах, системах управления специального назначения.

Компания UD Info объявила о выпуске новых модулей памяти DDR5 формата U-DIMM и SO-DIMM на 8–32 Гбайт. Данные устройства отличаются низким энергопотреблением и высокой скоростью работы. Модули DDR5 SDRAM Unbuffered DIMM предназначены для использования в качестве основной памяти при установке во встраиваемые системы и промышленные вычислительные машины. Технические характеристики и особенности модулей: тип памяти: DDR5; соответствие стандарту JEDEC; форм-фактор модуля: U-DIMM; частота: 4800 MГц; напряжение: 1,1 В; организация: 2 G × 8; количество контактов: 288 шт.; емкость ...

Современные автомобили содержат десятки компьютеризированных модулей, выполняющих миллиарды инструкций каждую секунду. Эти модули выполняют разнообразные задачи — от контроля давления в шинах, управления подвеской и рулевым управлением, применения и контроля тормозов до передовых систем помощи водителю, таких как навигация и развлечения. Поскольку многие компоненты и системы автомобилей требуют...

Компания Microchip Technology объявила о выпуске новейшего контроллера твердотельных накопителей Flashtec NVMe 4016 — самого высокопроизводительного в отрасли контроллера твердотельных накопителей PCIe Gen5 NVMe, который обеспечивает пропускную способность более 14 Гбайт/с и более 3 млн IOPS. Новый Flashtec NVMe 4016 относится к четвертому поколению контроллеров и имеет 16 высокоскоростных программируемых каналов для работы с флэш-памятью NAND с пропускной способностью до 2400 МТ/с. Он способен использовать полную полосу пропускания скорости интерфейса PCIe Gen5×4 с пропускной способностью ...

Микросхемы GSI Technology семейств SigmaQuad-III/IV и SigmaDDR-III/IV разработаны для увеличения производительности SigmaQuad-II/II+ и SigmaDDR-II/II+. Сегодня это самые высокопроизводительные микросхемы данного типа на рынке.

Компания UD Info анонсировала массовое производство твердотельных накопителей с функцией PLP (Power Loss Protection) — серию CFX-21DE. Встроенная функция Power Loss Protection (PLP) помогает защитить целостность данных от потери при внезапном отключении питания. Технические характеристики накопителей: серия: CFX-21DE; тип памяти: NAND Flash 3D; интерфейс: NVMe PCIe Gen 3×2; емкость: 128 Гбайт — 1 Тбайт; скорость чтения/записи: 1700/1550 Мбайт/c; температурный диапазон: 0…+70 °С и –40…+85 °С; габариты: 38,5×29,6×3,8 мм. Области применения CFX-21DE: медицинское, военное ...

В статье рассказывается об истории создания и развития компании Apacer Technology, а также об основных технологиях, используемых компанией при изготовлении промышленных накопителей в корпусном и бескорпусном исполнении.

Компания Alliance Memory объявила о выпуске новой линейки памяти eMMC на 4 и 8 Гбайт, которая представляет собой высокопроизводительное встраиваемое MMC-решение — серии ASFC4 и ASFC8. Память поддерживает промышленный стандарт eMMC/JEDEC 5.1 и совместима с версиями eMMC 4.5 и 5.0. Основные характеристики и преимущества памяти eMMC: поддержка функции Enhanced Strobe нового стандарта eMMC версии 5.1; полная обратная совместимость с предыдущими версиями стандарта eMMC 4.41/4.5/5.0 и MultiMediaCard; программируемая ширина шины: 1 бит (по умолчанию), 4 и 8 бит; тактовая частота MMC I/F: ...

Компания BIWIN Storage Technology Company Limited (BIWIN) запускает в производство новое поколение ОЗУ DDR5, которое демонстрирует 300% увеличение емкости, 163% увеличение скорости и пониженное энергопотребление. Улучшения по сравнению со стандартом DDR4 являются самыми значительными за всю историю развития оперативной памяти. Переход от DDR4 к DDR5 представляет собой нечто большее, чем типичная смена поколения DDR SDRAM, поскольку память DDR5 делает большой скачок вперед с обновленной архитектурой для существенного увеличения пропускной способности ОЗУ. В то время как предыдущие поколения ...