Микросхемы ОППЗУ от АО «Микрон»

В АО «Микрон» завершено освоение интегральных микросхем 1667РТ015 и 1667РТ025, однократно программируемых постоянных запоминающих устройств (ОППЗУ) информационной емкостью 1 и 4 Мбит. ОППЗУ 1667РТ015 и 1667РТ025 предназначены для устройств вычислительной техники в качестве ПЗУ с произвольным доступом и для конфигурирования программируемых логических интегральных схем (ПЛИС) как ПЗУ с последовательной выборкой. В качестве элемента памяти предусмотрен программируемый элемент типа «антифьюз». Основные характеристики микросхем: напряжение питания: 5 В; статический ток потребления в режиме ...

Микросхемы Low-Latency DRAM от GSI Technology

Статья предназначена для читателей, которые рассматривают переход от SRAM к DRAM без значительного ухудшения производительности, увеличения объема хранения данных и уменьшения стоимости или от DRAM к SRAM — для повышения скорости доступа к случайным ячейкам без значительного удорожания изделия. В публикации представлены основные архитектурные и функциональные особенности Low-Latency DRAM 2 (LLD...

Методы защиты от внешних воздействий индустриальных модулей памяти от Apacer

Одна из основных особенностей, отличающих модули памяти индустриального назначения от коммерческого, наряду с высокой скоростью записи/ чтения, повышенным количеством циклов записи данных и программными особенностями защиты информации, — повышенная устойчивость к внешним воздействиям при жестких условиях эксплуатации.

Флэш-память SPI NOR 1,8 В 512 Мбайт для 5G и серверных решений от Winbond

Корпорация Winbond Electronics объявила о расширении своей линейки SPI NOR Flash, представив одинарную монолитную флэш-память SPI NOR 1,8 В 512 Мбайт, которая может поддерживать стандартную/двойную частоту до 166 МГц/quad SPI clocks. Помимо существующей 3 В 512 Мбайт W25Q512JV, новая 1,8 В W25Q512NW SPI NOR Flash также поддерживает контактную совместимость, что позволяет клиентам легко обновляться до более высокой емкости флэш-памяти. Это позволяет им продлить срок службы своих продуктов, ускорить вывод на рынок и сэкономить время и усилия на разработку, имея единую флэш-платформу, которую ...

Радиационно-стойкое статическое ОЗУ — 1645РУ5У от компании «Миландр»

Номенклатура запоминающих устройств российской разработки на оте-чественном рынке пока не столь многообразна по сравнению с номенклатурой основных мировых производителей. Однако в последние годы ведущие производители электронных компонентов в России выводят на внутренний рынок различные типы микросхем, не уступающих по характеристикам лучшим мировым достижениям. Одни из них приходят на смену ус...

Радиационно-стойкая элементная база производства АО «ПКК Миландр»

К применяемой в космической и специальной технике элементной базе предъявляются повышенные требования по устойчивости к таким внешним факторам, как воздействие ионизирующего излучения и одиночных тяжелых заряженных частиц. Непрерывно растет и функциональная сложность микросхем, предусматривающая использование все более тонких технологических процессов их изготовления. Таким образом, с одной сто...

Особенности применения микросхем 1645РУ3/1645РУ4 в системах управления научной аппаратурой при проведении космических экспериментов

Рассматриваются особенности применения микросхем ОЗУ 1645РУ3/1645РУ4 (ПКК «МИЛАНДР», г. Зеленоград), связанные с реализацией метода подачи сигналов адреса. Микросхемы установлены в системе управления аппаратурой ионосферных измерений в условиях космического пространства.

IP-контроллеры SRAM от GSI Technology

GSI Technology производит микросхемы SRAM, обладающие самыми высокими характеристиками на рынке. Однако в настоящее время скорость обращений к внешней памяти ограничена возможностями именно ПЛИС, и в частности возможностями IP-контроллера. Для того чтобы конечный пользователь мог получить максимум от микросхем, GSI разрабатывает IP-контроллеры самостоятельно, предоставляя своим клиентам комплек...

Микросхемы памяти от Fujitsu Semiconductor

Память FRAM (Ferroelectric RAM, FeRAM) — оперативная память, в которой для обеспечения энергонезависимости используется слой сегнетоэлектрика вместо диэлектрического слоя. Благодаря тому что FRAM может надежно хранить записанные данные даже при внезапных сбоях источника питания (ИП) или при перебоях в питании, возможно обеспечить защиту информации и регистрируемых данных, записанных непосредств...

Память EERAM от Microchip — это снижение затрат на сохранение данных при отключении питания

Как на промышленных предприятиях, так и в жилых домах всегда существует вероятность отключения электроэнергии, но многие приложения, например системы учета с питанием от электросети, требуют непрерывной записи данных. Чтобы при возвращении к нормальной работе не было сбоев, как правило, используется запись и хранение важных данных в энергонезависимой памяти, обеспечивающей их надежную сохраннос...