Обеспечение кибербезопасности автомобилей с помощью защищенной флэш-памяти

Современные автомобили содержат десятки компьютеризированных модулей, выполняющих миллиарды инструкций каждую секунду. Эти модули выполняют разнообразные задачи — от контроля давления в шинах, управления подвеской и рулевым управлением, применения и контроля тормозов до передовых систем помощи водителю, таких как навигация и развлечения. Поскольку многие компоненты и системы автомобилей требуют...

Обзор SRAM SigmaQuad-III/IV и SigmaDDR-III/IV от GSI Technology

Микросхемы GSI Technology семейств SigmaQuad-III/IV и SigmaDDR-III/IV разработаны для увеличения производительности SigmaQuad-II/II+ и SigmaDDR-II/II+. Сегодня это самые высокопроизводительные микросхемы данного типа на рынке.

Накопитель PCIe Gen 3×2 CF Express c функцией PLP от UD Info

Компания UD Info анонсировала массовое производство твердотельных накопителей с функцией PLP (Power Loss Protection) — серию CFX-21DE. Встроенная функция Power Loss Protection (PLP) помогает защитить целостность данных от потери при внезапном отключении питания. Технические характеристики накопителей: серия: CFX-21DE; тип памяти: NAND Flash 3D; интерфейс: NVMe PCIe Gen 3×2; емкость: 128 Гбайт — 1 Тбайт; скорость чтения/записи: 1700/1550 Мбайт/c; температурный диапазон: 0…+70 °С и –40…+85 °С; габариты: 38,5×29,6×3,8 мм. Области применения CFX-21DE: медицинское, военное ...

Особенности продуктовой линейки промышленных накопителей Apacer

В статье рассказывается об истории создания и развития компании Apacer Technology, а также об основных технологиях, используемых компанией при изготовлении промышленных накопителей в корпусном и бескорпусном исполнении.

Память eMMC от Alliance Memory

Компания Alliance Memory объявила о выпуске новой линейки памяти eMMC на 4 и 8 Гбайт, которая представляет собой высокопроизводительное встраиваемое MMC-решение — серии ASFC4 и ASFC8. Память поддерживает промышленный стандарт eMMC/JEDEC 5.1 и совместима с версиями eMMC 4.5 и 5.0. Основные характеристики и преимущества памяти eMMC: поддержка функции Enhanced Strobe нового стандарта eMMC версии 5.1; полная обратная совместимость с предыдущими версиями стандарта eMMC 4.41/4.5/5.0 и MultiMediaCard; программируемая ширина шины: 1 бит (по умолчанию), 4 и 8 бит; тактовая частота MMC I/F: ...

BIWIN запускает производство оперативной памяти DDR5

Компания BIWIN Storage Technology Company Limited (BIWIN) запускает в производство новое поколение ОЗУ DDR5, которое демонстрирует 300% увеличение емкости, 163% увеличение скорости и пониженное энергопотребление. Улучшения по сравнению со стандартом DDR4 являются самыми значительными за всю историю развития оперативной памяти. Переход от DDR4 к DDR5 представляет собой нечто большее, чем типичная смена поколения DDR SDRAM, поскольку память DDR5 делает большой скачок вперед с обновленной архитектурой для существенного увеличения пропускной способности ОЗУ. В то время как предыдущие поколения ...

Микросхемы памяти Nor Flash 64 Mбит 3 В от Alliance Memory

Компания Alliance Memory объявила о выпуске новой линейки последовательной памяти NOR Flash 3 В с несколькими входами/выходами, предназначенной для обеспечения непрерывности поставок клиентам, использующим снятые с производства микросхемы памяти Micron Technology серии N25Q, а также аналоги от других поставщиков, такие как серии W25Q, AT25Q, S25F, MX25L, IS25L и GD25Q. Поддерживая режим SPI, серия AS25F сочетает высокую частоту до 104 МГц с быстрым временем программирования и стирания — 0,3 и 40 мс соответственно. Основные характеристики и преимущества: работает в режимах SPI с одним, ...

Микросхемы ОППЗУ от АО «Микрон»

В АО «Микрон» завершено освоение интегральных микросхем 1667РТ015 и 1667РТ025, однократно программируемых постоянных запоминающих устройств (ОППЗУ) информационной емкостью 1 и 4 Мбит. ОППЗУ 1667РТ015 и 1667РТ025 предназначены для устройств вычислительной техники в качестве ПЗУ с произвольным доступом и для конфигурирования программируемых логических интегральных схем (ПЛИС) как ПЗУ с последовательной выборкой. В качестве элемента памяти предусмотрен программируемый элемент типа «антифьюз». Основные характеристики микросхем: напряжение питания: 5 В; статический ток потребления в режиме ...

Микросхемы Low-Latency DRAM от GSI Technology

Статья предназначена для читателей, которые рассматривают переход от SRAM к DRAM без значительного ухудшения производительности, увеличения объема хранения данных и уменьшения стоимости или от DRAM к SRAM — для повышения скорости доступа к случайным ячейкам без значительного удорожания изделия. В публикации представлены основные архитектурные и функциональные особенности Low-Latency DRAM 2 (LLD...

Методы защиты от внешних воздействий индустриальных модулей памяти от Apacer

Одна из основных особенностей, отличающих модули памяти индустриального назначения от коммерческого, наряду с высокой скоростью записи/ чтения, повышенным количеством циклов записи данных и программными особенностями защиты информации, — повышенная устойчивость к внешним воздействиям при жестких условиях эксплуатации.