Одна из основных особенностей, отличающих модули памяти индустриального назначения от коммерческого, наряду с высокой скоростью записи/ чтения, повышенным количеством циклов записи данных и программными особенностями защиты информации, — повышенная устойчивость к внешним воздействиям при жестких условиях эксплуатации.

Корпорация Winbond Electronics объявила о расширении своей линейки SPI NOR Flash, представив одинарную монолитную флэш-память SPI NOR 1,8 В 512 Мбайт, которая может поддерживать стандартную/двойную частоту до 166 МГц/quad SPI clocks. Помимо существующей 3 В 512 Мбайт W25Q512JV, новая 1,8 В W25Q512NW SPI NOR Flash также поддерживает контактную совместимость, что позволяет клиентам легко обновляться до более высокой емкости флэш-памяти. Это позволяет им продлить срок службы своих продуктов, ускорить вывод на рынок и сэкономить время и усилия на разработку, имея единую флэш-платформу, которую ...

Номенклатура запоминающих устройств российской разработки на оте-чественном рынке пока не столь многообразна по сравнению с номенклатурой основных мировых производителей. Однако в последние годы ведущие производители электронных компонентов в России выводят на внутренний рынок различные типы микросхем, не уступающих по характеристикам лучшим мировым достижениям. Одни из них приходят на смену ус...

К применяемой в космической и специальной технике элементной базе предъявляются повышенные требования по устойчивости к таким внешним факторам, как воздействие ионизирующего излучения и одиночных тяжелых заряженных частиц. Непрерывно растет и функциональная сложность микросхем, предусматривающая использование все более тонких технологических процессов их изготовления. Таким образом, с одной сто...

Рассматриваются особенности применения микросхем ОЗУ 1645РУ3/1645РУ4 (ПКК «МИЛАНДР», г. Зеленоград), связанные с реализацией метода подачи сигналов адреса. Микросхемы установлены в системе управления аппаратурой ионосферных измерений в условиях космического пространства.

GSI Technology производит микросхемы SRAM, обладающие самыми высокими характеристиками на рынке. Однако в настоящее время скорость обращений к внешней памяти ограничена возможностями именно ПЛИС, и в частности возможностями IP-контроллера. Для того чтобы конечный пользователь мог получить максимум от микросхем, GSI разрабатывает IP-контроллеры самостоятельно, предоставляя своим клиентам комплек...

Память FRAM (Ferroelectric RAM, FeRAM) — оперативная память, в которой для обеспечения энергонезависимости используется слой сегнетоэлектрика вместо диэлектрического слоя. Благодаря тому что FRAM может надежно хранить записанные данные даже при внезапных сбоях источника питания (ИП) или при перебоях в питании, возможно обеспечить защиту информации и регистрируемых данных, записанных непосредств...

Как на промышленных предприятиях, так и в жилых домах всегда существует вероятность отключения электроэнергии, но многие приложения, например системы учета с питанием от электросети, требуют непрерывной записи данных. Чтобы при возвращении к нормальной работе не было сбоев, как правило, используется запись и хранение важных данных в энергонезависимой памяти, обеспечивающей их надежную сохраннос...

Новая память EEPROM CAT25M02VI-GT3 семейства CAT25M02 с рекордным объемом 2 Мбит предназначена для работы в жестких условиях промышленного производства. Микросхема может применяться в широком диапазоне температур и питающих напряжений. Она обладает низким энергопотреблением, высокой скоростью записи/чтения и предназначена для широкого круга применений: в интеллектуальных электросчетчиках, медиц...

Материал посвящен целевому назначению микросхем SigmaRAM, их эволюции и основным отличиям в поколениях. Статья позволяет читателю быстро сориентироваться в выборе семейства SRAM исходя из заданной производительности и характера обращений к памяти.