Нитрид галлия — премьер среди новых материалов полупроводниковой микроэлектроники

Благодаря хорошим электрофизическим параметрам широкозонные полупроводники наиболее привлекательны среди новых материалов для повышения частотных, мощностных свойств и эффективности современных и перспективных продуктов микроэлектроники. До недавнего времени карбид кремния оставался безальтернативным вариантом для высоковольтных (свыше 600 В) мощных приборов, где необходимы высокие эффективност...

Новые возможности с транзисторами на основе GaN компании Microsemi

В статье приведен обзор перспективных разработок компании Microsemi в области высокочастотных силовых транзисторов на основе нитрида галлия. Отдельное внимание уделено сравнению характеристик полупроводниковых материалов, применяемых при изготовлении современных транзисторов.

Нанокристаллические магнитомягкие материалы

Нанотехнологии не обошли стороной магнитомягкие материалы, используемые для изготовления трансформаторов, реакторов и других электромагнитных компонентов в силовой электронике, в системах связи и обработки данных. Первый нанокристаллический магнитомягкий сплав разработали японские инженеры Иошизава, Ямаучи и Огума в компании Hitachi Metals (японская заявка на патент от 1986 года). Через несколь...