Непрерывно растущие технические требования, предъявляемые промышленностью к электронным и электрическим устройствам, привели к тому, что проблема отвода тепла обретает особое значение. Более высокие частоты, миниатюризация компонентов, повышенная функциональность и увеличенные параметры мощности устройств ведут к повышению температуры, которая должна контролироваться для обеспечения необходимых...

Об этом не принято говорить много и вслух, но наряду с разработкой электронного оборудования всегда существовал и процесс копирования, или, как принято его сейчас называть — реинжиниринг, или обратный инжиниринг.

Благодаря хорошим электрофизическим параметрам широкозонные полупроводники наиболее привлекательны среди новых материалов для повышения частотных, мощностных свойств и эффективности современных и перспективных продуктов микроэлектроники. До недавнего времени карбид кремния оставался безальтернативным вариантом для высоковольтных (свыше 600 В) мощных приборов, где необходимы высокие эффективност...

В статье приведен обзор перспективных разработок компании Microsemi в области высокочастотных силовых транзисторов на основе нитрида галлия. Отдельное внимание уделено сравнению характеристик полупроводниковых материалов, применяемых при изготовлении современных транзисторов.

Нанотехнологии не обошли стороной магнитомягкие материалы, используемые для изготовления трансформаторов, реакторов и других электромагнитных компонентов в силовой электронике, в системах связи и обработки данных. Первый нанокристаллический магнитомягкий сплав разработали японские инженеры Иошизава, Ямаучи и Огума в компании Hitachi Metals (японская заявка на патент от 1986 года). Через несколь...

Легкоплавкие стекла (стекла, температура размягчения которых находится ниже 600 °С) применяются для герметизации полупроводниковых приборов с целью защиты их от механических воздействий и химической коррозии, попадания влаги и примесей, ухудшающих их электрические характеристики. В некоторых случаях применение легкоплавкого стекла вызвано ограничениями, накладываемыми на допустимую максимальную...