Расчет зависимости минимальной длительности времени переключения p-i-n-диодов от рабочей частоты

При разработке любого устройства для обеспечения требуемых характеристик очень важно еще на этапе эскизного проектирования правильно выбрать элементную базу. Это даст возможность сократить время разработки. В статье приведено полученное выражение, позволяющее оценить возможность практической реализации коммутирующего устройства на p-i-n диодах по критерию обеспечения требуемой длительности рад...

ПАВ — маленькие фильтры большого спектра

В последние три десятилетия активно развивается направление функциональной электроники, основанное, с одной стороны, на применении эффекта взаимодействия между упругими объемными и поверхностными волнами в твердом теле и электромагнитным полем — с другой. Упругие поверхностные волны часто называют поверхностными акустическими волнами (ПАВ, или, по-английски, SAW).

ВЧ/СВЧ-изделия компании Linwave Technology

Несмотря на присутствие значительного числа зарубежных фирм — производителей ВЧ- и СВЧ-радиокомпонентов на российском рынке, для потребителей всегда представляют интерес компании, предлагающие широкий и разнообразный спектр изделий. Взаимодействие с такими компаниями позволяет их клиентам комплексно решать существующие технические задачи и сопутствующие организационные вопросы. В статье предста...

Коаксиально-волноводные адаптеры на частотный диапазон до 110 ГГц от A-INFO

Компания A-INFO представила модельный ряд коаксиально-волноводных переходов (адаптеров) — 15WCA1.0_Cu, 12WCA1.0_Cu, и 10WCA1.0_Cu. Изделия имеют соединитель типоразмера 1 мм Female, а конструкция разработана таким образом, чтобы обеспечить минимальный уровень потерь при низком значении КСВН на частотах вплоть до 110 ГГц. Адаптеры могут использоваться в составе законченных СВЧ-приборов и систем или быть частью лабораторных и испытательных стендов. Таблица. Основные характеристики коаксиально-волноводных адаптеров Модель 15WCA1.0_Cu 12WCA1.0_Cu 10WCA1.0_Cu ...

Мощные радиочастотные VDMOS-транзисторы фирмы Microsemi и модули на их основе

Радиочастотные полевые транзисторы с изолированным затвором класса VDMOS объединяют достоинства полевых транзисторов с вертикальным каналом и приборов DMOS, изготовляемых методом двойной диффузии. Широкую номенклатуру VDMOS выпускает американская компания Microsemi, с вошедшей в нее фирмой Advanced Power Technology. В статье описаны приборы этих компаний с выходной мощностью от нескольких Вт до...

Монолитные СВЧ-генераторы и синтезаторы компании Hittite Microwave

Американская компания Hittite Microwave выпускает обширную номенклатуру монолитных интегральных микросхем СВЧ-диапазона. По ряду показателей они не уступают обычным коаксиальным СВЧ-устройствам и даже превосходят их по габаритам и частотному диапазону. В современной технике связи (в том числе кабельной и спутниковой) и в радиотехнике широко применяются СВЧ-генераторы синусоидальных сигналов. Он...

Монолитные микросхемы коммутаторов СВЧ-сигналов компании Hittite Microwave

Американская компания Hittite Microwave выпускает обширную номенклатуру монолитных интегральных микросхем СВЧ-диапазона. По ряду показателей они не уступают обычным коаксиальным СВЧ-устройствам и даже превосходят их. В данной статье описаны монолитные микросхемы коммутаторов СВЧ-сигналов этой компании, которые широко применяются в современных системах связи гражданского и военного назначения.

Электродинамическое моделирование микрополоскового транзисторного СВЧ-усилителя

На основе строгого электродинамического метода с использованием программы FEKO выполнено моделирование и оптимизация транзисторного СВЧ-усилителя в корпусе с поглощающей поверхностью. СВЧ-транзистор, описанный своими S-параметрами, включается в СВЧ-структуру так, что во время расчета учитывается связь между входной и выходной согласующей структурой. Цель статьи — показать возможности точного мо...

Микроэлектронные СВЧ-компоненты на основе высокотемпературных сверхпроводников. Часть 2

Находят широкое применение в различных СВЧ-устройствах. Перестраиваемые фазовращатели разрабатываются на основе сегнетоэлектриков. При изменении диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика под воздействием электрического поля происходит изменение фазы проходящего сигнала.

Микроэлектронные СВЧ-компоненты на основе высокотемпературных сверхпроводников. Часть 1

Данная статья содержит анализ материалов зарубежной печати и краткий обзор по компонентам из высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП), которые находят свое применение в аппаратуре связи широкого диапазона частот: от 0,2 до 28 ГГц.