Усовершенствованный корпус для низковольтных транзисторов 40–100 В от Yangjie Technology

Компания Yangjie Technology разработала специальное улучшенное медное основание для продвинутого процесса корпусировки транзисторов в корпусе DFN5060. Данное основание позволяет решить вопрос ограниченного размера структуры, сохраняя при этом стабильность электрических и тепловых характеристик. Таким образом, можно применять лучшие решения в разработках и повышать плотность мощности конечного изделия.

Особенности продукции:

• SGT-технология с низким внутренним сопротивлением и усовершенствованными динамическими характеристиками;
• медное основание улучшает сопротивление перегрузкам, отведение тепла, увеличивает площадь SOA;
• сниженная паразитная индуктивность и улучшенные частотные характеристики.

Применение:

• DC/DC-источники питания;
• электрические приборы высокой мощности;
• частотные преобразователи;
• быстрые зарядные устройства.