Усовершенствованный корпус для низковольтных транзисторов 40–100 В от Yangjie Technology

Компания Yangjie Technology разработала специальное улучшенное медное основание для продвинутого процесса корпусировки транзисторов в корпусе DFN5060. Данное основание позволяет решить вопрос ограниченного размера структуры, сохраняя при этом стабильность электрических и…

Усовершенствованный корпус для низковольтных транзисторов 40–100 В от Yangjie TechnologyКомпания Yangjie Technology разработала специальное улучшенное медное основание для продвинутого процесса корпусировки транзисторов в корпусе DFN5060. Данное основание позволяет решить вопрос ограниченного размера структуры, сохраняя при этом стабильность электрических и тепловых характеристик. Таким образом, можно применять лучшие решения в разработках и повышать плотность мощности конечного изделия.

Особенности продукции:

  • SGT-технология с низким внутренним сопротивлением и усовершенствованными динамическими характеристиками;
  • медное основание улучшает сопротивление перегрузкам, отведение тепла, увеличивает площадь SOA;
  • сниженная паразитная индуктивность и улучшенные частотные характеристики.

Применение:

  • DC/DC-источники питания;
  • электрические приборы высокой мощности;
  • частотные преобразователи;
  • быстрые зарядные устройства.
Добавить комментарий
- Реклама -

10 новостей тенденций событий перспектив мнений наблюдений ништяки рынка

электронных компонентов
получайте каждую неделю
в свой почтовый ящик.
Подпишитесь, чтобы всегда быть в курсе последних событий!