Новые семейства IGBT 6‑го поколения от International Rectifier

Компания International Rectifier является признанным лидером в разработке и производстве высококачественных силовых полупроводниковых приборов. Ассортимент продукции International Rectifier достаточно широк и объединяет в себе различные направления: мощные полевые транзисторы, биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) и модульные сборки на основе кристаллов транзисторов и диодов. I...

Силовые модули Vishay и их применение

В 2007 году компания Vishay приобрела у Internatinal Rectifier большую часть ее полупроводникового бизнеса, в том числе производство силовых полупроводниковых приборов и силовых модулей. Сейчас Vishay является одним из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых приборов и пассивных компонентов.

Суперконденсаторы и их роль в системах питания электроники ближайшего будущего

Если спросить у разработчиков электронного оборудования о самых важных наблюдаемых ими тенденциях его развития, их ответ будет очевидным — электроника скоро станет более интеллектуальной, многофункциональной, еще более малогабаритной и максимально экономичной в части расходования энергии. Максимально ярко эти изменения проявляются в технологии, получившей название «Интернет вещей», или IoT (Int...

Специализированные DC/DC-преобразователи обеспечивают простое и эффективное решение для управления в IGBT-приложениях

В статье рассматриваются модульные DC/DC-преобразователи с двойным асимметричным выходом, обеспечивающие положительное и отрицательное напряжения для коммутации и гальваническую развязку, необходимые для IGBT-приложений.

WARP-speed IGBT — достойная альтернатива высоковольтным MOSFET в мощных DC/DC-преобразователях с частотой до 150 кГц

Сверхбыстродействующие WARP-speed IGBT-транзисторы компании International Rectifier хорошо знакомы разработчикам силовой электроники. Они разрабатывались в качестве альтернативы MOSFET в приложениях с рабочей частотой до 150 кГц. Примером таких приложений являются импульсные DC/DC-источники питания (ИП). Цель статьи — анализ перспективности использования WARP-speed IGBT c учетом обобщенных теор...

Конструкция и производство конденсаторов для компенсации коэффициента мощности в сетях низкого напряжения

В статье рассматривается качество конденсаторов ZEZ SILKO в сравнении их с дешевыми изделиями из Азии, а также рассказывается о подходах в оптимизации затрат.

Mitsubishi Electric разработала технологию корпусирования преобразователей высокой плотности мощности со встроенными компонентами

Корпорация Mitsubishi Electric объявила о разработке технологии для интеграции силовых устройств, пассивных элементов, датчиков и других встроенных компонентов в одну подложку. Новая технология внедрена в двунаправленном преобразователе постоянного тока (DC/DC) на 100 кВт (длительный режим). Плотность мощности преобразователя составляет 136 кВт/л, что в восемь раз больше, чем у обычных преобразователей. Данная технология должна способствовать уменьшению размеров силового электронного оборудования. Новая технология корпусирования Mitsubishi Electric позволяет снизить паразитную ...

Microchip расширяет ассортимент синхронизирующего оборудования операторского класса для сетей, повышения надежности и масштабируемости

Microchip расширяет ассортимент синхронизирующего оборудования операторского класса для сетей, повышения надежности и масштабируемости

Microchip анонсирует выпуск карбидокремниевых (SiC) устройств для надежной высоковольтной силовой электроники

Microchip анонсирует выпуск карбидокремниевых (SiC) устройств для надежной высоковольтной силовой электроники

Компания «Протон-Электротекс» приступила к серийному выпуску силовых IGBT-модулей

В рамках ведущихся работ по освоению выпуска современных силовых полупроводниковых приборов ЗАО «Протон-Электротекс» запустило новую производственную линию IGBT-модулей на средние частоты с шириной основания 62 и 34 мм. Испытания у потребителей показали идентичную как модулям Mitsubishi, так и приборам других производителей, температуру основания в рабочем режиме, что является ключевым показателем качества силовых модулей. Сегодня серийно изготавливаются модули на частоты порядка 10 кГц, токи до 400 А и напряжения до 1700 В с чипами VI поколения на новом сборочном производстве, оснащенном ...