
Ученые-материаловеды Университета штата Пенсильвания (Penn State, США) обнаружили путь, позволяющий увеличить производительность транзисторов, — он состоит в использовании нового технологического приема, основанного на включении диоксида ванадия (IV) в качестве функционального диоксида в эти электронные устройства.