Транзистор 2731GN-10V Microsemi для радаров S-диапазона, выполненный по технологии GaN-on-SiC

Корпорация  Microsemi объявила о начале поставок транзисторов 2731GN-10V с выходной мощностью 10  Вт, предназначенных для импульсных радаров, работающих в диапазоне 2,7–3,1  ГГц.

Высокочастотный транзистор 2731GN-10V является внутренне согласованным компонентом с высокой подвижностью электронов класса AB, выполненным по технологии GaN-on-SiC (нитрид галлия на карбиде кремния). Он обеспечивает коэффициент усиления свыше 10  дБ и уровень импульсной РЧ выходной мощности более 10  Вт при ширине импульса 300  мкс и 10%-м коэффициентом заполнения для всей рабочей полосы частот 2,7–3,1  ГГц.

Транзистор выпускается в герметичном корпусе форм фактора 55-QP и создан для применения в разработках импульсных радарах S-диапазона. В процессе изготовления транзистора используется металлизация золотом и пайка эвтектическими сплавами, что позволяет достичь высокой надежности и отличной механической прочность конструкции.

Основные характеристики транзистора 2731GN-10:

• мощность рассеяния компонента (при 25 °C): 25 Вт;
• напряжение сток-исток (VDSS): 150 В;
• напряжение затвор-исток (VGS): –8…+0 В;
• температура хранения: от –55 до +125 °C;
• рабочая температура перехода: +250 °C.

КВЕСТ