Toshiba приступает к серийному производству первых в мире модулей флэш-памяти NAND по технологии 15 нм

Корпорация Toshiba объявила о первой в мире разработке 15-нм технологии, которая будет применена в 128-Гбит (16 Гбайт) модулях флэш-памяти NAND с размещением двух битов данных в одной ячейке. Серийное производство с использованием новой технологии началось в конце апреля на предприятии Fab 5 в Йоккаити, которое занимается выпуском модулей флэш-памяти NAND. Новая технология заменит 19-нм технологию второго поколения — предыдущую основную технологию Toshiba.

Благодаря использованию 15-нм процесса и улучшенной технологии периферийных схем компании Toshiba удалось получить самые компактные в мире чипы этого класса. Новые чипы обеспечивают такую же скорость записи, как и чипы по 19-нм технологии второго поколения, а высокоскоростной интерфейс позволяет увеличить скорость передачи данных в 1,3 раза — до 533 Мбит/с.

В настоящее время Toshiba внедряет 15-нм технологию с размещением трех битов данных в одной ячейке. Начало ее серийного использования запланировано на I квартал этого финансового года (июнь 2014 г.). Параллельно компания разрабатывает контроллеры для встроенной флэш-памяти NAND и выводит на рынок продукты с размещением трех битов данных в одной ячейке для смартфонов и планшетов, которые после разработки контроллера, совместимого с твердотельными накопителями (SSD), планируется использовать и в ноутбуках.