
В настоящее время, как никогда прежде, инженеры выбирают изделия на основе карбида кремния (SiC) из-за их более высокой эффективности, удельной мощности и меньшей общей стоимости проектирования системы. В статье рассматриваются возможности моделирования SiC MOSFET с помощью симуляторов LTSpice от Analog Devices и SpeedFit от Wolfspeed.
Журнал "Электронные компоненты" 6/2021