Микросхема 5325КХ014 — высоковольтный двойной драйвер, выполненный по схеме «полумост» и предназначенный для управления двумя n-канальными MOSFET-транзисторами в аппаратуре специального назначения. Напряжение питания микросхемы находится в пределах 4,15–13,2 В.

Альтернативой стандартным серийно выпускаемым графическим ЖК-модулям является использование более доступных и надежных заказных сегментных ЖКИ. Они остаются вне конкуренции по току потребления (единицы микроампер) и имеют более широкий температурный диапазон функционирования (–40…+85 °C без подогрева).

В рамках ОКР «Дуга 249» разработана микросхема универсального операционного усилителя с малыми входными токами 1467УД8Т АЕЯР.431000.257-08ТУ.

В рамках ОКР «Дот-3085» разработана микросхема регулируемого стабилизатора напряжения положительной полярности 5318ЕР015 АЕНВ.431420.453-01 ТУ с входными напряжениями 1,2–36 В и током нагрузки не менее 0,5 А.

В статье описана микросхема IL7500BN/BD, представляющая собой устройство управления импульсными источниками питания путем модуляции ширины выходных прямоугольных импульсов (ШИМ-модуляции) и предназначенная для использования в импульсных преобразователях и инверторах напряжения, импульсных стабилизаторах и источниках питания.

Микросхема стабилизатора напряжения в малогабаритном металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа формирует положительное выходное напряжение UOUT=5 В и предназначена для применения в источниках питания радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.

Микросхема IZE42794 предназначена для создания постоянного напряжения значением 5 В с остаточным напряжением не более 0,5 В при токе нагрузки 100 мА и используется в источниках питания электронной аппаратуры.

Рассматриваемые в статье микросхемы 1669РА035, 1669РА025, 1669РА015 относятся к оперативно-запоминающим устройствам информационной емкостью 4 Мбит с различной организацией хранения данных.

Пластины монокристаллического кремния изготавливают по ТУ РБ 200181967.026-2002, ТУ РБ 200181967.151-2010 или согласованным с заказчиком спецификациям из слитков монокристаллического кремния по ТУ 48-4-295, ГОСТ 19658 или согласованным с заказчиком спецификациям конкретной марки и группы. Пластины монокристаллического кремния могут использоваться в качестве рабочих и тестовых, или контрольных.

В статье приведена таблица соответствия полевых транзисторов зарубежного производства и изделий производства ОАО «ИНТЕГРАЛ».