Компания IXYS начала производство новых XPT (extreme light punch through) IGBT транзисторов с номинальными токами от 100 до 210 А при температуре 25 °С. Новые IGBT имеют отличные характеристики: напряжение насыщения (Vcesat) — до 1,8 В; низкое время спада тока (tfi) — до 42 нс; малая энергия выключения (Eoff) — до 0,48 мДж. Транзисторы имеют прямоугольную безопасную рабочую зону обратного смещения (RBSOA) и расширенную безопасную рабочую зону прямого смещения (FBSOA), что положительно сказывается на надежности их работы. Новые XPT IGBT транзисторы производятся в двух модификациях ...