Авторам
Редакция
О журнале
Реклама
Спецпроект Microchip
Спецпроект LTSpice
Войти
|
Регистрация
Свежий номер
Подписка
Архив номеров
Поиск
Меню
Skip to content
DSP и обработка сигналов
JTAG тестирование
RFID и системы идентификации
АЦП и ЦАП
Беспроводные технологии
Встраиваемые системы
ВЧ и СВЧ компоненты
Датчики
Дисплеи
Защита по току и напряжению
Измерительное оборудование
Интерфейсы
Источники питания
Пассивные компоненты
Микроконтроллеры
Микропроцессоры
Микросхемы памяти ОЗУ и ПЗУ
Операционные усилители
Светотехника
Осциллографы
Печатные платы и монтаж
ПЛИС и ПАИС
ПЛК и промышленные компьютеры
Разъемы
Рынок электронных компонентов
САПР
Силовая электроника
Специализированные микросхемы
Схемотехника и проектирование
Телекоммуникации
Технологии
Электронные компоненты
Подписка на новости
отправка...
Имя
E-mail
Согласен на обработку персональных данных
Облако меток
Coupletech
Электровыпрямитель
Компэл
Radiall
Temex-Ceramics
Phytec
Litemax Electronics
Fluke
ММП-Ирбис
Wieland
АКРП
Keko Varicon
Molex
НТЦ «Модуль»
GSI Technology
Cadence
Futaba
ASML
ЕА-Elektro-Automatik
Waka
ИНЕЛСО
Glenair Inc.
Rakon
ЭРЕМЕКС
Прософт
Active Technologies
Semicom
Alliance Memory
Sintrones
Microsemi
Реклама
Fujitsu
Энергонезависимая память будущего Fujitsu FRAM
Свойства сегнетоэлектрической памяти FRAM уникальны: она сочетает в себе преимущества традиционных энергонезависимых ячеек и быстродействующих ячеек оперативной памяти. С экономической точки зрения это весьма перспективная технология.