Новые мощные GaN-микросхемы от Aelius на 8,5–12 ГГц

Компания Aelius Semiconductors выпустила новые и СВЧ МИС (MMIC) для X-диапазона. Среди новинок оказались две СВЧ-микросхемы соответственно на 20 и 30 Вт, выполненных по технологии AlGaN/GaN. Оба компонента имеют корпус для поверхностного монтажа площадью 7×7 мм. Производство новинок нацелено на применение в составе ППМ АФАР. Ниже приведены основные параметры усилителей: ASL4055C7: Частотный диапазон: 8,5–12 ГГц. Рассеиваемая мощность (Psat): 43 дБм. КУ (Small signal Gain): 28 дБ. КПД: 35%. Напряжение на стоке (Vd): 28 В. Корпус: LCC (Безвыводный керамический) 7×7×1,5 мм. ...