Подписка на новости

Реклама

Современные микросхемы памяти. Часть 2

Николайчук Олег
№ 6’2002
PDF версия
Мы продолжаем публикацию цикла статей, посвященных современным микросхемам памяти, в которых предпринимается попытка познакомить читателя с современной терминалогией в области подсистем памяти, основными разновидностями в области микросхем памяти, их особенностями, наиболее известными и крупными производителями микросхем и их продукцией.

Мы продолжаем публикацию цикла статей, посвященных современным микросхемам памяти, в которых предпринимается попытка познакомить читателя с современной терминалогией в области подсистем памяти, основными разновидностями в области микросхем памяти, их особенностями, наиболее известными и крупными производителями микросхем и их продукцией.

Все статьи цикла:

AMIC Technology — один из известных производителей памяти, выпускающий широкий спектр различных микросхем памяти: статической SRAM, Flash, ROM, OTR и динамической DRAM. Основные характеристики микросхем памяти приведены в табл. 10.

Таблица 10. Основные характеристики микросхем памяти
Тип Организация Диапазон

рабочих

температур		 Напряжение

питания		 Скорость Ток

потребления		 Корпус
Standby

(ISB1, Typ.)		 Operating

(ICC1, Typ.)
Малопотребляющее статическое ОЗУ (SRAM)
A623308 8Kx8 0 ~ +70°C

-45 ~ +85°C		 5.0V ±10% 70 15µA 35mA SOP-28, TSOP-28
A625308A 32Kx8 0 ~ +70°C

-45 ~ +85°C		 5.0V ±10% 70 15µA 35mA DIP-28, SOP-28, TSOP-28
A62S6308 64K x 8 0 ~ +70°C

-45 ~ +85°C		 2.7~3.6V 70 30µA 40mA SOP-32, TSOP-32, STSOP-32
A62S6316 64K x 16 0 ~ +70°C

-45 ~ +85°C		 2.7~3.6V 70 15µA 50mA mBGA48 TSOP44
LP621024D-I 128K x 8 -45 ~ +85°C 5.0V ±10% 55/70 50µA 70mA SOP32, TSOP32, STSOP32
LP621024D-T 128K x 8 -25 ~ +85°C 5.0V ±10% 55/70 50µA 70mA SOP32, TSOP32, STSOP32
LP62S1024B-I 128K x 8 -45 ~ +85°C 2.7~3.6V 55/70 5µA 30mA SOP32, TSOP32, TSSOP32
LP62S1024B-T 128K x 8 -25 ~ +85°C 2.7~3.6V 55/70 5µA 30mA SOP32, TSOP32, TSSOP32
LP62S1664C 64K x 16 -40 ~ +85°C 2.7~3.6V 55/70 5µA 40mA TSOP44, MBGA48
LP62E16128A 128K x 16 -25 ~ +85°C 1.8~2.2V 70 10µA 25mA TSOP44, CSP48
LP62S16128B-I 128K x 16 -40 ~ +85°C 2.7~3.6V 55/70 10µA 35mA TSOP44, CSP48
LP62S16128B-T 128K x 16 -25 ~ +85°C 2.7~3.6V 55/70 10µA 35mA TSOP44, CSP48
LP62S2048A-I 256K x 8 -40 ~ +85°C 2.7~3.6V 55/70 10µA 20mA SOP32, TSOP32, TSSOP32, CSP36
LP62S2048A-T 256K x 8 -25 ~ +85°C 2.7~3.6V 55/70 10µA 20mA SOP32, TSOP32, TSSOP32, CSP36
LP62E16256E-T 256K x 16 -25 ~ +85°C 1.65~2.2V 70 10µA 30mA TSOP44, CSP48
LP62S16256F-I 256K x 16 -40 ~ +85°C 2.7~3.6V 55/70 10µA 40mA TSOP44, CSP48
LP62S16256F-T 256K x 16 -25 ~ +85°C 2.7~3.6V 55/70 10µA 40mA TSOP44, CSP48
LP62S4096E-I 512K x 8 -40 ~ +85°C 2.7~3.6V 55/70 10µA 30mA TSOP32, TSSOP32, CSP36
LP62S4096E-T 512K x 8 -25 ~ +85°C 2.7~3.6V 55/70 10µA 30mA TSOP32, TSSOP32, CSP36
A64S9316 512K x 16 -25 ~ +85°C 2.7~3.6V 70 10µA 35mA BGA48
LP62E16512 512K x 16 -40 ~ +85°C 1.65~2.2V 70 10µA 40mA CSP48
LP62S16512-I 512K x 16 -40 ~ +85°C 2.7~3.6V 55/70 20µA 50mA CSP48
LP62S16512-T 512K x 16 -25 ~ +85°C 2.7~3.6V 55/70 20µA 50mA CSP48
A64E06161 1M x 16 -25 ~ +85°C 1.65~2.2V 70 10µA 20mA CSP48
A64S0616 1M x 16 -25 ~ +85°C 2.7~3.6V 55/70/85 10µA 35mA BGA48
A64E16161 2M x 16 -25 ~ +85°C 1.65~2.2V 70 10µA 20mA CSP48
A64S16161 2M x 16 -40 ~ +85°C 2.70-3.30V 70 25µA 30mA mBGA48
Таблица 10. Основные характеристики микросхем памяти
Тип Организация Диапазон

рабочих

температур		 Напряжение

питания		 Скорость Ток

потребления		 Корпус
Data Retention

(ICCDR, Typ.)		 Standby

(ISB1, Typ.)		 Operating

(ICC1, Typ.)
Быстродействующее статическое ОЗУ (SRAM)
A615308 32Kx8 0 ~ +70°C

-25 ~ +85°C		 4.5V~5.5V 12/35ns 6µA 68µA 125mA 28L SOJ, 28L SOP

28L TSOP
A617308 128Kx8 0 ~ +70°C 4.5V~5.5V 10/12/15 ns 1mA 12mA 150mA 32L SOJ, 32L TSOP
LP61L1024 128Kx8 0 ~ 70°C 3V ~ 3.6V 12/15 ns 0.4mA 0.5mA 130mA 32L SOJ, 32L TSOP

32L TSSOP, 36B mBGA
LP61L1008A 128Kx8 0 ~ +70°C 3.0V ~ 3.6V 8/10/12 ns 3mA 5mA 155mA 32L SOJ
A61L6316 64Kx16 0 ~ +70°C

-25 ~ +85°C		 3.0V ~ 3.6V 10/12/15 ns 3mA 5mA 220mA 44L SOP

44L TSOP(II)
A63G7332 128Kx32 0 ~ +70°C 3.0V ~ 3.6V

I/O 2,5V		 4.2/4.5/5.0 ns 10mA 38mA 350mA 100L LQFP
A63L7332 128Kx32 0 ~ +70°C 3.0V ~ 3.6V 4.2/4.5/5.0 ns 10mA 38mA 350mA 100L LQFP
A63L73321 128Kx32 0 ~ +70°C 3.0V ~ 3.6V 9.5/10/12 ns 10mA 25mA 350mA 100L LQFP
A65H73361 128Kx36 0 ~ +70°C 3.15V ~ 3.47V 2.5/3.0/3.5ns TBD TBD TBD 7×17 PBGA
A65H83181 256Kx18 0 ~ +70°C 3.15V ~ 3.47V 2.5/3.0/3.5ns TBD TBD TBD 7×17 PBGA
A67L8316 256Kx16 0 ~ +70°C 3.15V ~ 3.47V 4.0/4.2/4.5/5.0 ns 400mA 18mA 10mA 100L LQFP
A67L8318 256Kx18 0 ~ +70°C 3.15V ~ 3.47V 4.0/4.2/4.5/5.0 ns 400mA 18mA 10mA 100L LQFP
A67L7332 128Kx32 0 ~ +70°C 3.15V ~ 3.47V 4.0/4.2/4.5/5.0 ns 400mA 18mA 10mA 100L LQFP
A67L7336 128Kx36 0 ~ +70°C 3.15V ~ 3.47V 4.0/4.2/4.5/5.0 ns 400mA 18mA 10mA 100L LQFP
Таблица 10. Основные характеристики микросхем памяти
Тип Емкость Организация Диапазон

рабочих

температур		 Напряжение

питания		 Скорость Ток

потребления		 Корпус
Чтение Запись

Стирание		 Standby
FLASH-память
A29512A 64K X 8 32X2 0 ~ +70°C 5.0V ±10% 55/70/90 20mA 30mA 1µA DIP-32, PLCC-32, TSOP-32
A29001 128K X 8 8+4X2+16+32X3 0 ~ +70°C 5.0V ±10% 55/70/90 20mA 30mA 1µA DIP-32, PLCC-32, TSOP-32
A29010 128K X 8 32X4 0 ~ +70°C 5.0V ±10% 55/70/90 20mA 30mA 1µA DIP-32, PLCC-32, TSOP-32
A29002 256K X 8 16+8X2+32+64X3 0 ~ +70°C 5.0V ±10% 55/70/

/90120/150		 20mA 30mA 1µA DIP-32, PLCC-32, TSOP-32
A29040A 512K X 8 64X8 0 ~ +70°C 5.0V ±10% 55/70/90 20mA 30mA 1µA DIP-32, PLCC-32, TSOP-32
A29040B 512K X 8 64X8 0 ~ +70°C 5.0V ±10% 55/70/90 20mA 30mA 1µA DIP-32, PLCC-32, TSOP-32
A29400 512K X 8

256K X 16		 16+8X2+32+64X7 0 ~ +70°C 5.0V ±10% 55/70/90 20mA 30mA 1µA SOP-44, TSOP(I)-48
A29L004 512K X 8 16+8X2+32+64X7 0 ~ +70°C 2.7-3.6V 70/90 4mA 20mA 0,2µA PLCC-32, TSOP-32, TSOP-40
A29L040 512K X 8 64X8 0 ~ +70°C 2.7-3.6V 70 4mA 20mA 0,2µA DIP-32, PLCC-32, TSOP-32, sTSOP-32
A29L400 512K X 8

256K X 16		 16+8X2+32+64X7 0 ~ +70°C

-45 ~ +85°C		 2.7-3.6V 70/90 4mA 20mA 0,2µA SOP-44, TSOP(I)-48, TFBGA-48
A29800 1M X 8

512K X 16		 16+8X2+32+64X15 0 ~ +70°C 5.0V ±10% 55/70/90 20mA 30mA 12µA SOP-44, TSOP-48
A29L008 1M X 8 16+8X2+32+64X15 0 ~ +70°C

-45 ~ +85°C		 2.7-3.6V 70/90 9mA 20mA 0,2µA TSOP(I)-40
A29L800 1M X 8

512K X 16		 16+8X2+32+64X15 0 ~ +70°C

-45 ~ +85°C		 2.7-3.6V 70/90 9mA 20mA 0,2µA SOP-44, TSOP(I)-48, TFBGA-48
A29L160 2M X 8

1M X 16		 16+8X2+32+64X31 0 ~ +70°C 2.7-3.6V 70/90/120 9mA 20mA 0,2µA SOP-44, TSOP(I)-48, TFBGA-48
Таблица 10. Основные характеристики микросхем памяти
Тип Объем, Мб Организация Питание Vcc, В Время доступа, нс Корпус Примечания
Mask ROM, OTR – масочные и однократно программируемые ПЗУ
A23L1616 32 2 Мбит х 16/4 Мбит х 8 2,7~3,6   TSOP48, SOP44 Mask ROM, Flash input memory compatible
A23W9308 4 4 Мбит х 8 2,7~5,5 90 DIP, SOP, PLCC Mask ROM
A278308 2 2 Мбит х 8 5,0 70 DIP32, PLCC32 OTP ROM
A23W8308 2 2 Мбит х 8 2,7~5,5 90 DIP32, SOP32, PLCC32 Mask ROM
A276308A 0,5 0,5 Мбит х 8 5,0 70 DIP28, SOP28, PLCC32 OTP ROM
DRAM, SDRAM – микросхемы динамической памяти
A43P26161 64 4 Мб х 16 2,5   TSOP54 –40 … +85 °C
A43P16321 64 2 Мб х 32 2,5 6 TSOP86 –40 … +85 °C
A43L2616 64 4 Мб х 16 3,3 7,5 TSOP54 1 Mх16 bitх4 banks
х 16 512 Кбх32 3,3 6 QFP100 256 Kх32 bitх2 banks
A43L0616A 16 1 Мбх16 3,3 6 TSOP50 512 K х 16 bit х 2 banks,–40 … +85 °C
A42U2604 16 4 Мб х 4 2,25~2,75 60 SOJ24–26, TSOPII24–26 EDO DRAM, 1 K refresh
A42U0616 16 1 Мб х 16 2,25~2,75 60 SOJ42, TSOP50–44L EDO DRAM, 1 K refresh
A42L2604 16 4 Мб х 4 3,0~3,6 50 SOJ24–26, TSOPII 24–26 EDO DRAM, 1 K refresh
A42L0616 16 1 Мб х 16 3,0~3,6 50 SOJ42, TSOP50 EDO DRAM, 1 K refresh
A420616 16 1 Мб х 16 5,0 40 SOJ42, tSOP50 EDO DRAM, 1 K refresh
A43L0616A 16 1 Мб х 16 3,3 6 TSOP50 SDRAM, 512 K х 16 bitх2 banks
A43L8316 4 256 Кбх16 3,3 10 TSOP50 SDRAM, 128 K х 16 bitх2 banks
A43L8316A 4 256 Кб х 16 3,3 6 TSOP50 SDRAM, 128 K х 16 bitх2 banks

Elite Semiconductor выпускает достаточно большой ассортимент статической, и особенной динамической, памяти (см. табл. 11).

Таблица 11
Тип Объем, Мб Организация Особенности Регенерация Скорость (Частота доступа) Корпус Логотип
SRAM – статическая память
M23L28256A–70SS 2 256 Кб х 8 Super Low Power   70 нс small–TSOP ESMT
M21L28256A–70SB 2       70 нс 36–ball CSP ESMT
M21D28256A–55SS 2   SRAM 2 В   55 нс small–TSOP ESMT
M21D28256A–70SS 2       70 нс   ESMT
M21D28256A–55C 2       55 нс 36–ball CSP ESMT
M21L216128A–10T 2 128 Кб х 16 SRAM 3 В   10 нс 44–TSOP ESMT
M21L416256A–55T 4 256 Кб х 16 SRAM 3 В   55 нс 44–TSOP ESMT
DRAM – динамическая память
M10B11664A–35J 1 64 Кб х 16 FP 5 В 256 35 нс 400 mil/40L–SOJ EliteMT
M11B11664A–25T 1 64 Кб.16 EDO 5 В 256 25 нс 400 mil/44–40L–TSOPII EliteMT
M11B11664A–30T 1       30 нс 400 mil/44–40L–TSOPII EliteMT
M21L416256A–70T 4   Super Low Power   70 нс   ESMT
M11B416256A–25J 4 256 Кб х 16 EDO 5 В 512 25 нс 400 mil/40L–SOJ EliteMT
M11B416256A–35J 4       35 нс   EliteMT
M11B416256A–25T 4       25 нс 400 mil/44–40L–TSOPII EliteMT
M11B416256A–35T 4       35 нс   EliteMT
M11L416256SA–25J 4   EDO 3,3 В 512 25 нс 400 mil/40L–SOJ ESMT
M11L416256SA–30J 4       30 нс   ESMT
M11L416256SA–35J 4       35 нс   ESMT
M11L416256SA–25T 4       25 нс 400 mil/44–40L–TSOPII ESMT
M11L416256SA–30T 4       30 нс   ESMT
M11L416256SA–35T 4       35 нс   ESMT
M10B416256A–60J 4   FP 5 В 512 60 нс 400 mil/40L–SOJ EliteMT
M12L416256A–5T 4 256 Кб х 16 SDRAM 3,3 В 1 Кб 5 нс 400 mil/50L–TSOP ESMT
M12B416256A–7T 4 256 Кб х 16 SDRAM 3,3 В 1 Кб 7 нс 400 mil/50L–TSOP ESMT
M11B16161A–45J 16 1 Мб х 16 EDO DRAM 5 В 1 Кб 45 нс 400 mil/42L–SOJ ESMT
M11B16161A–60J 16       60 нс   ESMT
M11B16161A–45T 16       45 нс 44/50 pin 400 mil TSOPII ESMT
M11B16161A–60T 16       60 нс   ESMT
M11L16161SA–45J 16   EDO DRAM 3,3 В Self Refresh 1 Кб 45 нс 400 mil/42L–SOJ ESMT
M11L16161SA–60J 16       60 нс   ESMT
M11L16161SA–45T 16       45 нс 44/50 pin 400 mil TSOPII ESMT
M11L16161SA–60T 16       60 нс   ESMT
M11L1644SA–60J 16 4 Мб х 4 EDO DRAM 3 В 2 Кб 60 нс 24 pin SOJ ESMT
M11S1644SA–60J 16 4 Мб х 4 EDO DRAM 2,5 В 2 Кб 60 нс 24 pin SOJ ESMT
M11S1644SA–80J 16       80 нс   ESMT
M11S1644SA–60T 16       60 нс 24 pin TSOPII ESMT
M11S1644SA–80T 16       80 нс   ESMT
M11D1644SA–80J 16   EDO DRAM 2 В 2 Кб 80 нс 24 pin SOJ ESMT
M11D1644SA–80T 16       80 нс 24 pin TSOPII ESMT
M12L16161A–5T 16 1 Мб х 16 SDRAM 3,3 В 2 Кб 200 МГц (TRDL/1CLK) 400 mil/50L–TSOPII ESMT
M12L16161A–5.5T 16       183 МГц (TRDL/1CLK)   ESMT
M12L16161A–7T 16       143 МГц (TRDL/1CLK)   ESMT
M32L1632512A–7Q 16 512 Кб х 32 SGRAM 3,3 В   143 МГц 100L QFP ESMT
M32L32321SA–5Q 32 1 Мб х 32 SGRAM 3,3 В 2 Кб 200 МГц (TRDL/1CLK) 100L–QFP (14х20) ESMT
M32L32321SA–5.5Q 32       183МГц (TRDL/1CLK)   ESMT
M32L32321SA–7Q 32       143МГц (TRDL/1CLK)   ESMT
M13L64164A–5T 64 4 Мб х 16 DDR SDRAM (SSTL–2)   200 МГц 400 mil/66L–TSOPII ESMT
M13L64164A–4T 64       250 МГц 400 mil/66L–TSOPII ESMT
M13L64322A–4L 64 2 Мб х 32 DDR SDRAM   250 МГц 100L LQFP ESMT
M13L64322A–5L 64       200 МГц   ESMT
M12L64164A–7T 64 4 Мб.16 SDRAM   143 МГц 54L–TSOP ESMT
M12L64322A–5T 64 2 Мб х 32 SDRAM 3,3 В 4 Кб 200 МГц 400 mil/86L–TSOPII ESMT
M12L64322A–6T 64       166 МГц   ESMT
M12L64322A–7T 64       143 МГц   ESMT
M12L64322SA–5T 64 2 Мб х 32 SDRAM 3,3 В 4 Кб 200 МГц 400 mil/86L–TSOPII ESMT
M12L64322SA–6T 64       166 МГц   ESMT
M12L64322SA–7T 64       143 МГц   ESMT

EON Silicon Devices. Фирма EON специализируется на выпуске Flash и однократно программируемой памяти, представленной в табл. 12.

Таблица 12
Тип Объем, Мбит Питание, В Время доступа, нс Корпус Особенности
Flash-память
EN29F002T

EN29F002B		 2 (256 Кбит х 8)Flash 5 50, 70, 90, 120 PDIP32, PLCC32, TSOP32 Блочная организация: 1 загрузочный блок 16К или 2 параметрических блока 8К или 1.32К и 2.64К блока, загрузочный блок программируется на начало или конец Flash. Программирование байта: 10 мкс, стирание блока: 500 мс, полное стирание: 3,5 с, потребление: 30 мА (1мкА standby). Совместимость команд программирования JEDEC, отдельный вывод сброса, встроенный алгоритм программирования и стирания, защита блоков,индустриальный диапазон температур.
EN29F002NT

EN29F002NB		 2 (256 Кбит х 8)Flash 5 50, 70, 90, 120 PDIP32, PLCC32, TSOP32 Блочная организация: 1 загрузочный блок 16К или 2 параметрических блока 8К или 1.32К и 2.64К блока, загрузочный блок программируется на начало или конец Flash. Программирование байта: 10 мкс, стирание блока: 500 мс, полное стирание: 3,5 с, потребление: 30 мА (1мкА standby). Совместимость команд программирования JEDEC, отдельный вывод сброса, встроенный алгоритм программирования и стирания, защита блоков, индустриальный и коммерческий диапазон температур.
EN29F040 4 (512 Кбит х 8) Flash 5 50, 70, 90, 120 PDIP32, PLCC32, TSOP32 Универсальная блочная архитектура: 8 универсальных секторов по 64К, поддержка режима полного и секторного стирания, секторная защита. Программирование байта: 10 мкс, стирание блока: 500 мс, полное стирание: 3,5 с, потребление: 30 мА (1мкА standby). Сохранение данных до 3,2 В. Совместимость команд программирования JEDEC, отдельный вывод сброса, встроенный алгоритм программирования и стирания, защита блоков, индустриальный диапазон температур.
EN29F080 8 (1 Мбит х 8) Flash 5 50, 70, 90, 120 TSOP32 Секторная архитектура: 16 универсальных секторов по 64К, поддержка секторного и полного режима стирания, секторная защита, аппаратная защита секторов. Программирование байта: 10 мкс, стирание блока: 500 мс, полное стирание: 16 с, потребление: 30 мА (1мкА standby). Совместимость команд программирования JEDEC, отдельный вывод сброса, встроенный алгоритм программирования и стирания, защита блоков,индустриальный диапазон температур.
EN29F800 8 (1 Мбит х 8 или 512 Кбит х 16) Flash 5 50, 70, 90, 120 TSOP48 Секторная архитектура: один 16К, два 8К, один 32К и пятнадцать 64К секторов в однобайтном режиме или один 8Кword, два 4Кword, один 16Кword и пятнадцать 32Кword в двухбайтном (word) режиме. Секторное и полное стирание, секторная защита (аппаратная). Программирование байта: 10 мкс,стирание блока: 500 мс, полное стирание: 3,5 с, потребление: 30 мА (1мкА standby). Совместимость команд программирования JEDEC, отдельный вывод сброса, встроенный алгоритм программирования и стирания, защита блоков, индустриальный и коммерческий диапазон температур.
EN29LV800 8 (1 Мбит х 8 или 512 Кбит х 16)Flash 2,7–3,6 55, 70, 90, 120 TSOP48 Секторная архитектура: один 16К, два 8К, один 32К и пятнадцать 64К секторов в однобайтном режиме или один 8Кword, два 4Кword, один 16Кword и пятнадцать 32Кword в двухбайтном (word) режиме. Секторное и полное стирание, секторная защита (аппаратная). Программирование байта: 8 мкс, стирание блока: 500 мс, потребление: 30 мА (1мкА standby). Сохранение данных до 2,5 В. 100 К циклов записи/стирания. Совместимость команд программирования JEDEC, отдельный вывод сброса, встроенный алгоритм программирования и стирания, защита блоков, индустриальный и коммерческий диапазон температур.
OTP EPROM – однократно программируемая память
EN27C512 0,5 (64 Кбит х 8)EPROM 5 45, 55, 70, 90 PDIP28, PLCC32, TSOP28 Программирование при +12,75 В. QuikRiteTM режим программирования. Время программирования 20 с. Потребление: 30 мА (1мкА standby). Индустриальный и коммерческий диапазон температур.
EN27LV512

EN27LV512B		 0,5 (64 Кбит x 8)EPROM 3,3 45, 55, 70, 90 PDIP28, PLCC32, TSOP28 Напряжение программирования: +12,75 В. Диапазон рабочих напряжений 3,0–3,6 для EN27LV512 и 2,7–3,6 для EN27LV512B (системы с батарейным питанием). QuikRiteTM режим программирования. Время программирования 20 мкс. Потребление: 15 мА (1 мкА standby). Совместимость по выходам с CMOS и TTL. Две линии выборки –(/OE & /CE). Индустриальный и коммерческий диапазон температур.
EN27C010 1 (128 Кбит x 8)EPROM 5 45, 55, 70, 90 PDIP32, PLCC32, TSOP32 Напряжение программирования: +12,75 В. Диапазон рабочих напряжений 3,0–3,6 для EN27LV512 и 2,7–3,6 для EN27LV512B (системы с батарейным питанием). QuikRiteTM режим программирования. Время программирования 20 мкс. Потребление: 30 мА (1 мкА standby). Совместимость по выходам с CMOS и TTL. Две линии выборки –(/OE & /CE). Индустриальный и коммерческий диапазон температур.
EN27LV010

EN27LV010B		 1 (128 Кбит x 8)EPROM 3,3 90, 120, 150, 200 PDIP32, PLCC32, TSOP32 Напряжение программирования: +12,75 В. Диапазон рабочих напряжений 3,0–3,6 для EN27LV010 и 2,7–3,6 для EN27LV010B (системы с батарейным питанием). QuikRiteTM режим программирования. Время программирования 20 мкс. Потребление: 15 мА (1мкА standby). Совместимость по выходам с CMOS и TTL. Две линии выборки –(/OE & /CE). Индустриальный и коммерческий диапазон температур.
EN27C020 2 (256 Кбит x 8)EPROM 5 45, 55, 70, 90 PDIP32, PLCC32, TSOP32 Напряжение программирования: +12,75 В. QuikRiteTM режим программирования. Время программирования 20 мкс. Потребление: 30 мА (1 мкА standby). Совместимость по выходам с CMOS и TTL. Две линии выборки –(/OE & /CE). Индустриальный и коммерческий диапазон температур.
EN27LV020

EN27LV020B		 2 (256 Кбит x 8)EPROM 3,3 90, 120, 150, 200 PDIP32, PLCC32, TSOP32 Напряжение программирования: +12,75 В. Диапазон рабочих напряжений 3,0–3,6 для EN27LV020 и 2,7–3,6 для EN27LV020B (системы с батарейным питанием). QuikRiteTM режим программирования. Время программирования 20 мкс. Потребление: 15 мА (1 мкА standby). Совместимость по выходам с CMOS и TTL. Две линии выборки –(/OE & /CE). Индустриальный и коммерческий диапазон температур.

Etron Technology. Фирма Etron широко известна на рынке статической и динамической памяти. Перечень продукции фирмы приведен в табл. 13.

Таблица 13
Тип Организация Быстродействие, нс Питание, В Корпус Примечания
Asynchronous SRAM – асинхронная статическая память
EM532323Q/TQ 64 Кбит x 32 4, 6 3,3 QFP100, TQFP100 Конвейерный доступ
EM531323/TQ 32 Кбит x 32 5, 6, 7 3,3 QFP100, TQFP100 Конвейерный доступ
EM542323Q/TQ 64 Кбит x 32 8,5, 10, 11 2,5–3,3 QFP100, TQFP100 Мультиплексированный ввод/вывод 2,5 В
EM541323Q/TQ 32 Кбит x 32 8,5, 10, 11 2,5–3,3 QFP100, TQFP100 Мультиплексированный ввод/вывод 2,5 В
Synchronous SRAM – синхронная статическая память
EM542323 64 Кбит x 32 117/100/90 МГц 2,5–3,3 PQFP100, TQFP100 32 и 64 битная шина данных
EM541323 32 Кбит x 32 117/100/90 МГц 2,5–3,3 PQFP100, TQFP100  
EM532323 64 Кбит x 32 100/75МГц 3,3 PQFP100, TQFP100 32 и 64 битная шина данных
EM531323 32 Кбит x 32 100/75/66 МГц 3,3 PQFP100, TQFP100 32 и 64 битная шина данных
High Speed SRAM – высокоскоростная статическая память
EM51256C 32 Кбит x 8 10, 12, 15 5 SOJ28, DIP28, TSOP28 Асинхронная
EM51L256A 32 Кбит x 08 15 3,3 SOJ28, DIP28, TSOP28  
EM51 Мб256A 32 Кбит x 8 15 3,3–5,0 SOJ28, DIP28, TSOP28 Мультиплексированная шина ввода–вывода
Low Power Asynchronous SRAM – асинхронная статическая память с малым потреблением
EM564161 256 Кбит x 16 70,85 2,3–3,6 BGA48 Асинхронная
EM564081 512 Кбит x 8 70,85 2,3–3,6 BGA36 Асинхронная
EM565161 512 Кбит x 16 70,85 2,3–3,6 BGA48 Асинхронная
Wide Bus Memory SRAM – статическая память с широкой шиной данных
EM615162 256 Кбит x 16 x 2 (dµAl RAS#) 25, 28, 30, 35, 40 5 400 mil SOJ40 EDO
EM614163A 256 Кбит x 16 25, 28, 30, 35, 40 5 400 mil SOJ40 EDO
EM614163A 256 Кбит x 16 50, 60 5 400 mil SOJ40, TSOP2–40 EDO
EM634163A 256 Кбит x 16 45, 50, 60 3,3 400 mil SOJ40, TSOP2–40 EDO
EM614081 512 Кбит x 8 70 3,3–5 SOJ28, TSOP28 FPM
EM612163 128 Кбит x 16 50, 60   400 mil SOJ40 EDO
Eic611161A 64 Кбит x 16 70 5 400 mil SOJ40 FPM
Wide–Bandwidth DRAM Synchronous – синхронная динамическая память с широкой шиной данных
EM658160 4 Мбит x 16 4, 5, 6, 7, 8 3,3 TSOP2–66 DDR SDRAM 250,200, 166, 143,125 МГц
EM638165 4 Мбит x 16 6, 7, 7,5, 8, 10 3,3 TSOP54 SDRAM 166,143, 133, 125,100 МГц
EM638325 2 Мб x 32 3,5, 4, 5, 5,5, 6, 7, 8 3,3 TSOP86 SDRAM 285, 250, 200, 183, 166, 143, 125 МГц
EM636165 1 Мбит x 16 5, 5,5, 6, 7, 8, 10 3,3 TSOP50 SDRAM 200,183, 166, 143, 125,100 МГц, Industrial Temp. Rating
EM637327Q/TQ 1 Мбит x 32 5,5, 6, 7, 8 3,3 QFP/TQFP100 SGRAM 183,166, 143, 125 МГц
EM637324Q/TQ 512 Кбит x 32 6, 7, 8, 10 3,3 QFP/TQFP100 SGRAM 166, 143, 125, 100 МГц
EM636327Q/TQ 512 Кбит x 32 5,5, 6, 7 3,3 QFP/TQFP100 SGRAM 183, 166, 143 МГц
EM636327Q/TQ 512 Кбит x 32 8, 10 3,3 QFP/TQFP100 SGRAM 125, 100 МГц
EM635327Q/TQ 256 Кбит x 32 8, 9, 10, 12 3,3 QFP/TQFP100 SGRAM 125, 110, 100, 83МГц
EM635327R/TR 256 Кбит x 32 8, 9, 10, 12 3,3 QFP/TQFP100 SGRAM 125, 110, 100, 83МГц
EM638085 8 Мбит x 8 7, 7,5, 8, 10 3,3 TSOP2–54 SDRAM 143, 133,125,100 МГц
EM634165 256 Кбит x 16 8, 10 3,3 TSOP250 SDRAM 125, 100 МГц
Synchronous DDR SDRAM Cache – синхронная динамическая кэш-память
ECT30256 32 Кбит x 64 66 МГц 3,3–5 DIMM–160 COASt 3.0 compatible
ECT30512 64 Кбит x 64 66 МГц 3,3–5 DIMM–160 COASt 3.0 compatible
Graphic RAM – графическая память
MS2021 256 Кбит x 64, 2 Мб 125, 100 МГц   SODIMM–144 256 Кб x 32 SGRAM x 2
MS2041 512 Кбит x 64, 4 Мб 125, 100 МГц   SODIMM–144 256 Кб x 32 SGRAM x 4
MS2043 512 Кбит x 64, 4 Мб 125, 100 МГц   SODIMM–144 512 Кб x 32 SGRAM x 2
MS2083 1 Мбит x 64, 8 Мб 125, 100 МГц   SODIMM–144 512 Кб x 32 SGRAM x 4

G-Link Technology. Фирма G-Link специализируется на выпуске динамической и статической памяти. Выпускаемые микросхемы динамической памяти представлены в табл. 14. Микросхемы статической памяти фирмы G-Link приведены в табл. 15. При этом используются следующие обозначения:

LL (Low power) — микросхемы с низким энергопотреблением;

SL (Super Low Power) — микросхемы со сверхнизким энергопотреблением;

I (Industrial) — микросхемы в индустриальном исполнении с диапазоном температур от –40 до 85 °C.
Таблица 14
Тип Объем Организация Питание, В Быстродействие, нс Корпус [1] Примечания
DRAM, EDO & FAST – динамическая память
GLT41016 1 Мб 64 Кб x 16 (2 CAS) 5 30, 40 J4–40 EDO
GLT41016 1 Мб 64 Кб x 16 (2 CAS) 5 30, 40 TC40/44 EDO
GLT41116 1 Мб 64 Кб x 16 (2 CAS) 5 30*, 35, 40 J4–40 FP
GLT41116 1 Мб 64 Кб x 16 (2 CAS) 5 30*, 35, 40 TC40/44 FP
GLT41216 1 Мб 64 Кб x 16 (2 WE) 5 30*, 40 J4–40 EDO
GLT41216 1 Мб 64 Кб x 16 (2 WE) 5 30*, 40 TC40/44 EDO
GLT41316 1 Мб 64 Кб x 16 (2 WE) 5 30*, 40 J4–40 FP
GLT41316 1 Мб 64 Кб x 16 (2 WE) 5 30*, 40 TC20/26 FP
GLT440L04 4 Мб 1 Мб x 4 3,3 50, 60, 70 J4–20/26, TC20/26 EDO
GLT440 Мб04 4 Мб 1 Мб x 4 2,5 60, 70 TC20/26 EDO
GLT441L04 4 Мб 1 Мб x 4 3,3 50, 60, 70 J4–40/44, TC40/44 FP
GLT440L08 4 Мб 512 Кб x 8 3,3 60, 70, 80 J4–28 EDO
GLT441L08 4 Мб 512 Кб x 8 3,3 60, 70 J4–28, TC–28 FP
GLT44016 4 Мб 256 Кб x 16 5 28, 35, 40, 50 J4–40 EDO
GLT44016 4 Мб 256 Кб x 16 5 35, 40 TC40/44 EDO
GLT440L16 4 Мб 256 Кб x 16 3,3 35, 40, 50 J4–40 EDO
GLT440L16 4 Мб 256 Кб x 16 3,3 35, 40, 50 TC40/44 EDO
GLT4160L16 16 Мб 1 Мб x 16 3,3 45, 50, 60 J4–40/42 EDO
GLT4160L16 16 Мб 1 Мб x 16 3,3 45, 50, 60 TC44/50 EDO
GLT4160L16S[2] 16 Мб 1 Мб x 16 3,3 45, 50, 60 J4–40/42 EDO
GLT4160L16S[2] 16 Мб 1 Мб x 16 3,3 45, 50, 60 TC44/50 EDO
GLT4160 Мб16 16 Мб 1 Мб x 16 2,5 60, 70, 80 J4–40/42 EDO
GLT4160 Мб16 16 Мб 1 Мб x 16 2,5 60, 70, 80 TC44/50 EDO
GLT4160 Мб16S[2] 16 Мб 1 Мб x 16 2,5 60, 70, 80 J4–40/42 EDO
GLT4160 Мб16S[2] 16 Мб 1 Мб x 16 2,5 60, 70, 80 TC44/50 EDO
GLT4160L04 16 Мб 4 Мб x 4 3,3 50, 60, 70 TC24/26 EDO
GLT4160L04S[2] 16 Мб 4 Мб x 4 3,3 50, 60, 70 TC24/26 EDO
GLT4160 Мб04 16 Мб 4 Мб x 4 2,5 50, 60, 70 TC24/26 EDO
GLT4160 Мб04S[2] 16 Мб 4 Мб x 4 2,5 50, 60, 70 TC24/26 EDO
Synchronous SDRAM – синхронная динамическая память
GLT540L16 4 Мб 128 Кб x 16 x 2bank 3,3 6, 7, 8, 10 TC50 SDR
GLT5160L16 16 Мб 512 Кб x 16 x 2bank 3,3 6, 7, 8, 10 TC50 SDR
GLT5160L16I[3] 16 Мб 512 Кб x 16 x 2bank 3,3 6, 7, 8, 10 TC50 SDR
GLT5640L16 64 Мб 1024 Кб x 16 x 4bank 3,3 6, 7, 8 TC54 SDR
GLT5640L32 64 Мб 512 Кб x 32 x 4bank 3,3 6, 7, 8 TC86 SDR

Примечания:

[1] В приведенной таблице использованы следующие сокращения наименований корпусов: J4 — 400 mil SOJ, TC — TSOP(II), TQ — TQFP.

[2] Self Refresh — саморегенерация.

[3] Индустриальное исполнение с диапазоном температур от –40 до +85 °C.

Таблица 15
Тип Объем Организация Питание, В Энерго-потребле-ние (SL, LL) Быстро-действие, нс Корпус [1]
Super Low Power Asynchronous SRAM – статическая память со сверхнизким энергопотреблением
GLT6100L08 SL,LL 1 Мб 128 Кб x 8 2,7–3,3 1, 5 55, 70 ST32
GLT6100L16 SL,LL 1 Мб 64 Кб x 16 2,7–3,3 1, 5 55, 70 TC44
GLT6200L08 SL,LL [2] 2 Мб 256 Кб x 8 2,7–3,6 2, 10 55, 70 ST32, FI32 6×8
GLT6200 Мб08 SL,LL,I [2] 2 Мб 256 Кб x 8 2,3–2,7 2, 10 120 ST32, FI32 6×8
GLT6200L16 SL,LL 2 Мб 128 Кб x 16 2,7–3,3 2, 10 35 FG48 9X12
GLT6200L16 SL,LL,I [2] 2 Мб 128 Кб x 16 2,7–3,6 2, 10 55, 70 TC48, FI48 6×8
GLT6200 Мб16 SL,LL,I [2] 2 Мб 128 Кб x 16 2,3–2,7 2, 10 120 TC48, FI48 6×8
GLT6400L08 SL,LL,I [2] 4 Мб 512 Кб x 8 3,0–3,6 5, 20 70 TS32, ST32, FC32
GLT6400L08 SL,LL,I [2] 4 Мб 512 Кб x 8 2,7–3,3 5, 20 85 TS32, ST32, FC32
GLT6400 Мб08 SL,LL,I [2] 4 Мб 512 Кб x 8 2,3–2,7 5, 20 120 TS32, ST32, FC32
GLT6400L16 SL,LL,I [2] 4 Мб 256 Кб x 16 3,0–3,6 5, 20 70 TC44/48, FH44/48 8×10
GLT6400L16 SL,LL,I [2] 4 Мб 256 Кб x 16 2,7–3,3 5, 20 85 TC44/48, FH44/48 8×10
GLT6400 Мб16 SL,LL,I [2] 4 Мб 256 Кб x 16 2,3–2,7 5, 20 120 TC44/48, FH44/48 8×10
GLT6810_08 SL,LL,I [2] 8 Мб 1 Мб x 8 1,8–2,7 10, 40 65–85 TS32, ST32, FC32
GLT6810_16 SL,LL,I [2] 8 Мб 512 Кб x 16 1,8–2,7 10, 40 65–85 TC44/48, FH44/48 8×10
Asynchronous SRAM – асинхронная статическая память
GLT625608 ,I [industrial] 256 Кб 32 Кб x 8 5   70 FB28
GLT725608 ,I [industrial] 256 Кб 32 Кб x 8 5   12,15 J3–28, FB28
GLT7256L08 256 Кб 32 Кб x 8 3,3   8,15 J3–28

Примечания:

[1] В приведенной таблице использованы следующие сокращения наименований корпусов:
J3 — 300mil SOJ;

TS — TSOP(I) (8.20 мм);

TC — TSOP(II) (8.20 мм);

FB — 330 mil SOP;

ST — Shrink TSOP(I) (8.13,4 мм);

FC — SOP(45c);

FG — 48.fpBGA (9.12 мм);

FH48 — fpBGA (8.10 мм);

FI — 48.fpBGA (6.8 мм).
[2] Индустриальное исполнение с диапазоном температур от –40 до +85 °C.

Продолжение следует.

14.09.2011 | Микросхемы памяти ОЗУ и ПЗУ
Оставить комментарий

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Наши проекты:
© Copyright 2025 Компоненты и технологии