Школа схемотехнического проектирования устройств обработки сигналов. Занятие 5. Стандарты, уровни, сопряжение
Занятие 5. Стандарты, уровни, сопряжение
Difficile est proprie communia dicere.
Гораций
В любой схеме должны содержаться:
по крайней мере одна устаревшая деталь, две дефицитные
и три — находящихся на стадии разработки.
Третий закон инженерного проектирования Гора
На прошлых занятиях [1] мы начали рассматривать современную схемотехнику цифровых устройств. В этом занятии мы продолжим разговор о новых семействах цифровых ИС и их свойствах, а также затронем вопросы, связанные со стандартизацией в электронике.
Все статьи цикла:
- Школа схемотехнического проектирования устройств обработки сигналов. Занятие 1. Алгоритмы, элементная база, способы реализации
- Школа схемотехнического проектирования устройств обработки сигналов. Занятие 2. Некоторые полезные мелочи, о которых почти никто никогда не пишет, опасаясь прослыть любителем банальных фактов
- Школа схемотехнического проектирования устройств обработки сигналов. Занятие 3. Интерфейсы передачи данных и сопряжение устройств
- Школа схемотехнического проектирования устройств обработки сигналов. Занятие 4. Уровни, логика и быстродействие
- Школа схемотехнического проектирования устройств обработки сигналов. Занятие 5. Стандарты, уровни, сопряжение
- Школа схемотехнического проектирования устройств обработки сигналов. Занятие 6. Реализация вычислительных устройств на ПЛИС
- Школа схемотехнического проектирования устройств обработки сигналов. Занятие 7. Реализация вычислительных устройств на ПЛИС
- Школа схемотехнического проектирования устройств обработки сигналов. Занятие 8. Средства визуальной разработки цифровых автоматов
- Школа схемотехнического проектирования устройств обработки сигналов. Занятие 9. Языки описания аппаратуры: синтаксис и особенности применения
- Школа схемотехнического проектирования устройств обработки сигналов. Занятие 10. Языки описания аппаратуры: синтаксис и особенности применения
- Школа схемотехнического проектирования устройств обработки сигналов. Занятие 11. Языки описания аппаратуры: синтезируемое подмножество VHDL
- Школа схемотехнического проектирования устройств обработки сигналов. Занятие 12. Языки описания аппаратуры. Язык описания аппаратуры Verilog HDL
- Школа схемотехнического проектирования устройств обработки сигналов. Занятие 13. Языки описания аппаратуры. Язык описания аппаратуры Verilog HDL
- Школа схемотехнического проектирования устройств обработки сигналов. Занятие 14. Программируемые аналоговые интегральные схемы
- Школа схемотехнического проектирования устройств обработки сигналов. Занятие 15. Практические рекомендации по разработке печатных плат
- Школа схемотехнического проектирования устройств обработки сигналов. Занятие 16. Особенности разработки конструкторской документации РЭА в соответствии с ЕСКД
- Школа схемотехнического проектирования устройств обработки сигналов. Занятие 17. Цифровые синтезаторы прямого синтеза частот
- Школа схемотехнического проектирования устройств обработки сигналов. Занятие 18
Как известно, в настоящее время логические ИС средней степени интеграции выпускаются более чем десятью компаниями, среди которых как гиганты индустрии типа Texas Instruments, Philips, так и средние и небольшие фирмы. В то же время различные варианты серии 74ХХ стали стандартом де-факто для цифровой элементной базы. Недаром библиотеки современных пакетов проектирования на ПЛИС [2, 3, 7, 8] содержат в своем составе макрофункции соответствующих узлов — триггеров, счетчиков, регистров и т. п. Возникает вопрос: как же ориентироваться в этом море продуктов — закладываться в разработке на ИС конкретного производителя (при этом обрекая себя на возможность ждать ее поставки месяцами) или же выбрать несколько сходных по свойствам изделий?
А если выбирать второй путь, то не столкнемся ли мы с ситуацией, когда посадочные места и цоколевка аналогов будут различными и приведут к трудностям при проектировании и монтаже конструкции прибора [5]?
Дабы помочь разработчикам в этом выборе производители создали несколько организаций, занимающихся вопросами стандартизации в области элементной базы.
Одной из самых известных организаций такого рода является JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) (www.jedec.org), являющийся органом стандартизации при Electronic Industries Alliance (EIA). На рис. 1 приведена эмблема этой организации.

JEDEC был первоначально создан в 1960 для решения вопросов стандартизации в производстве дискретных полупроводниковых приборов, а в 1970 году сфера его деятельности распространилась и на интегральные схемы. В состав JEDEC входит 48 комитетов и подкомитетов. В настоящее время членами JEDEC является около 300 компаний. Среди них как производители электронных компонентов, так и фирмы-потребители элементной базы, а также другие компании, работающие в сфере электронных компонентов.
Рассмотрим вкратце основные исторические вехи в развитии JEDEC. В 1924 году пять производителей радиотехнических устройств в Чикагском регионе создают организацию, названную Associated Radio Manufacturers (ARM), которая была призвана формировать радиотехнические стандарты, лоббировать интересы производителей аппаратуры. Позже она была переименована в Radio Manufacturers Association (RMA), являющаяся зачатком EIA. Интересно, что вступительный взнос в эту ассоциацию составлял $100 и ежемесячные платежи — $50. В 1926 году сформировалась вторая крупная ассоциация в электротехнической промышленности — National Association of Electrical Manufacturers (NEMA). В 1927 году NEMA и RMA объединились. RMA стала радиотехнической секцией (Radio Section) NEMA. С изобретением в 1928 году телевидения в RMA был создан соответствующий комитет (Television Committee). В 1932 в RMA создается комитет по элекровакуумным приборам (Tube Division), в 1938 году — Engineering Department.
Развитие радиотехники в годы Второй мировой войны привело к созданию в 1944 году совета по стандартизации в области электровакуумной техники — Joint Electron Tube Engineering Council (JETEC), по сути, прототипа JEDEC. JETEC начал проводить активную работу в области стандартизации типов ламп, в том числе регистрацию их типов, проведение маркетинговых исследований и т. п.
Появление полупроводниковых приборов открыло новую страницу в развитии стандартизации. В 1950 году RMA была переименована в Radio Television Manufacturers Association (RTMA) в связи с возросшим число компаний — производителей телевизионного оборудования. Начало производства твердотельных компонентов привело к очередному переименованию. В 1953 году RTMA получила название Radio Electronics Television Manufacturers Association (RETMA). Тем самым полупроводниковая промышленность получила в ассоциации те же права, что и индустрия коммуникаций и связи. В 1956 году в составе Tube Division создана секция полупроводников (Semiconductor Section). Наконец, в 1957 году RETMA была переименована в Electronic Industries Association (EIA), под этим именем она известна и в наши дни.
В 1958 JETEC разделился на два совета — собственно совет по ламповой технике и по полупроводникам, причем поменялось и название — на нынешнее Joint Electron Devices Engineering Councils (JEDEC). Два совета JEDEC получили наименования JEDEC Tube Council и JEDEC Semiconductor Council. В 1963 году в составе EIA были организованы два самостоятельных подразделения Tube Division и Semiconductor Division.
С появлением первых ИС происходят соответствующие изменения в органах стандартизации. В 1965 году в состав Semiconductor Division введен Microelectronic Subdivision. Затем был создан совет по микроэлектронным устройствам — Microelectronic Engineering Council, вышедший из JEDEC Semiconductor Device Council, занимающегося стандартизацией дискретных полупроводниковых приборов. В 1970 году Semiconductor Division и Microelectronic Subdivision были реорганизованы и был сформирован дивизион твердотельной электроники (Solid State Products Division, SSPD). В настоящее время в этот дивизион входит 20 компаний — 20 лет назад их было 5–6.
Изменения в области электровакуумной техники привели к реорганизации в 1977 JEDEC Tube Council, который был переименован в Tube Electron Panel Advisory Council (TEPAC).
Бурное развитие полупроводниковой промышленности в конце 90-х годов привело к созданию в 1997–98 годах Web-сайта JEDEC, www.jedec.org. С этого момента JEDEC является лидером по распространению в Сети бесплатных стандартов и публикаций. В марте 1998 года Electronic Industries Alliance (EIA) создает JEDEC Solid State Technology Division, который в ноябре 1998 года преобразуется в ассоциацию JEDEC Solid State Technology Association.
Далее рассмотрим некоторые новые семейства цифровых интегральных схем, основываясь на стандартах JEDEC, и обратим внимание на некоторые особенности их применения.
Стандарт Interface Standard for Nominal 3 V/3,3 V Supply Digital Integrated Circuits (JESD8-B) определяет основные требования к интерфейсу с ИС с напряжением питания 3,3 В.
В соответствии с этим стандартом установлены следующие предельные значения электрических условий эксплуатации (Absolute maximum ratings), приведенный в табл. 1.
Параметр | Обозначение | Значение |
Напряжение питания (Supply Voltage) | VDD | -0,5V…4,6V |
Входное постоянное напряжение (DC input Voltage) | VI | -0,5V…VDD+0,5V (4,6V max) |
Выходное постоянное напряжение DCOutput Voltage | VO | -5,5V…VDD+0,5V (4,6V max) |
Входной ток (DC Input Current) | II при VI<0V или VI>VDD | ±20 мА |
Выходной ток (DC Output Current) | Io при VI<0V или Vo>VDD | ±20 мА |
Под предельно допустимыми значениями понимаются такие значения электрических величин (Absolute Maximum Ratings), превышение которых может привести к выходу устройства из строя. Следует однозначно понимать, что приведенные значения параметров являются именно предельно допустимыми в течение короткого промежутка времени, работа устройства при таких значениях параметров не является нормой и недопустима в режиме нормальной эксплуатации.
Следует помнить, что значения входных и выходных токов даны для единственного входа или выхода.
Иное дело — рекомендуемые условия эксплуатации (Recommended operating conditions). Эти значения параметров являются предпочтительными при штатной эксплуатации изделия и их не стоит нарушать без крайней необходимости. В табл. 2 приводятся рекомендуемые условия эксплуатации для 3,3-вольтовых логических ИС.
Диапазон напряжений питания | Нормальный диапазон, В | Расширенный диапазон, В |
Номинал | 3,3 | 3,0 |
Допустимые пределы изменения | 3,0…3,6 | 2,7…3,6 |
К 3,3-вольтовым схемам относится ряд семейств ИС, выполненных как по ТТЛ, так и по технологии КМОП. В связи с этим возникают вопросы, затрагивающие совместимость устройств по уровням, потребляемую мощность и т. п. Постараемся привести основные понятия по совместимости различных семейств ИС.
Входные параметры микросхем семейств LVTTL и LVCMOS приведены в табл. 3.
Обозначение | Параметр | Условия измерения | Минимальное значение, В | Максимальное значение, В |
VIH | Входное напряжение высокого уровня (High-Level Input Voltage) | VOUT>VOH или VOUT<VOL | 2 | VDD+0,3 |
VIL | Входное напряжение низкого уровня (Low-Level Input Voltage) | -0,3 | 0,8 B | |
IIN | Входной ток (Input Current) | VIN=0 B или VIN=VDD | ±5мкА |
В табл. 4 приведены основные выходные параметры микросхем LVTTL.
Обозначение | Параметр | Условия измерения | Минимальное значение, В | Максимальное значение, В |
VOH | Выходное напряжение высокого уровня (High-Level Output Voltage) | VDD= min, IOH=-2mA | 2,4 | |
VOL | Выходное напряжение низкого уровня (Low-Level Output Voltage) | VDD= min, IOL=-2mA | 0,4 |
Выходные параметры КМОП семейств LVCMOS приведены в табл. 5.
Обозначение | Параметр | Условия измерения | Минимальное значение, В | Максимальное значение, В |
VOH | Выходное напряжение высокого уровня (High-Level Output Voltage) | VDD= min, IOH=-100мкA | VDD-0,2 | |
VOL | Выходное напряжение низкого уровня (Low-Level Output Voltage) | VDD= min, IOL=-100мкmA | 0,2 |
Как известно, для увеличения быстродействия и степени интеграции постоянно снижаются проектные нормы, применяемые при изготовлении БИС. Если еще пару лет назад наиболее популярными и массовыми были микронные технологии 0,5 и 0,35, то сейчас актуальны 0,25 и менее. Ясно, что уменьшение геометрических размеров логических элементов приводит к уменьшению допустимого напряжения питания. Однако большинство существующих стандартных интерфейсов и протоколов обмена до сих пор оперируют старыми добрыми ТТЛ-уровнями.
Актуальным становится вопрос о сопряжении низковольтных и классических логических ИС. Частично он был рассмотрен в предыдущих занятиях [1]. Ниже мы продолжим разговор о сопряжении логических ИС разных семейств. В частности, определимся, что же означает совместимость ИС различных семейств.
Приведенные в табл. 4 параметры определяют совместимость ИС как совместимые с LVTTL (LVTTL-compatible). Как можно заметить, уровни их выходных напряжений низкого и высокого уровня совершенно однозначно определяются классическими пятивольтовыми схемами и могут быть использованы для подачи на вход пятивольтовых ТТЛ совместимых ИС. Однако при обратном переходе от 5-вольтовых систем к трехвольтовым следует помнить об опасности повреждения входных каскадов, не рассчитанных на напряжение питания 5 В. В этом случае полезны серии 74НС и 74АНС. Здесь следует четко помнить, что при совместной работе 5- и 3-вольтовых компонентов выходное напряжение V OH пятивольтовых ИС не должно превышать максимального входного напряжения трехвольтовых ИС V IH.
Говоря о совместимости с низковольтными КМОП ИС (LVCMOS compatibility), необходимо помнить, что в этом случае выходные параметры определены в табл. 5. При этом при переключении из одного логического уровня в другой выходной сигнал практически проходит весь диапазон питания, занимая одно из крайних значений (ноль или напряжение питания). Такое свойство в англоязычной литературе получило наименование rail to rail. Такое построение позволяет прийти к практически нулевому потреблению в статике (при отсутствии переключений).
Для того чтобы обеспечить совместимость с низковольтными КМОП-устройствами по входу, необходимо выполнение следующих условий.
- Минимальное значение входного напряжения высокого уровня V IH должно быть не менее 2 В, но не выше напряжения питания VDD. Для КМОП-устройств вообще принято, что уровень логической единицы — не менее 0,7 напряжения питания.
- Максимальное значение входного напряжения низкого уровня VIL равно 0,8 V.
Таким образом, когда разработчик в дейташите читает Components are «LVTTL-compatible» или «LVCMOS-compatible», это означает, что выходные характеристики такого прибора соответствуют приведенным в табл. 4 и 5 соответственно. Однако нельзя объять необъятное, поэтому производители часто указывают на отклонения от стандарта, как правило, в сторону превышения стандартных значений (exceed the requirements). К таким превышениям относятся повышенная нагрузочная способность, способность функционировать при высоком напряжении на входе и т. п.
Говоря о новых семействах логических ИС, нельзя не остановиться на вопросе новых интерфейсных серий и стандартов.
Так, в 1993 году был одобрен стандарт JESD8-4, определяющий параметры интерфейса CTT (Center Tap Terminated). Этот стандарт определяет спецификацию входных и выходных характеристик для интерфейсных ИС и представляет собой надмножество LVTTL и LVCMOS. Таким образом, приемники СТТ совместимы со стандартными 3-вольтовыми ИС. В табл. 6 приводятся основные параметры ССТ.
Обозначение | Параметр | Условия измерения | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Ед. изме-рения |
VTT/VREF | Напряжение нагрузки/опорное напряжение | 1,35 | 1,5 | 1,65 | В | |
VIN | Входное напряжение высокого уровня | VREF+0,2 | B | |||
VIL | Входное напряжение низкого уровня | VREF-0,2 | B | |||
VOH | Выходное напряжение высокого уровня | 50-омная нагрузка | VREF+0?4 | VREF+0?6 | B | |
VOL | Выходное напряжение низкого уровня | 50-омная нагрузка | VREF-0,6 | VREF-0,4 | B | |
IO | Выходной ток утечки | VSS<VIN<VDD Z-состояние | ±10 | мкА | ||
IL | Входной ток утечки | VSS<VIN<VDD | ±10 | мкА |
На рис. 2 приведена типичная схема использования СТТ-интерфейса.

На рис. 3 приведена схема реализации ССТ-интерфейса.

Совершенствование технологии приводит к уменьшению проектных норм, а следовательно, и рабочих напряжений ИС. Уже сейчас новые семейства ПЛИС, такие как Apex фирмы Altera и Virtex фирмы Xilinx [2, 3], работают от источников питания 2,5 В и 1,8 В. В этой связи становятся актуальными вопросы сопряжения с такими устройствами.
Стандарт JEDEC JESD8-5 определяет логические уровни и параметры ИС, работающих в диапазоне питания 2,5 В.
Предельно допустимые параметры, определяемые этим стандартом, приводятся в табл. 7.
Параметр | Обозначение | Значение |
Напряжение питания (Supply Voltage) | VDD | -0,5V…3,6V |
Входное постоянное напряжение (DC input Voltage) | VIN | -0,5V…3,6B |
Выходное постоянное напряжение DC Output Voltage | VOUT | -0,5V…VDD+0,5V |
Входной ток (DC Input Current) | II при VI<0V или VI>VDD | ±20 мА |
Выходной ток (DC Output Current) | Io при VI<0V или Vo>VDD | ±20 мА |
Параметры 2,5-вольтовых ИС приводятся в табл. 8.
Обозна-чение | Параметр | Условия измерения | Мин. значение | Макс. значение | Ед. изме-рения | |
VDD | Напряжение питания | 2,3 | 2,7 | В | ||
VIN | Входное напряжение высокого уровня | VOUT>VOH | 1,7 | VDD+0,3 | B | |
VIL | Входное напряжение низкого уровня | VOUT<VOL | -0,3B | B | ||
VOH | Выходное напряжение высокого уровня | VDD=MIN, VI=VIH или VIL | IOH=-100мкА | 1,7 | VDD+0,3 | B |
VOL | Выходное напряжение низкого уровня | VDD=MIN, VI=VIH или VIL | IOH=-100мкА | 0,3 В | В | |
II | Входной ток | VDD=MIN, VI=VIH или VIL | ±5 | мкА |
Последние разработки ИС выполняются по 0,18-микронной технологии, при использовании которой напряжение питания составляет всего лишь 1,8 В. Стандарт JESD8-7 определяет как предельно допустимые, так и рабочие параметры 1,8-вольтовых ИС.
В табл. 9 приведены предельно допустимые параметры для 1,8-вольтовых ИС.
Параметр | Обозначение | Значение |
Напряжение питания (Supply Voltage) | VDD | -0,5V…2,5V |
Входное постоянное напряжение (DC input Voltage) | VIN | -0,5V…VDD+0,5B |
Выходное постоянное напряжение DC Output Voltage | VOUT | -0,5V…VDD+0,5V |
Входной ток (DC Input Current) | II при VI<0V или VI>VDD | ±20 мА |
Выходной ток (DC Output Current) | Io при VI<0V или Vo>VDD | ±20 мА |
Рабочие характеристики 1,8-вольтовых ИС приведены в табл. 10.
Обозначение | Параметр | Условия измерения | Минимальное значение | Максимальное значение | Ед. изме-рения |
VDD | Напряжение питания | 1,2 | 1,95 | В | |
VIN | Входное напряжение высокого уровня | VOUT>VOH | 0,7VDD | VDD+0,3 | B |
VIL | Входное напряжение низкого уровня | VOUT<VOL | -0,3 | -0,3BVDD | B |
VOH | Выходное напряжение высокого уровня | IOH=-100мкА | VDD-0,2 | B | |
VOL | Выходное напряжение низкого уровня | IOH=-100мкА | 0,2 В | В |
Итак, мы рассмотрели стандартные параметры для современных серий цифровых ИС. На следующем занятии мы рассмотрим построение цифровых арифметических устройств, которые являются основой реализации алгоритмов ЦОС.
Литература
- Стешенко В. Б. Школа схемотехнического проектирования устройств обработки сигналов. // Компоненты и технологии, № 3–6, 2000.
- Стешенко В. Школа разработки аппаратуры цифровой обработки сигналов на ПЛИС // Chip News, 1999, № 8–10, 2000, № 1, 3–5.
- Стешенко В. ПЛИС фирмы ALTERA: проектирование устройств обработки сигналов. М.: Додека, 2000.
- Alicke F., Bartholdy F., Blozis S., Dehemelt F., Forstner P., Holland N., Huchzermier J. Comparing Bus Solutions, Application Report, Texas Instruments, SLLA067, March 2000.
- Стешенко В. ACCEL EDA: технология проектирования печатных плат. М.: Нолидж, 2000. 512 с., ил.
- Пухальский Г. И., Новосельцева Т. Я. Цифровые устройства: учебное пособие для втузов. СПб.: Политехника, 1996. 885 с., ил.