Широкополосный транзистор DC35GN-15-Q4 от Microsemi с рабочими частотами до 3,5 ГГц
Корпорация Microsemi представила выполненный по технологии GaN-on-SiC транзистор DC35GN-15-Q4, предназначенный для работы в импульсном и непрерывных режимах.
DC35GN-15-Q4 является 15-Вт/50-В транзистором с высокой подвижностью электронов, разработанным на основе технологии «нитрид галлия на карбиде кремния». Он предназначен для работы в широкополосных схемах класса AB с общим истоком, в импульсных и непрерывных силовых применениях. Выпускается с использованием металлизации в золотом корпусе формфактора QFN на медном основании с высокой удельной теплопроводностью и температурой хранения от –55 до +125 °С.
Основные особенности транзистора DC35GN-15-Q4:
- рабочий диапазон частот: от 0 до 3,5 ГГц;
- разработан для использования в импульсных радарах, авиационной радиоэлектронике, оборудовании ISM-диапазона и устройствах, работающих в непрерывном радиочастотном режиме;
- мощность 15 Вт, усиление мощности 18 дБ при 1,4 ГГц;
- бюджетный корпус формфактора QFN.