отправка...SEU
SEU (Single Event Upset) — обратимое изменение состояния регистра памяти ОЗУ или триггера, вызванное ионизирующим излучением.
Топологическая норма и радиационная стойкость
26 сентября, 2011
Введение Для начала необходимо сказать несколько слов о влиянии ионизирующего излучения на интегральные микросхемы. Отказы в работе микросхем могут вызывать кванты электромагнитного излучения, элементарные частицы и ионы с энергией более 10 кэВ, в космических лучах встречаются частицы с энергией более 3×1020 эВ [1]. Эффекты, вызываемые ионизирующим излучением в микросхемах, в подавляющем большинстве случаев сводятся либо […]Разработка VHDL-описаний цифровых устройств, проектируемых на основе ПЛИС фирмы Xilinx, с использованием шаблонов САПР ISE Design Suite. Часть 19
20 сентября, 2011
8k-bit Data and 1k-bit Parity Configurable Synchronous Block RAM (RAMB8BWER) является шаблоном параметризированного варианта описания 2-портового ОЗУ информационной емкостью 8192 бита, с программируемой организацией каждого порта, возможностью использования выходных регистров, контролем четности и поддержкой режима побайтной записи. Этот шаблон предназначен для реализации на основе модуля блочной памяти ПЛИС серии Spartan-6. Каждый модуль блочной памяти Block RAM кристаллов программируемой логики семейств Spartan-6 LX и Spartan-6 LXT можно […]Детерминированная задержка в преобразователях стандарта JESD204B: ответы на вопросы
29 сентября, 2020
Детерминированная задержка — довольно новая функция интерфейса преобразователей, поэтому у проектировщиков систем обычно возникает ряд вопросов о том, как определить ее, с какими сигналами требуется работать и как реализовать эту функцию для работы в синхронном режиме или режиме временного чередования. В статье даются ответы на некоторые часто задаваемые вопросы о проектировании систем с детерминированной задержкой на базе нескольких параллельно работающих преобразователей и ПЛИС, объединенных по шине JESD204B.