RF Microdevices расширяет линейку монолитных ГУНов

Компания RF Microdevices (RFMD), широко известная как разработчик и производитель высокочастотных полупроводниковых компонентов, объявила о расширении линейки генераторов ВЧ-сигнала, управляемых напряжением, выполненных по монолитной интегральной технологии GaAs InGaP HBT.

RFMD уже имеет в своей линейке серию гибридных ГУНов и синтезаторов с чрезвычайно низкими фазовыми шумами, доставшуюся по наследству от компании UMC после ее приобретения.

RF Microdevices расширяет линейку монолитных ГУНов

Новые микросхемы продолжают линию, начатую ранее моделью RFVC1800, но уже в принципиально новом для производителя направлении MMIC VCOs. Все микросхемы выполнены в недорогих низкопаразитных корпусах QFN 4×4 мм.

Основные характеристики:

Позиция Частотный
диапазон,
ГГц
Уровень выходной
мощности, дБм
Напряжение
питания, В
Подавление второй
гармоники, дБ
Подавление третьей
гармоники, дБ
RFVC1821 4,45–5,0 3,5 3 –7 –22
RFVC1822 5,0–5,5 3 3 –10 –39
RFVC1823 6,1–6,75 2 3 –7 –35
RFVC1824 7,2–8,0 5 3 –21 –33
RFVC1825 7,8–8,7 5 3 –25 –35
RFVC1829 6,8–7,4 7 3 –22 –27

Основные области применения:

  • радары широкого спектра применения;
  • метрология;
  • широкополосные системы связи «точка-точка»;
  • тестовое оборудование.

В ближайшее время RFMD планирует расширять данную линейку за счет покрытия новых диапазонов частот и одновременно повышать степень интеграции уже существующих в серии микросхем путем добавления на кристалл дополнительных усилителей.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *