Радиационно-стойкие полевые транзисторы для космических и авиационных приложений
Компания Infineon Technologies представляет первые радиационно-стойкие ключевые транзисторы, разработанные специально для космических и авиационных приложений. Новые RH (Radiation Hardened) PowerMOS транзисторы семейства BUY25CSXX обладают лучшими в своем классе характеристиками для разработки высокоэффективных систем питания космических аппаратов.
Технология RH PowerMOS обеспечивает стойкость к накопленной дозе радиации (TID) и однократному облучению (SEE), соответствующую требованиям Европейского Космического Агентства (ESA). Все устройства полностью соответствуют стандарту ESCC5000. Infineon — единственный производитель транзисторов RH PowerMOS с рабочим напряжением 250 В, которые отвечают всем требованиям ESA.
Особенности:
- Лучшее в своем классе сопротивление во включенном состоянии Rds(on) (20 мОм при рабочем напряжении 250 В в корпусе SMD2).
- Накопленная доза радиации (TID) 100 крад (по запросу возможно до 300 крад).
- Стойкость к однократному излучению (SEE) — больше LET55 MэВ•см2/мг.
Семейство BUY25CSXX представлено двумя транзисторами с рабочим напряжением 250 В (рабочие токи 54 и 12,4 А) и одним с рабочим напряжением 100 В (12,4 А). Устройства с рабочими токами доступны в корпусе SMD05, с током 54 А — в корпусе SMD2. Доступны для заказа как инженерные образцы, так и серийные транзисторы.