Снижение влияния радиации на ПЛИС, выполненные по технологии статического ОЗУ

На протяжении многих лет эффекты, связанные с воздействием радиационного излучения, доставляли много проблем разработчикам электронных систем. К сожалению, это влияние становится все более критическим, поскольку в процессах изготовления интегральных схем используются все меньшие технологические нормы. Проблема особенно остро стоит в случае ПЛИС, которые содержат в числе прочего конфигурационную память на основе статического ОЗУ (SRAM).