Исследование процессов запирания комбинированных транзисторов

№ 8’2004
PDF версия
В первом номере «Силовой электроники» была опубликована статья «Сравнительные экспериментальные исследования модулей IGBT и модулей на основе комбинированных СИТ-МОП-транзисторов». В настоящей статье представлены дальнейшие исследования комбинированных транзисторов в широком диапазоне выходных параметров, в том числе заключительный интервал выключения — стадия протекания остаточного, или «хвостового» тока. Информация о характере и параметрах данного процесса, как правило, не указывается в справочных данных.

Статьи данных номеров доступны только в pdf-формате. Вы можете заказать старые номера журнала «Компоненты и технологии» в редакции. Извините за доставленные неудобства.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *