Отечественные ВЧ- и СВЧ-резисторы, поглотители и терминаторы. Состояние и перспективы производства

№ 1’2009
PDF версия
Развитие СВЧ-электроники в последнее десятилетие приобрело колоссальный размах. Это, в первую очередь, появление радиотелекомуникационных средств связи и навигации гражданского применения, например хорошо всем известные системы GSM, GPRS, GPS, ГЛОНАСС и другие. Системы цифровой обработки и передачи информации также уже работают на сверхвысоких частотах, современные процессоры — в СВЧ-диапазоне. Быстрыми темпами идет развитие радиолокации всех видов базирования. Автомобильная промышленность внедряет системы активной безопасности на базе СВЧ&радиолокации. Параллельно развивается измерительная техника СВЧ. Все перечисленные направления являются сферой применения ВЧ- и СВЧ-резисторов, терминаторов (согласующие нагрузки) и поглотителей (аттенюаторы). В статье рассмотрены виды выпускаемых ВЧ и СВЧ пассивных электронных компонентов в России, а также освещены проблемы и перспективы развития их производства.

Российский рынок ВЧ- и СВЧ-резисторов, поглотителей и терминаторов

В настоящее время в России основными поставщиками ВЧ- и СВЧ-резисторов, терминаторов и поглотителей являются ОАО «КБ «ИКАР»» и ОАО «НПО «ЭРКОН»».

В зависимости от видов радиоэлектронных устройств ВЧ- и СВЧ-резисторы выполняют функцию оконечных и балластных нагрузок, используются в сумматорах и аттенюаторах. Их конструкция, как правило, непосредственно связана с типом линии передачи. Для коаксиальных линий предназначены цилиндрические резисторы, для полосковых — полосковые (планарные).

Для коаксиальных линий разработан ряд резисторов широкого диапазона частот и мощностей. В таблице 1 приведены основные параметры резисторов для коаксиальных линий.

Таблица 1. Основные параметры резисторов для коаксиальных линий
Тип
резистора
Мощность рассеяния, Вт Номинальное
сопротивление, Ом
Диапазон
рабочих частот, ГГц
КСВН,
не более
С2-10 (а, б) 0,5; 1,0; 2,0 50, 75, 100, 270 0–1,0 –
С6-2 0,125; 0,25; 0,5 10, 20, 30, 40, 50, 75 0–7,0 –
С6-3 1,0 50 0–18,0 1,5*
С6-7 0,25; 0,5 25, 36, 50 0–18,0 1,25*
С6-6-II* 0,5; 1,0; 2,0; 5,0 50, 75 0–20,0 2,5*
Р1-6* 0,25 50 0–40,0 2,0*
Р1-69 (МОУ) 5; 10; 25; 50; 100; 200 10–150 0–3,0 –
ПРТ1* 160; 250; 500 50 0–1,0
(6,0–18,0)
1,3 (1,4)*
Р1-53 500, 1000 160 0,0015–0,06 –
СОВ 1000; 1500; 3000; 7500; 8000 24–150 50–250 –
ПВС 3000; 8000 50, 75 0,0005–1,0 –
УВ 5000; (20 000; 50 000) 47–300 0,005–1,0
(0,005–0,25)
–
ППВН 250 000 22–120 0–0,002 –
ПРЖ 10 000; 50 000;
(150 000; 300 000)
50 0–0,75
(0–0,25)
1,2*
* Значения КСВН в конкретном диапазоне частот уточняются в ТУ и при поставке

Условно эти изделия можно разделить на три группы:

  1. маломощные резисторы (С2-10 (а, б), С6-2, С6-3, С6-7, С6-6-II, Р1-6);
  2. СВЧ-резисторы средней и большой мощности:
    1. с естественным воздушным охлаждением (Р1-69, ПРТ1, Р1-53);
    2. с принудительным воздушным охлаждением (СОВ, ПВС);
  3. мощные водоохлаждаемые резисторы и поглотители (УВ, ППВН, ПРЖ).

Увеличение мощности и рабочих частот трактов, а также уменьшение размеров пассивных ВЧ/СВЧ компонентов налагают свои ограничения на конструкцию и технологию их изготовления. Как правило, в современных СВЧ-цепях используются чип-резисторы и терминаторы, выполненные по толстоили тонкопленочной технологии.

Первые полосковые СВЧ-резисторы С6-4, С6-9 и Р1-8 были разработаны в 1970-х годах. Конструкция резистора представляла собой плоскую прямоугольную керамическую подложку с нанесенными на одну сторону резистивным слоем и контактными площадками. Резистивный слой наносился по тонкопленочной технологии. В качестве материалов резистивного слоя использовалась разработанная в то же время серия резистивных сплавов на основе силицидов хрома (РС3710, 5402 и т. п.). Данные материалы обеспечивают приемлемые значения стабильности резистора под электрической нагрузкой и ТКС в пределах +150 ppm/град. Контактные площадки были либо только со стороны резистивного слоя (Р1-1, Р1-47), либо с заходом на торцы резистора (С6-9), либо с заходом на торцы и обратную сторону подложки (Р1-8). Появление мощных полосковых СВЧ-транзисторов дало толчок к проектированию мощных СВЧ-усилителей, построенных по этому принципу. Одновременно появились полосковые СВЧ-резисторы на соответствующие мощности. Это серия резисторов С6-6-I, Р1-2, Р1-3, Р1-5, Р1-9, Р1-17. Основные параметры полосковых СВЧ-резисторов приведены в таблице 2.

Таблица 2. Основные параметры полосковых СВЧ-резисторов
Тип
резистора
Мощность
рассеяния, Вт
Номинальное
сопротивление, Ом
Диапазон
рабочих частот, ГГц
КСВН,
не более
С6-9 0,125 10–1000 0–18,0 –
Р1-1 3 50, 100 0–4,0 –
Р1-8 0,125; 0,25 5,11–6,81×105 0–2,0 –
Р1-47 0,5 50, 100 0–4,0 –
С6-6-I 0,5; 1,0; 5; 10 50, 75 0–7,0 * 1,35*
Р1-2 5 50, 100 0–4,0 1,3
Р1-3 10, 25, (50) 5,11–311 0–1,5 (0–0,2)* 1,5*
Р1-5 0,5; 3 5,11–311 0–3,0* 1,5*
Р1-9 40; (50) 50, 75, 100 0–4,0 (0–2,0) 1,25
Р1-17 100; 150; 250; 400 12,5; 25; 50; 75; 100; 150 0–2,0* 1,25*
* Значения КСВН в конкретном диапазоне частот уточняются в ТУ и при поставке

Полосковые резисторы устанавливаются либо на плоский теплоотвод с помощью пайки (С6-6-I, Р1-17-1), либо на промежуточный элемент крепления — винт (Р1-3, Р1-5) или фланец (Р1-2, Р1-9, Р1-17).

Отдельную группу резистивных СВЧ-поглотителей представляют планарные аттенюаторы и делители мощности. Данный вид изделий может быть использован в качестве навесных элементов гибридных интегральных схем или в качестве поглощающего элемента коаксиального СВЧ-аттенюатора. Основные характеристики приведены в таблице 3.

Таблица 3. Основные характеристики
резистивных СВЧ-поглотителей
Тип Номинальная
мощность,
Вт
Величина
ослабления,
Дб
Диапазон
рабочих
частот, ГГц
КСВН,
не более
ПР1-1 0,5 0,5–32 0–1,2
1,2–18,0
1,15*
1,5*
ПР1-11 0,25   0–2
2–10
1,2*
1,8*
ПР1-И3 1,0 1–50 0–18,0
18,0–26,0
1,6*
2,0*
С6-8 1,0 1–60 0–18,0 1,6*
П2-4 1,0 1–80 0–12,4 1,6*
* Значения КСВН в конкретном диапазоне частот
уточняются в ТУ и при поставке

Направления и особенности проектирования пассивных ВЧ- и СВЧ-компонентов

Проектирование ВЧ/СВЧ пассивных компонентов с высокими частотно-мощностными характеристиками связано с выбором материалов, технологии нанесения пленочных проводящих и резистивных слоев, схемноконструктивными вопросами обеспечения равномерности тепловыделения, оптимизации геометрии резистивной пленки и контактов, расчетом топологии цепей коррекции паразитных параметров.

В настоящее время достигнуты большие успехи в области высокотеплопроводящих материалов (окмал, теплонит, нитрид бора с коэффициентами теплопроводности λ порядка 400–600 Вт/(м⋅К). Технологически освоен процесс нанесения на керамические подложки алмазных пленок с λ≈ 1000 Вт/(м⋅К), позволяющий в пять–восемь раз повысить удельную импульсную рассеиваемую резистором мощность. Другой способ — увеличение массы резистивного слоя за счет перехода к толстопленочной технологии, но толстые пленки отличаются большей структурной неоднородностью. Третий способ — улучшение теплоотвода со стороны резистивной пленки.

Мощные резисторы охлаждаются за счет отвода тепла через подложку на теплоотвод [1]. Доля мощности, отводимой непосредственно от тепловыделяющей пленки за счет конвекции и излучения, может составлять менее 1%. Мощность, отдаваемую резистором на теплоотвод через подложку, можно определить по формуле:

P = D × λ × Δ T,

где λ — коэффициент теплопроводности материала подложки при рабочей температуре подложки, Вт/м⋅град; Δ T — допустимая разность температур резистивной пленки и теплоотвода с фланцем, град; D — конструктивный коэффициент изделия по отношению к мощности, зависящий от размеров и формы изделия.

Емкость между резистивным слоем и нижней металлизированной поверхностью резистора (терминатора) приблизительно будет

C = ε × ε0× Dc,

где ε — относительная диэлектрическая проницаемость материала подложки; ε0— абсолютная диэлектрическая проницаемость вакуума, Ф/м; Dc— конструктивный коэффициент для емкости, зависящий от площади резистивного слоя, толщины подложки, конструкции резистора, м.

Введем показатель K — коэффициент частотно-мощностного поглощения резисторов, терминаторов или поглотителей (иначе коэффициент качества поглощения с точки зрения достижения частотно-мощностных характеристик), K = F × P.

Связь между мощностью, частотой и номинальным сопротивлением терминатора определяется соотношением:

K = [ DF/( λ0× Dc)]×[( λ × Δ T )/ ε ]/ R, (1)

где DF— коэффициент, зависящий от конструкции.

Можно представить (1) в виде:

DK= DF/( ε0× Dc),

где DK— общий конструктивный коэффициент; DM— коэффициент, зависящий от материала подложки DM= λΔ T / ε ; R — сопротивление поглотителя.

Таким образом

K = DK× DM/ R. (2)

Следовательно, для поглощающих мощность изделий подобного класса качество поглощения ( P × F ) = (качество конструкции × × качество материала)/ R.

Из (2) следует несколько выводов:

  • Качество материала подложки с точки зрения достижимых характеристик резистора зависит от соотношения коэффициентов теплопроводности и диэлектрической проницаемости ее материала. (Например, нитрид алюминия имеет показатель λ / ε в 7 раз более высокий по сравнению с поликором).
  • Максимально допустимая разность температур пленки и теплоотвода (или максимальная температура пленки при фиксированной температуре теплоотвода, определяющая термостойкость пленки) пропорционально влияет на К резистора. Допустимая температура зависит от материала резистивной пленки и технологии изготовления резистора. Более высокая температура приводит к температурной нестабильности и более быстрому старению пленки, однако облегчает реализацию теплоотвода.
  • Номинальное сопротивление резистора R связано с его показателем K обратной зависимостью. Например, от резистора с сопротивлением 100 Ом следует ожидать вдвое меньшей мощности или диапазона рабочих частот, чем от резистора 50 Ом. Зависимость нарушается при низких значениях номинала ( R << 50 Ом), когда основное влияние на частотный диапазон будет оказывать индуктивность.

Условно можно разделить поглощающие изделия на несколько групп в зависимости от способов и уровня их согласования с подводящим волновым трактом.

Группа 1. Изделия с широкой (по сравнению с шириной согласованного полоска) пленкой, не согласованные по волновому сопротивлению с подводящим полосковым трактом

Эти изделия могут монтироваться в торец линии, методом перевернутого кристалла и др. Уровень рассогласования и КСВН зависит от конструкции собственно терминатора и способа монтажа. Наиболее распространенная конструкция. Достижимая величина для подложек на нитриде алюминия примерно K ≤ 70 Вт⋅ГГц (рис. 1а).

Рис. 1. Поглощающие изделия: а) группы 1;  б) группы 2; в) группы 3; г) группы 4; д) группы 5
Рис. 1. Поглощающие изделия: а) группы 1;
б) группы 2; в) группы 3; г) группы 4; д) группы 5
Группа 2. Изделия на подложке оптимальных размеров при согласовании выводом

Размеры подложки выбираются из условия частичного согласования с волновым трактом. Частично «подсогласуются» за счет полоскового вывода и подбора зазоров между подложкой и терминатором. Ширина резистивной пленки на выбранной подложке должна быть примерно такой, чтобы полосок указанной ширины имел волновое сопротивление 30–40 Ом [6]. Достижимая величина примерно K ≤ 140 Вт⋅ГГц (рис. 1б).

Группа 3. Изделия однозвенные, согласованные выделенными элементами

Фундаментальная оценка сверху для качества согласования любой комплексной нагрузки была получена Фано [2] на основании работ Боде [3]:

| Г |max≥ exp(– π / QН),

где QН= ( Δ f / f0) — полосовая добротность нагрузки; Δ f = ( fв– fн) — полоса согласования; f0= √ fн× fв— средняя частота полосы согласования; fн, fв— нижняя и верхняя частоты полосы согласования. На практике такая оценка малопригодна, поскольку она не дает ответа на вопрос о качестве согласования при конечном (в нашем случае — небольшом) числе элементов цепи. Дополнительные согласующие элементы (обычно в виде прямого или изогнутого тонкого полоска) используются в ряде серийно выпускаемых конструкций терминаторов. Практически достижимая величина для нитрида алюминия K ≤ 250–450 Вт⋅ГГц (рис. 1в).

Группа 4. Изделия двух- и многозвенные с элементами согласования

Содержат несколько звеньев с резистивными пленками и индуктивно-емкостными элементами. Ограничения Фано – Юлы для многозвенных цепей смягчаются, поскольку относятся к каждому звену отдельно, полосовая добротность которого становится меньше добротности однозвенной конструкции. Практически достижимая величина для двухзвенной конструкции на подложке из нитрида алюминия K ≤ 500–600 Вт⋅ГГц (рис. 1г).

Группа 5. Поглощающие изделия с объемной подложкой или неоднородной пленкой, согласованные с волновым процессом

Теоретически не имеют ограничений на рассеиваемую мощность и диапазон частот. Требуют иcпользования нескольких пленок (минимум двух), или непрямоугольной формы подложки (сужающейся), или расширяющейся по определенному закону формы пленки, или использования пленок с неодинаковым по поверхности сопротивлением. Разнообразие конструкций велико. Величина K определяется конструкцией и ограничивается ее габаритами и погрешностью реализации конструктивных параметров. Ее можно оценить как K ∼ 2000–5000 Вт⋅ГГц и более для не слишком сложных конструкций (рис. 1д).

Цепи согласования позволяют расширить частотный диапазон резисторов в 2–3 раза и больше. Повышение порядка согласующей цепи требует чрезвычайно точной реализации номиналов согласующих элементов.

Ограничения согласующих цепей:

  • допустимые погрешности реализации, которых требуют согласующие цепи, — 2–5% при однозвенной цепи, 0,5–1% при двухзвенной и сотые доли процента при многозвенной;
  • разброс диэлектрической проницаемости материала подложки может достигать для разных партий нескольких процентов;
  • требуемый допуск воспроизведения геометрических размеров согласующих элементов составляет 0,5–5 мкм и менее;
  • разброс сопротивления резистивной пленки (до 10–15% от номинала) регулируется путем подгонки, которая изменяет геометрические размеры резистивного слоя, согласующие же элементы в цепочках высокого порядка рассчитаны на номинальные размеры резистивного слоя с высокой точностью; подгонка приводит к частичному рассогласованию конструкции;
  • согласующие элементы занимают заметную часть подложки (при минимальной ширине полосков 0,1–0,2 мм — до половины подложки), что снижает удельную рассеиваемую мощность.

Толщина подложки:

  • оптимальная толщина подложки зависит от рассеиваемой мощности и диапазона частот;
  • для мощностей 200–500 Вт при использовании нитрида алюминия она составляет 1,5–2 мм (при выполнении согласования), для мощностей в десятки ватт — 0,5–1 мм.

Неудачная толщина подложки требует повышенных издержек на реализацию согласующих цепей или использования меньшей части подложки для нанесения резистивной пленки, что снижает коэффициент К (снижение достигает 15–25% от возможного уровня К при данном типе конструкций).

Многозвенная конструкция включает несколько резистивных пленок на одной подложке, связанных через согласующие элементы. Такая конструкция лучше однозвенной.

Использование нескольких резистивных слоев позволяет:

  • уменьшить номиналы согласующих элементов;
  • упростить конструктивную реализацию согласующих элементов (например, толщина индуктивностей может составлять 200 мкм вместо 5 мкм);
  • расширить (при двух резистивных пленках с одним значением сопротивления) частотный диапазон примерно в 2 раза по сравнению с согласованными элементами с одной пленкой и в 6–8 раз по сравнению с несогласованными элементами;
  • повысить удельную мощность рассеивания за счет лучшего использования поверхности подложки, даже при пленках с одинаковым номиналом поверхностного сопротивления. Удельная мощность может быть повышена еще на 20% при реализации резистивных пленок с разными номиналами сопротивлений.

При уменьшении всех конструктивных размеров резистора или терминатора (как и любых полосковых изделий) в два раза, ровно в два раза возрастает его максимальная рабочая частота и так же уменьшается допустимая рассеиваемая мощность (конвекция и излучение малы и не учитываются). При этом толщина подложки и размеры всех согласующих элементов должны быть уменьшены тоже в два раза. Поверхностное сопротивление пленки остается прежним.

Пропорциональное изменение размеров в N раз может быть успешно применено в ограниченном диапазоне коэффициента пропорциональности, например, резистор на подложке толщиной 1,5 мм с максимальной рабочей частотой 1 ГГц может быть пересчитан для подложки 1 мм с максимальной частотой 1,5 ГГц и для подложки 0,5 мм — с частотой 3 ГГц.

При увеличении размеров резистора относительно прототипа происходит возрастание объема изделия в N3раз (в то время как мощность растет только в N раз) и увеличение толщины подложки. Требования к точности изготовления резистора снижаются.

При уменьшении размеров резистора относительно прототипа происходит уменьшение толщины подложки до слишком малых величин, уменьшение размеров согласующих элементов, контактов и выводов в N раз с соответствующим сокращением допусков на их изготовление. Толщина пленки при этом не меняется для сохранения поверхностного сопротивления, что слегка нарушает пропорциональность конструкции. При изменении толщины подложки и ширины выводов в широких пределах может быть нарушено согласование с подводящим волновым трактом.

Рис. 2. Частотно-мощностные параметры терминаторов
Рис. 2. Частотно-мощностные параметры терминаторов

На рис. 2 приведены частотно-мощностные параметры спроектированных и проверенных путем трехмерного электродинамического моделирования терминаторов. Видно, что достаточно хорошо выполняется соотношение:

P × F = const.

Константа зависит от числа звеньев (однозвенная или двухзвенная схема), в некоторой степени от толщины подложки, минимально допустимой ширины проводника и других конструктивных факторов.

Увеличение показателя К до величин, более высоких, чем полученная величина 500–600 Вт⋅ГГц, при использовании подложек нитрида алюминия с коэффициентом теплопроводности около 150 Вт/м⋅град сопряжено со следующими проблемами:

  • конструкции резисторов требуют реализации входящих в них элементов с погрешностью не более 1–5 мкм (в первую очередь, это зазоры, выполняющие функцию емкости, согласующие индуктивности и др.);
  • требуется высокоэффективный теплоотвод, который не должен приводить к заметному увеличению теплового сопротивления резистора при эквивалентной толщине медного фланца 0,75–1 мм (возможно, теплоотвод с жидкостным охлаждением для резисторов мощностью более сотен ватт).

Учитывая современные тенденции развития СВЧ-радиоэлектроники, можно выделить основные направления развития СВЧ-резисторостроения.

  1. Резкое расширение номенклатуры СВЧ-резисторов. Сейчас мы предлагаем не более 5–10% от номенклатурного ряда мирового рынка. Это касается в первую очередь полосковых СВЧ-резисторов и аттенюаторов.
  2. Микроминиатюризация СВЧ-резисторов за счет применения сверхвысокотеплопроводных материалов. Проведенные исследования показали, что, например, резистор мощностью 150 Вт, изготовленный на алмазной подложке, в 2 раза меньше по размерам и работает на частоте 6 ГГц против 2 ГГц резистора на нитриде алюминия.
  3. Создание интегрированных СВЧ-структур. Это R, L, C наборы и функциональные схемы, сформированные на одном чипе. Одним из массовых применений являются схемы развязки СВЧ-шин передачи цифровой информации. Построение таких устройств на дискретных чип-резисторах, конденсаторах и индуктивностях уже практически невозможно.
  4. Детальное и точное исследование СВЧ-характеристик уже выпускаемых и вновь разрабатываемых резисторов, поглотителей и терминаторов.

Литература

  1. Садков В. Д., Моругин С. Л., Славинский О. К., Перепонов А. Д. Математическая модель ЧИПрезистора в микрополосковом тракте. Конструирование и исследование радиоэлементов и узлов на основе машинного проектирования. М.: Радиотехнический институт АН СССР, 1987.
  2. Боде Г. Теория цепей и проектирование усилителей с обратной связью. М.: ГИИЛ, 1948.
  3. Фано Р. Теоретические ограничения полосы согласования произвольных импедансов / Пер. с англ.; под ред. Г. И. Слободенюка. М.: Советское радио, 1965.
  4. Кудрявцев А. М., Никулин С. М. Интеллектуальные информационно-измерительные системы ВЧ- и СВЧ-диапазона. Н. Новгород: НГТУ, 2006.
  5. Ульриксон Б. Преобразование данных из частотной области во временную // ТИИЭР. 1986. Т. 74. № 1.
  6. Беднов А. В., Кудрявцев А. М., Никулин С. М. Цифровая обработка результатов СВЧ-измерений методом «спектрального окна» // Датчики и системы. 2004. № 6.
  7. Вайткус Р. Л. Широкополосный метод вынесения с использованием короткозамкнутой цепи, разомкнутой цепи и промежуточной линии // ТИИЭР. 1986. Т. 74. № 1.
xosotin chelseathông tin chuyển nhượngcâu lạc bộ bóng đá arsenalbóng đá atalantabundesligacầu thủ haalandUEFAevertonxosofutebol ao vivofutemaxmulticanaisonbetbóng đá world cupbóng đá inter milantin juventusbenzemala ligaclb leicester cityMUman citymessi lionelsalahnapolineymarpsgronaldoserie atottenhamvalenciaAS ROMALeverkusenac milanmbappenapolinewcastleaston villaliverpoolfa cupreal madridpremier leagueAjaxbao bong da247EPLbarcelonabournemouthaff cupasean footballbên lề sân cỏbáo bóng đá mớibóng đá cúp thế giớitin bóng đá ViệtUEFAbáo bóng đá việt namHuyền thoại bóng đágiải ngoại hạng anhSeagametap chi bong da the gioitin bong da lutrận đấu hôm nayviệt nam bóng đátin nong bong daBóng đá nữthể thao 7m24h bóng đábóng đá hôm naythe thao ngoai hang anhtin nhanh bóng đáphòng thay đồ bóng đábóng đá phủikèo nhà cái onbetbóng đá lu 2thông tin phòng thay đồthe thao vuaapp đánh lô đềdudoanxosoxổ số giải đặc biệthôm nay xổ sốkèo đẹp hôm nayketquaxosokq xskqxsmnsoi cầu ba miềnsoi cau thong kesxkt hôm naythế giới xổ sốxổ số 24hxo.soxoso3mienxo so ba mienxoso dac bietxosodientoanxổ số dự đoánvé số chiều xổxoso ket quaxosokienthietxoso kq hôm nayxoso ktxổ số megaxổ số mới nhất hôm nayxoso truc tiepxoso ViệtSX3MIENxs dự đoánxs mien bac hom nayxs miên namxsmientrungxsmn thu 7con số may mắn hôm nayKQXS 3 miền Bắc Trung Nam Nhanhdự đoán xổ số 3 miềndò vé sốdu doan xo so hom nayket qua xo xoket qua xo so.vntrúng thưởng xo sokq xoso trực tiếpket qua xskqxs 247số miền nams0x0 mienbacxosobamien hôm naysố đẹp hôm naysố đẹp trực tuyếnnuôi số đẹpxo so hom quaxoso ketquaxstruc tiep hom nayxổ số kiến thiết trực tiếpxổ số kq hôm nayso xo kq trực tuyenkết quả xổ số miền bắc trực tiếpxo so miền namxổ số miền nam trực tiếptrực tiếp xổ số hôm nayket wa xsKQ XOSOxoso onlinexo so truc tiep hom nayxsttso mien bac trong ngàyKQXS3Msố so mien bacdu doan xo so onlinedu doan cau loxổ số kenokqxs vnKQXOSOKQXS hôm naytrực tiếp kết quả xổ số ba miềncap lo dep nhat hom naysoi cầu chuẩn hôm nayso ket qua xo soXem kết quả xổ số nhanh nhấtSX3MIENXSMB chủ nhậtKQXSMNkết quả mở giải trực tuyếnGiờ vàng chốt số OnlineĐánh Đề Con Gìdò số miền namdò vé số hôm nayso mo so debach thủ lô đẹp nhất hôm naycầu đề hôm naykết quả xổ số kiến thiết toàn quốccau dep 88xsmb rong bach kimket qua xs 2023dự đoán xổ số hàng ngàyBạch thủ đề miền BắcSoi Cầu MB thần tàisoi cau vip 247soi cầu tốtsoi cầu miễn phísoi cau mb vipxsmb hom nayxs vietlottxsmn hôm naycầu lô đẹpthống kê lô kép xổ số miền Bắcquay thử xsmnxổ số thần tàiQuay thử XSMTxổ số chiều nayxo so mien nam hom nayweb đánh lô đề trực tuyến uy tínKQXS hôm nayxsmb ngày hôm nayXSMT chủ nhậtxổ số Power 6/55KQXS A trúng roycao thủ chốt sốbảng xổ số đặc biệtsoi cầu 247 vipsoi cầu wap 666Soi cầu miễn phí 888 VIPSoi Cau Chuan MBđộc thủ desố miền bắcthần tài cho sốKết quả xổ số thần tàiXem trực tiếp xổ sốXIN SỐ THẦN TÀI THỔ ĐỊACầu lô số đẹplô đẹp vip 24hsoi cầu miễn phí 888xổ số kiến thiết chiều nayXSMN thứ 7 hàng tuầnKết quả Xổ số Hồ Chí Minhnhà cái xổ số Việt NamXổ Số Đại PhátXổ số mới nhất Hôm Nayso xo mb hom nayxxmb88quay thu mbXo so Minh ChinhXS Minh Ngọc trực tiếp hôm nayXSMN 88XSTDxs than taixổ số UY TIN NHẤTxs vietlott 88SOI CẦU SIÊU CHUẨNSoiCauVietlô đẹp hôm nay vipket qua so xo hom naykqxsmb 30 ngàydự đoán xổ số 3 miềnSoi cầu 3 càng chuẩn xácbạch thủ lônuoi lo chuanbắt lô chuẩn theo ngàykq xo-solô 3 càngnuôi lô đề siêu vipcầu Lô Xiên XSMBđề về bao nhiêuSoi cầu x3xổ số kiến thiết ngày hôm nayquay thử xsmttruc tiep kết quả sxmntrực tiếp miền bắckết quả xổ số chấm vnbảng xs đặc biệt năm 2023soi cau xsmbxổ số hà nội hôm naysxmtxsmt hôm nayxs truc tiep mbketqua xo so onlinekqxs onlinexo số hôm nayXS3MTin xs hôm nayxsmn thu2XSMN hom nayxổ số miền bắc trực tiếp hôm naySO XOxsmbsxmn hôm nay188betlink188 xo sosoi cầu vip 88lô tô việtsoi lô việtXS247xs ba miềnchốt lô đẹp nhất hôm naychốt số xsmbCHƠI LÔ TÔsoi cau mn hom naychốt lô chuẩndu doan sxmtdự đoán xổ số onlinerồng bạch kim chốt 3 càng miễn phí hôm naythống kê lô gan miền bắcdàn đề lôCầu Kèo Đặc Biệtchốt cầu may mắnkết quả xổ số miền bắc hômSoi cầu vàng 777thẻ bài onlinedu doan mn 888soi cầu miền nam vipsoi cầu mt vipdàn de hôm nay7 cao thủ chốt sốsoi cau mien phi 7777 cao thủ chốt số nức tiếng3 càng miền bắcrồng bạch kim 777dàn de bất bạion newsddxsmn188betw88w88789bettf88sin88suvipsunwintf88five8812betsv88vn88Top 10 nhà cái uy tínsky88iwinlucky88nhacaisin88oxbetm88vn88w88789betiwinf8betrio66rio66lucky88oxbetvn88188bet789betMay-88five88one88sin88bk88xbetoxbetMU88188BETSV88RIO66ONBET88188betM88M88SV88Jun-68Jun-88one88iwinv9betw388OXBETw388w388onbetonbetonbetonbet88onbet88onbet88onbet88onbetonbetonbetonbetqh88mu88Nhà cái uy tínpog79vp777vp777vipbetvipbetuk88uk88typhu88typhu88tk88tk88sm66sm66me88me888live8live8livesm66me88win798livesm66me88win79pog79pog79vp777vp777uk88uk88tk88tk88luck8luck8kingbet86kingbet86k188k188hr99hr99123b8xbetvnvipbetsv66zbettaisunwin-vntyphu88vn138vwinvwinvi68ee881xbetrio66zbetvn138i9betvipfi88clubcf68onbet88ee88typhu88onbetonbetkhuyenmai12bet-moblie12betmoblietaimienphi247vi68clupcf68clupvipbeti9betqh88onb123onbefsoi cầunổ hũbắn cáđá gàđá gàgame bàicasinosoi cầuxóc đĩagame bàigiải mã giấc mơbầu cuaslot gamecasinonổ hủdàn đềBắn cácasinodàn đềnổ hũtài xỉuslot gamecasinobắn cáđá gàgame bàithể thaogame bàisoi cầukqsssoi cầucờ tướngbắn cágame bàixóc đĩaAG百家乐AG百家乐AG真人AG真人爱游戏华体会华体会im体育kok体育开云体育开云体育开云体育乐鱼体育乐鱼体育欧宝体育ob体育亚博体育亚博体育亚博体育亚博体育亚博体育亚博体育开云体育开云体育棋牌棋牌沙巴体育买球平台新葡京娱乐开云体育mu88qh88

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *