ОАО Концерн РТИ-Системы и ОКБ-Планета

ОАО «ОКБ-Планета» осуществляет научно-исследовательские, опытноконструкторские, инжиниринговые разработки и производство:

Изделия электронной техники (полупроводниковые приборы)

1. Кремниевые переключающие диоды:

– максимальный допустимый прямой ток 100–300 мА;

– максимально допустимое обратное напряжение 40–600 В.

2. Кремниевые СВЧ p-i-n-диоды:

– прямое сопротивление потерь на частоте 1 ГГц не более 1,8 Ом;

– емкость диода (Uобр.=10 В) не более 0,2 пФ;

– пробивные напряжения не менее 150 В;

– постоянное прямое напряжение 0,8 В (Iпр = 10,0 мА).

3. Кремниевые фотодиоды:

– диапазон спектральной чувствительности 400–1100 нм;

– максимум спектральной чувствительности 800–1000 нм;

– статическая чувствительность 30–200 нА/лк;

– темновой ток 1–100 нА (Uобр. = 5 В).

4. Импульсные тиристоры малой мощности:

– постоянное напряжение в закрытом состоянии 200–1000 В;

– средний ток в открытом состоянии 200–500 мА;

– импульсный ток в открытом состоянии 7 А;

– прямой ток управления 10 мА.

5. Импульсные тиристоры средней мощности:

– постоянное напряжение в закрытом состоянии 400–1000 В;

– средний ток в открытом состоянии 1–5 А;

– импульсный ток в открытом состоянии 50–75 А;

– прямой ток управления 250 мкА.

6. Малошумящие кремниевые транзисторы:

– рабочие частоты 0,000001–7 ГГц;

– рабочие токи 0,5–70 мА;

– рабочие напряжения 1–10 В;

– коэффициент шума: 500 МГц — 1,0 дБ; 1000 МГц — 1,2 дБ; 4000 МГц — 3,0 дБ;

– коэффициент усиления: 500 МГц— 18,0 дБ; 1000 МГц — 14 дБ; 4000 МГц — 10 дБ;

– граничная частота до 9,0 ГГц;

– конструктивное исполнение: чип; металлокерамические полосковые корпуса; пластмассовые корпуса для поверхностного монтажа.

7. Кремниевые транзисторы средней мощности:

– рабочие частоты 0,000001–2,0 ГГц;

– рабочие токи до 0,5 А;

– рабочие напряжения 5–15 В;

– пробивные напряжения до 200 В;

– граничная частота 4,0 ГГц;

– рассеиваемая мощность до 3 Вт на частоте 1 ГГц.

8. Малошумящие арсенид-галлиевые транзисторы:

– рабочие частоты 0,1–37 ГГц;

– рабочие токи 0,5–100 мА;

– рабочие напряжения 1–7 В;

– пробивные напряжения до 20 В;

– коэффициент шума: 0,5 ГГц — 0,2 дБ; 1,0 ГГц — 0,5 дБ; 4,0 ГГц — 0,6 дБ; 12 ГГц — 1,0 дБ;

– коэффициент усиления: 0,5 ГГц — 23 дБ; 1,0 ГГц — 20,0 дБ; 4,0 ГГц — 12,0 дБ; 12 ГГц — 11,0 дБ.

9. Арсенид-галлиевые транзисторы средней мощности:

– рабочие частоты 0,1–4 ГГц;

– рабочие токи до 1,0 А;

– рабочие напряжения до 6–7 В;

– пробивные напряжения до 20 В;

– рассеиваемая мощность до 2,0 Вт на частоте 1,0–2,0 ГГц.

10. Датчики давления (технология с элементами МЭМС — технология создания вакуумированного кристалла для датчиков давления):

– диапазон измеряемых давлений 0,1–5 атм. (10–500 кПа);

– чувствительность 0,5 мВ/кПа;

– толщина мембраны >15 мкм.

11. Тонкопленочные терморезисторы:

– температурный коэффициент сопротивления, не менее 40×10^–4 1/°С;

– номинальные значения сопротивления 1–10 000 Ом (при t = 25 °С).

Контрактная сборка кристаллов в различные корпуса

Автоматизированная сборка кристаллов в корпуса:

• для поверхностного монтажа SOT 23, SOD 123, SOT 143, SO 8, SO 14, SO 16, SO 28, SOT 89;
• ТО-92;
• металлостеклянный корпус КТ-1;
• полуавтоматическая сборка в корпуса ТО 220 и металлокерамические полосковые корпуса.

Проверка на КЗ и обрывы, упаковка в блистер-ленту или пакеты, маркировка лазером или краской. Измерение параметров — по согласованию с заказчиком.

Имеется лицензия на разработку и производство вооружения и военной техники.

Тонкопленочная продукция. Гибридные интегральные структуры

ОАО «ОКБ-Планета» разрабатывает и производит гибридные интегральные структуры (ГИС), гибридные интегральные микросхемы и микросборки, осуществляет монтаж навесных элементов (как бескорпусных, так и корпусированных) по ТЗ заказчика.

Назначение и краткое описание

Гибридные интегральные структуры (ГИС) широко применяются в высокочастотных и сверхвысокочастотных изделиях электронной техники; для создания высокопрецизионных тонкопленочных резисторов (в том числе терморезисторов с высоким температурным коэффициентом сопротивления); в качестве подложек с токопроводящими дорожками для гибридных интегральных схем.

ГИС могут включать в себя комбинации различных элементов. Омические — проводники, сопротивления, контактные площадки. Реактивные — индуктивности, полосковые фильтры, согласователи, а также комбинированные аттенюаторы, резонаторы, металлизированные переходные отверстия.

Технология производства ГИС основана на применении вакуумного (магнетронного) напыления различных металлов на диэлектрическую подложку с последующим формированием методами фотолитографии, гальванического осаждения и химического травления проводящих структур заданной конфигурации. При этом учитываются требования сборочных технологий, таких как посадка кристаллов на эвтектику, термокомпрессионная сварка, пайка различными припоями, защита от внешней среды и другие.

• Материалы подложек: поликор; ситалл; кварц; сапфир; керамика; феррит и другие.
• Материалы проводящих слоев: медь; никель; алюминий; золото; платина.
• Материалы барьерных слоев: титан; никель.
• Материалы адгезионных слоев: хром; титан; ванадий; никель/хром.
• Материалы резистивных слоев:

  – никель/хром (Ni/Cr);

  – резистивные сплавы:

  • РС 3710 кремний/хром/никель (Si — 53%/Cr — 37%/ Ni—10%);
  • РС 2005 кремний/титан/ церий (Si — 75%/Ti — 20%/Ce — 5%);
  • РС 1004 кремний/никель/железо (Si — 85%/Ni — 10%/Fe — 5%).
• Типовые системы металлизации. Ванадий–медь–никель (V–Cu–Ni); ванадий–медь–никель–золото (V–Cu–Ni–Au). Минимальная ширина проводников и расстояний между ними ≥0,02 мм. Разброс значений номинального сопротивления резисторов ≥0,1%.

СВЧ радиотехнические изделия для систем связи и радиолокации

Малошумящие СВЧ-усилители малой, средней и большой мощности. Диапазон частот от 100 МГц до 8 ГГц. Мощность до 50 Вт. Делители. Сумматоры. Фазовращатели. СВЧ коммутирующая аппаратура.

Россия, 173004, г. Великий Новгород

ул. Фёдоровский ручей, 2/13.

Телефакс: (8162) 66-50-78.

E-mail: secretary@okbplaneta.ru,

http: www.okbplaneta.ru