Новый мощный транзистор Polyfet RF Devices на основе нитрида галлия

Компания Polyfet RF Devices выпустила новый мощный высокочастотный транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе нитрида галлия (GaN) — GX3442. Подложка транзистора выполнена на карбиде кремния (SiC). Новая модель имеет превосходные характеристики теплоотвода за счет использования термически усовершенствованного корпуса.

Транзистор характеризуются высоким КПД, хорошей линейностью коэффициента усиления и низким уровнем шума. Высокое значение напряжения пробоя позволяет транзистору работать в широком диапазоне напряжений.

Основные характеристики:

• рабочие частоты: 1–2500 МГц;
• выходная мощность: 120 Вт;
• общая рассеиваемая мощность: 160 Вт;
• минимальный коэффициент усиления: 11 дБ;
• типовой КПД: 55%;
• напряжение затвор-исток: –10…+2 В;
• типовой ток насыщения: 17 А;
• напряжение пробоя: 250 В;
• максимальная температура перехода: 200 °С;
• тепловое сопротивление переход-корпус: 1,80 °С/Вт;
• температура хранения: –65…150 °С;
• размеры с выводами: 17,78×20,32×4,19 мм.

Транзистор GX3442 не содержит внутренних согласующих элементов, поэтому он может использоваться как в широкополосных, так и в узкополосных устройствах.

ООО «Радиокомп»