Новый безвыводной корпус для SMD-монтажа — SOT1061
Компания NXP Semiconductors анонсировала ряд компонентов, которые выпускаются в новом безвыводном корпусе для SMD-монтажа, — SOT1061.
В новом корпусе компания NXP Semiconductors представила транзисторы BISS (Breakthrough in Small Signal, дословно — «прорыв в малом сигнале»), в которых применена новая технология, позволяющая обеспечить значительное уменьшение напряжения VCEsat насыщения коллектор-эмиттер транзистора и выпрямительные диоды Шоттки.
SOT1061 — это трехвыводной корпус размером всего 2×2×0,65 мм, обеспечивающий более долгий срок службы элемента, большую теплоотдачу и электрические характеристики (Ptot>1 Вт).
Благодаря компактному размеру и высоким техническим характеристикам, элементы в корпусе SOT1061 позволяют максимально эффективно использовать площадь печатных плат, обеспечивая максимальную интеграцию элементов, и идеально подходят для применения в портативных электронных устройствах.
Основные характеристики транзисторов BISS:
- Ток коллектора: до 6 А (пиковое значение ICM = 7 А).
- Ультранизкое напряжение насыщения VCEsat: около 200 мВ при токе коллектора IC = 6 А.
- Ультранизкое сопротивление насыщения RCEsat: 33 мОм.
- Полный спектр напряжений: от 12 до 100 В.
Основные характеристики выпрямительных диодов Шоттки:
- Высокая устойчивость к обратному току с низким падением напряжения (IF = 2А при VFmax = 470 В).
- Интегрированная цепь защиты от ударных токов.
Компания NXP также планирует выпустить p-канальные MOSFET-транзисторы и FET-KYs в 6-выводном корпусе SOT1118 к концу 2010 года. Размер корпуса — всего 2×2×0,65 мм.