Новая платформа 3D ЭМ-моделирования EMPro 2011.02 от Agilent Technologies
Компания Agilent Technologies представила САПР Electromagnetic Professional (EMPro) 2011.02 — новую версию своей платформы 3D электромагнитного моделирования для создания 3D-моделей и анализа электрических характеристик корпусированных ИС, разъемов, антенн и других ВЧ-компонентов.
Платформа, известная под названием EMPro, легко интегрируется в среду проектирования Agilent Advanced Design System для разработки ВЧ и высокоскоростных схем, модулей и печатных плат. В новой версии существенно повышена скорость и точность моделирования ВЧ-компонентов.
EMPro 2011.02 позволяет использовать новые технологии разбиения объекта на сетку для методик расчета, работающих и во временной (FDTD), и в частотной областях (FEM). Разбиение на сетку — первый шаг в процессе электромагнитного моделирования, когда 3D-модель разбивают на крошечные ячейки сетки.
Для симулятора, использующего метод конечных разностей во временной области, в EMPro 2011.02 добавлен новый вариант сетки (Conformal Mesh), который создает ячейку сетки, более точно соответствующую изогнутым поверхностям и неортогональным ребрам. Используя эту технологию, инженеры могут теперь получать более точные результаты при меньшем количестве необходимых ячеек сетки, а также сократить занимаемый объем памяти и время моделирования.
Для симулятора, использующего метод конечных разностей в частотной области, в EMPro 2011.02 добавлены несколько новых вариантов разбиения на сетку, позволяющих разработчикам более точно задать желаемую структуру сетки с помощью ребер, граней и вершин. Это уменьшает время, необходимое для окончательной сходимости алгоритмов нанесения сетки, при одновременном повышении их точности. Дополнительные варианты нанесения сетки улучшают точность моделирования во всем диапазоне рабочих частот устройства за счет автоматической оптимизации сетки на критических резонансных частотах.
В состав EMPro 2011.02 также входят несколько новых функций, которые улучшают ее производительность и удобство использования.