Мощный транзистор компании Polyfet RF Devices на основе кремния

Компания Polyfet RF Devices выпустила новый мощный транзистор на основе кремния, выполненный по технологии LDMOS — LS2641. Он принадлежит к относительно новому семейству транзисторов с напряжением питания 28 В. Новая модель отличается высоким коэффициентом усиления и КПД, улучшенной защитой от электростатического разряда, низким уровнем шума и высоким напряжением пробоя.

Основные характеристики:

• выходная мощность: 250 Вт;
• диапазон рабочих частот: 1–1300 МГц;
• минимальный коэффициент усиления: 16 дБ;
• общая рассеиваемая мощность: 500 Вт;
• КПД: 60%;
• максимальное напряжение «сток-затвор» и «сток-исток»: 80 В;
• ток насыщения: 29 А;
• тепловое сопротивление «переход-корпус»: 0,35 °С/Вт;
• максимальная температура перехода: 200 °С;
• размеры с выводами: 34×19,6×4,3 мм.

Транзистор LS2641 не содержит внутренних согласующих элементов, поэтому может использоваться как в широкополосных приложениях (телекоммуникации, системы вещания), так и в узкополосных.

ООО «Радиокомп»