Мощные транзисторы компании Polyfet RF Devices на основе кремния
Компания Polyfet RF Devices выпустила новые мощные транзисторы на основе кремния, выполненные по технологии LDMOS, — LS2541 и LA2541. Они принадлежат к относительно новому семейству транзисторов с напряжением питания 28 В. Устройства отличаются высоким коэффициентом усиления и КПД, улучшенной защитой от электростатического разряда, низким уровнем шума и высоким напряжением пробоя.
Основные характеристики:
- выходная мощность: 200 Вт;
- диапазон рабочих частот: 1–1100 МГц;
- минимальный коэффициент усиления: 16 дБ;
- общая рассеиваемая мощность: 460 Вт;
- КПД: 60 %;
- максимальное напряжение «сток-затвор» и «сток-исток»: 80 В;
- ток насыщения: 21 А;
- тепловое сопротивление «переход-корпус»: 0,38 °С/Вт;
- максимальная температура перехода: +200 °С;
- размеры с выводами: 34×19,6×4,3 мм.
Модели LS2541 и LA2541 несколько отличаются стилем корпуса. Транзисторы не содержат внутренних согласующих элементов, поэтому могут использоваться как в широкополосных, так и в узкополосных устройствах.