Моделирование МОП-транзисторов. Методологический аспект
Преодоление полупроводниковой технологией 0,25-микронного рубежа предъявило
новые требования к системам моделирования ИС. Теперь даже цифровые ИС
требуют детального схемотехнического моделирования с применением точных
компактных моделей. В статье описаны методологические проблемы построения
компактных моделей МОП-транзисторов.
Статьи данных номеров доступны только в pdf-формате. Вы можете заказать старые номера журнала «Компоненты и технологии» в редакции. Извините за доставленные неудобства.