Microchip анонсирует выпуск карбидокремниевых (SiC) устройств для надежной высоковольтной силовой электроники

Компания Microchip анонсирует выпуск семейства карбидокремниевых силовых устройств дочерней компании Microsemi, которые имеют высокую устойчивость, подтвержденную испытаниями, и лучшие функциональные характеристики благодаря широкой запрещенной зоне. SiC-устройства, дополненные широким рядом микроконтроллеров (МК) и аналоговых решений компании Microchip, пополнили семейство надежных карбидокремниевых изделий. Эта продукция отвечает потребностям электромобилей в более высокой эффективности системы, надежности и плотности мощности, а также нуждам других высокомощных приложений для промышленности, авиакосмической и военной техники.

700-В SiC MOSFET, а также 700- и 1200-В SiC-диоды Шоттки компании Microchip пополнили ассортимент карбидокремниевых силовых модулей. Более 35 крупносерийных дискретных изделий, добавленных в портфель Microchip, в полной мере поддерживаются сервисами по разработке, средствами проектирования, а также исходными проектами. У этих изделий очень высокая устойчивость, подтвержденная результатами тщательных испытаний. Широкое семейство SiC-кристаллов, дискретных и силовых модулей обеспечивает большой диапазон напряжения, номинального тока и множество вариантов корпусного исполнения.

Коммутация ключей SiC MOSFET и SiC-диодов Шоттки компании Microchip осуществляется с большей эффективностью на более высоких частотах. Устройства успешно прошли испытания UIS (Unclamped Inductive Switching) при таких уровнях, которые гарантируют их долгосрочную надежность.

Тестирование UIS позволяет определить устойчивость продуктов к деградации или преждевременному отказу в условиях лавинного пробоя, когда скачок напряжения превышает напряжение пробоя изделия. Результаты испытаний показали, что устойчивость SiC-диодов Шоттки от Microchip на 20% выше по сравнению с другими SiC-диодами. Ключи SiC MOSFET компании Microchip тоже превзошли показатели аналогов в этих испытаниях, продемонстрировав превосходную защиту оксидного слоя затвора и целостность канала при незначительном ухудшении параметров в течение срока службы даже после 100 тыс. циклов повторного UIS-тестирования (Repetitive UIS, RUIS).

Пополнившийся ассортимент SiC-устройств поддерживается рядом моделей SiC SPICE, исходными проектами с платой драйвера и исходным проектом корректора коэффициента мощности (ККМ) с топологией Vienna. Все SiC-устройства компании выпускаются крупными партиями вместе с соответствующими средствами поддержки. Кристаллы и корпуса SiC MOSFET и SiC-диодов предлагаются в разных модификациях.