отправка...Микросхемы памяти с низким энергопотреблением от Аlliance Semiconductor
Корпорация Alliance Semiconductor является одним из высокодинамичных производителей полупроводниковой памяти в мире.
Производство микросхем памяти остается одним из важнейших направлений развития компании.Номенклатура выпускаемых микросхем памяти включает в себя элементную базу, используемую в следующих областях высокоэффективных технологий:
- Связь: системы передачи, сотовые телефоны, системы УАТС, пейджеры, маршрутизаторы, коммутаторы, концентраторы, модемы, платы сетевого интерфейса.
- Вычислительная техника: персональные к мпьютеры, дисководы, устройства мультимедиа, принтеры.
- Системы измерения и тестирования: промышленные, медицинские, стационарные и переносные.
Номенклатура производимой корпорацией полупроводниковой памяти включает статическую оперативную память (SRAM), динамическую оперативную память (DRAM), флэш-память и комбинированные устройства «память/логика ». Статическая оперативная память, в свою очередь, ключает в себя компоненты синхронной, быстрой асинхронной памяти и микросхемы с низким энергопотреблением, изготавливаемые на основе шеститранзисторной сверхэкономичной технологии Intelliwatt, а также микросхемы однотранзисторной псевдостатической оперативной памяти.
Стратегия развития производства статической оперативной памяти со сверхнизким энергопотреблением хорошо иллюстрирует рис.1. Она характеризуется неуклонным ростом объема памяти, совместимостью с другими микросхемами SRAM по функциональным возможностям и корпусу.
Направления развития данной технологии хорошо просматриваются на рис.2. Сохраняется тенденция использования самых совершенных типов корпуса (сейчас это BGA), сохранения времени д ступа к памяти при росте ее объема.
Более подробно номенклатура выпускаемых и разрабатываемых изделий представлена в таблице 1.
| Super Low Power SRAM | |||||||
| Наименование | Размер | Структура | Питание | Скорость | Тип корпуса | Примечание | |
| AS6UA5128 | 4 M | 512 Kx8 | 2,3 –3,6 | 55 /70 | BGA (48 /36 ) | 7×11 mm BGA | |
| AS6VA5128 | 2,7 –3,3 | 55 | BGA (48 /36 ) | 7×11 mm BGA | |||
| AS6WA5128 | 3,0 –3,6 | 55 | BGA (48 /36 ) | 7×11 mm BGA | |||
| AS6UA25616 | 256 Kx16 | 2,3 –3,6 | 55 /70 | BGA (48),TSOP2 (44) | 7×11 mm BGA | ||
| AS6VA25616 | 2,7 –3,3 | 55 | BGA (48),TSOP2 (44) | 7×11 mm BGA | |||
| AS6WA25616 | 3,0 –3,6 | 55 | BGA (48),TSOP2 (44) | 7×11 mm BGA | |||
| Super Low Power Pseudo SRAM | |||||||
| Наименование | Размер | Структура | Vcc (V) | I/O V | Скорость | Тип корпуса | Примечание |
| AS5V25616 | 4 M | 256 Kx16 | 3 | 3 | 60/70/85 | BGA (48),KGD | 6×8 mm BGA |
| AS5VY25616 | 3 | 1.8 | 60/70/85 | BGA (48),KGD | 6×8 mm BGA | ||
| AS5V51216 | 8 M | 512 Kx16 | 3 | 3 | 60/70/85 | BGA (48),KGD | 6×8 mm BGA |
| AS5VY512163 | 3 | 1.8 | 60/70/85 | BGA (48),KGD | 6×8 mm BGA | ||
| AS5V1M16 | 16 M | 1 Mx16 | 3 | 3 | 60/70/85 | BGA (48),KGD | 6×8 mm BGA |
| AS5VY1M16 | 3 | 1.8 | 60/70/85 | BGA (48),KGD | 6×8 mm BGA | ||
| AS3V2M16 | 32 M | 2 Mx16 | 3 | 3 | 60/70/85 | BGA (48),KGD | |
| AS3Y2M16 | 1.8 | 1.8 | 60/70/85 | BGA (48),KGD | |||
Для асинхронной SRAM с низкой потребляемой мощностью (технология Intelliwatt) применяется следующая к дировка микросхем (на примере AS6UB25616-12TC) (см.табл.2).
| AS | 6 | UB | 25616 | –12 | T | C |
| AS | X | XX | XXXXX | XX | X или XX | C или I |
| Alliance-Semiconductor | 6 =низкая мощность, асинхр.SRAM (технология Intelliwatt) | Диапазон питающих напряжений,В: SA =2,7 –5,5 UA =2,3 –3,6 UB =2,3 –3,6 VA =2,7 –3,3 WA =3,0 –3,6 YB =1,65 –2,2 |
Условный фирменный номер, соответствует емкости и организации памяти микросхемы (256 Кx16) | Время доступа, нс | Тип корпуса: B =Chip Scale T =TSOPI HF =TSOP2 (Forward) HR =TSOP2 (Reverse) T =sTSOPI SO =SOP |
Диапазон температур: C =коммерческий 0 … +70 °С I =промышленный –40 … ++85 °С |
Представим более подробно микросхемы памяти псевдостатической SRAM серии AS5VY51216 (AS5VYP51216). Основные параметры:
- Промышленный, коммерческий и расширенный температурные диапазоны.
- Организация памяти: 512 Kx16 бит.
- Базовое напряжение питания 2,3 –3,3 В.
- Напряжение вхoда/выхoда 1,65 –2,2 В.
- Время доступа 55/70/85 нс.
- Низкое энергопотребление в режимах ACTIVE и STANDBY: не более 165 мкВт при V
CC =3,3 В и V
CCQ =2,2 В. - Совместимость с другими микросхемами SRAM по размещению выводов и функциональным возможностям.
- Совпадение длительностей времени д ступа и цикла функционирования.
- Облегченная процедура расширения памяти через вх ды CS1, CS2, OE.
- Широко распространенное распределение контактов.
- Современная система корпуса и распределения выводов — 48-ball FBGA; 6,0×8,0 мм.
- Защита от электростатического напряжения д 2000 В.
- Предельное значение тока 200 мA.
Размещение штырьков на корпусе BGA-48 приведено на таблице 3.
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | |
| A | LB | OE | A0 | A1 | A2 | CS2 |
| B | I/O8 | UB | A3 | A4 | CS1 | I/O0 |
| C | I/O9 | I/O10 | A5 | A6 | I/O1 | I/O2 |
| D | V SS |
I/O11 | A17 | A7 | I/O3 | V CC |
| E | V CCQ |
I/O12 | NC1 | A16 | I/O4 | V SS |
| F | I/O14 | I/O13 | A14 | A15 | I/O5 | I/O6 |
| G | I/O15 | NC 1 | A12 | A13 | WE | I/O7 |
| H | A18 | A8 | A9 | A10 | A11 | NC 1 |
Логическая блок-схема управления микросхемой представлена на рис.3.
Краткое описание принципов работы устройства
Микросхемы псевдостатической оперативной памяти (PSRAM) AS5VY51216 и AS5VYP51216 п строены на основе одного маломощного транзистора (1T) CMOS. Организация памяти 524, 288 16 бит. Устройства оптимизированы для условий медленного доступа к данным, низког энергопотребления и упрощенного интерфейса. Одинаковое время доступа к адресам ячеек памяти и цикла работы (t
AA, t
RC, t
WC ), составляющее 55/70/85 нс, обеспечивает дополнительную экономию энергии. Значения высокого и низкого уровней (CS1 и CS2) позволяют без проблем построить системы расширения памяти. Выводы вхoда-выхoда (I/O0 … I//O15) имеют высокое вх дное сопротивление, когда микросхема не задействована (CS1 является высоким или CS2 низким, или UB и LB являются высокими), вых ды закрыты (OE High), UB и LB закрыты (UB, LB High), а также в течение цикла записи (CS1 является низким или CS2 является высоким и WE низким). Запись в устройство памяти производится установкой нижнего значения CS1, верхнего значения CS2 и перевода в режим записи включением нижнего значения WE. Если LB нах дится на нижнем уровне,данные с выводов I/O (I/O0 … I//O7)заносятся в область, определенную адресными выводами (A0 … A18).Если UB нах дится на нижнем уровне, данные с выводов I/O (I/O8 … I//O15) заносятся в область, определенную адресными выводами (A0 … A20). При записи внешние устройства могут использовать I/O только после того, как вых ды становятся недоступными при доступном (OE) или (WE).
Считывание с устройства осуществляется выполнением Chip Select CS1 Low, CS2 High и Output Enable (OE) Low при том условии, что Write Enable (WE) High. Если выполняется Byte Low Enable (LB)Low, то данные из области, пределенной выводами адреса, поступают на выводы I/O0 … I//O7. Если выполняется Byte High Enable (UB)Low, то данные поступают на I/O8 … I//O15.
Данные устройства имеют неск лько выводов подключения источников питания и заземления, а также побайтовую запись и считывание. LB управляет I/O0-I/O7, а UB управляет I/O8-I/O15.
Все входы и вых ды микросхемы CMOS-совместимы, питание осуществляется от одног источника с напряжением питания в пределах 2,7 –3,3 В. Устройство размещено в корпусе типа JEDEC 48-ball FBGA.
Дополнительную информацию по продукции к мпании Alliance Semiconductor можно получить на сайте
www.alsc.com .
18 сентября, 2021