Микросхемы памяти от Fujitsu Semiconductor
MB85RC1MT
Fujitsu Semiconductor разработала новую 1‑Mбит память FRAM с последовательным интерфейсом I2C. Данная память подходит для использования в системах автоматизированного управления производством, измерительного и промышленного оборудования.
Микросхема работает при напряжении питания 1,8–3,3 В в температурном диапазоне –40…+85 °C. Что касается рабочей частоты, изделие поддерживает «высокоскоростной» режим, который позволяет производить чтение и запись при частоте 3,4 MГц, а также работать при 1 MГц с той же скоростью, как и обычные типы памяти EEPROM. Изделие гарантирует 10 трлн перезаписей, что намного превосходит возможности EEPROM, и поддерживает частую перезапись информации, например при регистрации данных, поступающих в реальном масштабе времени, для изделий с интерфейсами I2C и др. К тому же в тех случаях, где ранее применялись память EEPROM и микроконтроллеры, уже есть возможность использовать FRAM, что позволит производить высокоточный захват данных при высокочастотной регистрации (рис. 1) и понижении потребления мощности во время записи данных (рис. 2).
Изделия с FRAM предлагаются в принятых промышленностью восьмивыводных корпусах SOP, так что они могут заменить память EEPROM или последовательную flash-память, используемые в управлении производством, измерительном или промышленном оборудовании, без существенных изменений дизайна печатных плат.
MB85R4M2T
Компания Fujitsu выпустила новую 4‑Mбит FRAM-память, которой можно заменить SRAM. Настоящее изделие также представляет собой энергонезависимый тип памяти, который позволяет сохранять данные даже при отключении питания. Основные области применения — промышленное и офисное оборудование.
Благодаря тому что для нового вида памяти используется 44‑контактный TSOP-корпус, совместимый со стандартной SRAM, последнюю можно заменить без особых модификаций печатных плат в любых применениях, где требуется быстрый доступ к записи в память, таких как промышленное и офисное оборудование, медицинская аппаратура. А благодаря тому что сохраненные данные не требуют питания от батарей, аппаратная часть становится более компактной, менее энергоемкой и стоит дешевле. Кроме того, монтажная площадка для микросхемы и связанных с ней компонентов на печатной плате оборудования может быть уменьшена на 50% и более (рис. 3).
Память SRAM требует энергии для удержания данных в памяти при отключении основного ИП, потребляя (по грубой оценке) 15 мкВт. FRAM вообще не потребляет электроэнергию при отключении (рис. 4). Отсутствие необходимости в использовании ИП не только снижает конечную стоимость изделия, но также исключает периодические затраты, связанные с заменой батарей и обслуживанием, уменьшая общую стоимость как разработки, так и эксплуатации (рис. 5).