*Особенности определения квантового выхода светодиодов на основе AlGaInN и AlGaInP при различной плотности тока через излучающий кристалл

№ 1’2008
PDF версия
В статье приведены полученные импульсным методом результаты измерений зависимости оптических характеристик светодиодов от плотности тока через излучающий кристалл, которые поясняют физические основы работы указанных гетероструктур. Использованные в работе методики измерения энергетических параметров излучения без учета теплового действия тока позволяют выявить и объяснить существенную разницу в оценке истинной и приводимой производителями световой эффективности светодиодов.

Статьи последих номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Компоненты и технологии» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *