Металлокерамические корпуса и материалы АО «ТЕСТПРИБОР» для изделий микроэлектроники

№ 7’2018
PDF версия
В статье приведена основная номенклатура корпусной продукции АО «ТЕСТПРИБОР» для устройств микроэлектроники, их внешний вид, конструктивное исполнение и ключевые технические характеристики, а также информация о разрабатываемых и изготавливаемых материалах и изделиях для электронной промышленности.

За последние несколько лет компания «ТЕСТПРИБОР» выполнила более 30 НИР и ОКР по разработке металлокерамических корпусов для изделий микроэлектроники как гражданского, так и специального назначения. В настоящее время номенклатура корпусов АО «ТЕСТПРИБОР» насчитывает свыше 70 наименований следующих типов:

  • тип 2 по ГОСТ Р 54844;
  • тип 4 по ГОСТ Р 54844;
  • тип 5 по ГОСТ Р 54844;
  • тип 6 по ГОСТ Р 54844;
  • тип 8 по ГОСТ Р 54844;
  • КТ по ГОСТ 18472.

Кроме того, компания осуществляет ОКР, в рамках которых разрабатывается около 22 типов металлокерамических корпусов категории качества ВП.

Одним из перспективных направлений деятельности компании, освоенных в последнее время, является разработка и производство материалов и изделий для электронной промышленности.

 

Металлизированные керамические платы

Металлизированные керамические платы предназначены для электрической изоляции конструкций, узлов и элементов различных электронных устройств, в качестве основных материалов (табл. 1) применяются алюмооксидная керамика (Al2O3 92%, 96% или 99,6%) и алюмонитридная керамика (AlN). Керамические подложки могут иметь как одно- или двухстороннюю сплошную металлизацию, так и топологический рисунок, сформированный в соответствии с техническими требованиями заказчика. Для металлизации керамических плат в АО «ТЕСТПРИБОР» наиболее часто применяются две технологии металлизации:

  • на основе толстопленочной технологии THICK-FILM (рис. 1) — способ, при котором покрытие или проводящий топологический рисунок формируется трафаретным нанесением пасты (рис. 2) с последующим вжиганием в защитной среде;
  • на основе технологии STC, используемой в компании для изготовления керамических плат на основе алюмооксидной керамики (Al2O3 96%) и алюмонитридной керамики (AlN) с металлизацией медью толщиной до 400 мкм с возможностью последующего формирования заданного топологического рисунка фотолитографическими методами.

Металлизированная керамическая плата с топологическим рисунком, сформированным по толстопленочной технологии

Рис. 1. Металлизированная керамическая плата с топологическим рисунком, сформированным по толстопленочной технологии

Нанесение металлизации методом трафаретной печати

Рис. 2. Нанесение металлизации методом трафаретной печати

Таблица 1. Основные характеристики материалов керамических подложек металлизированных плат

Характеристика

Значение

Al2O3

92%

Al2O3

96%

Al2O3

99,6%

AlN

98%

Цвет

Черный

Белый

Белый

Серый

Плотность, г/см3

3,72

3,89

3,3

Влагопоглощение, %

0

0

0

0

Теплопроводность, Вт/(м·К)

14

28

29

180–220

КТЛР (+20…+1000 °С), 10–6

7,1

6,8–8

7,2–8,2

6,2

Диэлектрическая проницаемость, 1 МГц

9,8

9

9,75

 

Тангенс угла диэлектрических потерь, 1 МГц

0,0024

0,0002

0,0001

0,0003

Напряжение пробоя, кВ/мм

 

15

25

15

Предел прочности при изгибе, МПа

400

300

400

260

Модуль упругости, ГПа

310

330

390

320

Прочность на сжатие, МПа

2100

Твердость, кг/мм2

14–15

1110

Удельное объемное электрическое сопротивление (+20 °С), Ом·см

1013

1015

 

Изделия из технической керамики на основе оксида алюминия, в том числе с металлизацией и сложнопрофилированной формы

В соответствии с техническими требованиями заказчика компания «ТЕСТПРИБОР» осуществляет изготовление керамических изоляторов, в том числе с металлизированными боковыми, торцевыми и внутренними поверхностями, обеспечивающими вакуумплотные спаи с металлическими деталями твердыми припоями (Ag72Cu28) при температуре 800–850 °C (рис. 3, 4).

Керамический изолятор

Рис. 3. Керамический изолятор

Втулка керамическая

Рис. 4. Втулка керамическая

Возможные варианты исполнения:

  • Покрытие металлизированных поверхностей:
    • никель 2 (никель 2–7 мкм);
    • никель 2 + золото 0,5 (никель 2–7 мкм, золото 0,5 мкм max).
  • Материал металлизированной поверхности:
    • молибден-марганец (20–40 мкм).
  • Значения шероховатостей поверхности:
    • без дополнительной обработки: Rа 2–5 мкм;
    • после обработки: Rа < 1 мкм.

 

Графитовая технологическая оснастка

При изготовлении нестандартной технологической графитовой оснастки (рис. 5, 6) для групповой пайки и вжигания стеклянных изоляторов в ходе производства изделий микроэлектроники используется графит марок ТР‑10 и ТР‑808 (табл. 2). Данные материалы изначально созданы для применения в области космического приборостроения и обладают рядом конкурентных преимуществ благодаря следующим особенностям и характеристикам:

  • рабочая температура: до +2000 °C;
  • высокая устойчивость к знакопеременным нагрузкам;
  • не менее 500 рабочих циклов нагрева и охлаждения;
  • полное отсутствие газовыделения;
  • небольшой коэффициент теплового линейного расширения.

Сборка изделий в графитовую оснастку

Рис. 5. Сборка изделий в графитовую оснастку

Работа с графитовой технологической оснасткой для групповой пайки и вжигания стеклянных изоляторов

Рис. 6. Работа с графитовой технологической оснасткой для групповой пайки и вжигания стеклянных изоляторов

Таблица 2. Основные технические характеристики графита марок ТР‑10 и ТР‑808

Наименование характеристики и параметра

Норма для марки графита

ТР-10

ТР-808

Плотность, г/см3

1,75

1,77

Предел прочности при изгибе, МПа

58,8

50

Предел прочности при сжатии, МПа

98

120

Удельное электрическое сопротивление, мкОм·см

1400

1400

Теплопроводность, Вт/(м·К)

104,4

80

ТКЛР, ×10–6/°С

3,8

3,9

Модуль упругости, ГПа

10,8

10,5

Твердость

50

70

Зольность, %

0,01

0,02

Коэффициент пористости, %

15

13

 

Изделия микроэлектроники со стеклянными изоляторами

Компания «ТЕСТПРИБОР» реализовала проект по запуску собственной производственно-технологической линии изготовления изделий для электронной промышленности со стеклянными изоляторами и в настоящее время обеспечивает выпуск:

  • металлостеклянных корпусов для интегральных микросхем, полупроводниковых приборов, резонаторов, датчиков и т. д. (рис. 7, 8);
  • проходных изоляторов;
  • герметизированных вводов для блоков радиоэлектронной аппаратуры, двигателей и т. д.

Сборка металлостеклянных корпусов

Рис. 7. Сборка металлостеклянных корпусов

Корпус металло-стеклянный типа ТО 5

Рис. 8. Корпус металло-стеклянный типа ТО 5

 

Гальваническое производство

В целях обеспечения непрерывного технологического цикла изготовления корпусов и металлизированных керамических подложек для изделий микроэлектроники в компании «ТЕСТПРИБОР» создан и введен в эксплуатацию участок гальванических покрытий (рис. 9). В настоящее время, кроме обеспечения собственного производства, компания предлагает услуги по химическому никелированию (толщиной до 11 мкм), химическому золочению (до 0,5 мкм) и гальваническому золочению (до 3 мкм) металлизированных поверхностей и поверхностей металлических деталей изделий микроэлектроники.

Участок гальванических покрытий АО «ТЕСТПРИБОР»

Рис. 9. Участок гальванических покрытий АО «ТЕСТПРИБОР»

 

Корпуса для интегральных микросхем (ИМС)

Подробный обзор металлокерамических корпусов АО «ТЕСТПРИБОР» категории качества ВП и металлокерамических корпусов с радиационно-защитными экранами был представлен в одноименной статье журнала «Компоненты и технологии» № 11’2016. Однако за прошедший период номенклатура таких изделий, выпускаемых предприятием, значительно расширилась.

Корпуса 2‑го типа по ГОСТ Р 54844

Корпус МК 2134.16‑А (рис. 10), как и корпус МК 2103.8‑А, предназначен для производства микросистем анализа слабых магнитных полей, выполнен по базовой технологии изготовления многослойных высокотемпературных отожженных керамических модулей, однако за счет усовершенствования применяемых материалов обладает немагнитными свойствами. Корпус МК 2119.42‑А разработан для сборки микросистем бесконтактного контроля силы электрического тока, предназначенных для систем контроля тока различных узлов и блоков РЭА, конструктивно состоит из многослойного металлокерамического основания (рис. 11а) и керамического носителя медной шины (рис. 11б).

Корпус МК 2134.16 А

Рис. 10. Корпус МК 2134.16 А

Корпус МК 2119.42 А

Рис. 11. Корпус МК 2119.42 А:
а) многослойное металлокерамическое основание;
б) керамический носитель медной шины

Общие технические характеристики корпуса МК 2134.16‑А представлены в таблице 3.

Таблица 3. Основные технические характеристики корпусов 2‑го типа по ГОСТ Р 54844

Наименование параметра

МК 2134.16-А

МК 2119.42-А

Количество выводов

16

42

Шаг выводов, мм

2,54

1,27

Размер монтажной площадки, не менее, мм

7,55×4,65
9,15×4,65

31,43×34,55

Габаритные размеры тела корпуса, не более, мм

20,52×12,6×3,25

39,39×38,23×9,87

Глубина монтажного колодца, мм

0,65 ±0,15

1,25 ±0,13

Корпуса 4‑го типа по ГОСТ Р 54844

Четвертый тип по ГОСТ Р 54844 пополнен тремя корпусами (табл. 4):

  • корпус 4156.132‑АК c двухсторонним расположением четырех монтажных площадок и специализированными электрическими связями контактных площадок и внешних выводов (рис. 12);
  • корпус МК 4254.352-1 с высокоскоростными линиями связи для ПЛИС емкостью не менее 2 млн системных вентилей с размером монтажной площадки 19×19 мм и изолирующей выводной рамкой (рис. 13);
  • корпус МК 4250.208-3 с размером монтажной площадки 17,2×17,2 мм и изолирующей выводной рамкой (рис. 14).

Корпус 4156.132 АК

Рис. 12. Корпус 4156.132 АК

Корпус МК 4254.352-1

Рис. 13. Корпус МК 4254.352-1

Корпус МК 4250.208-3

Рис. 14. Корпус МК 4250.208-3

Таблица 4. Основные технические характеристики корпусов 4‑го типа по ГОСТ Р 54844

Наименование параметра

4156.132-АК

МК 4254.352-1

МК 4250.208-3

Количество выводов

132

352

208

Количество контактных площадок

332

436

208

Шаг выводов, мм

0,508

0,5

0,5

Размер монтажной площадки, не менее, мм

16,75×32,75

19×19

17,2×17,2

Габаритные размеры тела корпуса, не более, мм

38,38×27,27×6,2

48,48×48,48×3,17

29×29×2,85

Глубина монтажного колодца, мм

0,75 ±0,08

0,5 ±0,05

0,5 ±0,05

Корпуса 5‑го типа по ГОСТ Р 54844

На рис. 15–18 изображен внешний вид корпусов 5‑го типа по ГОСТ Р 54844, а в таблице 5 даны их общие технические характеристики.

Корпус МК 5125.40-А

Рис. 15. Корпус МК 5125.40-А

Корпус МК 5161.24-А

Рис. 16. Корпус МК 5161.24-А

Корпус МК 5157.64-1

Рис. 17. Корпус МК 5157.64-1

Корпус МК 5163.64-1

Рис. 18. Корпус МК 5163.64-1

Таблица 5. Основные технические характеристики корпусов 5‑го типа по ГОСТ Р 54844

Наименование параметра

МК 5161.24-А

МК 5125.40-1

МК 5157.64-1

МК 5163.64-1

Количество выводных площадок

24

40

64

64

Шаг выводных площадок, мм

2,54

0,5

0,5

0,7

Размер монтажной площадки, не менее, мм

13,25×13,25

4,4×4,4

5,98×5,98

10,4×10,4

Габаритные размеры тела корпуса, не более, мм

18,18×18,18×2,45

7×7×2

9,15×9,15×1,94

13,2×13,2×1,99

Глубина монтажного колодца, мм

0,5 ±0,05

0,5 ±0,05

0,5 ±0,05

0,5 ±0,05

Корпуса 6‑го и 8‑го типов по ГОСТ Р 54844

На рис. 19–21 изображен внешний вид корпусов 6‑го и 8‑го типа по ГОСТ Р 54844, а в таблице 6 даны их общие технические характеристики.

Корпус МК 8306.144-1

Рис. 19. Корпус МК 8306.144-1

Корпус МК 8305.483-2

Рис. 20. Корпус МК 8305.483-2

Корпус МК 6117.602 А

Рис. 21. Корпус МК 6117.602 А

Таблица 6. Основные технические характеристики корпусов 6‑го и 8‑го типов по ГОСТ Р 54844

Наименование параметра

МК 8306.144-1

МК 8305.483-2

МК 6117.602-А

Количество выводных площадок

144

483

602

Шаг матрицы выводных площадок, мм

1

1

1338

Размер монтажной площадки, не менее, мм

7,9×7,9

12×12

1″ — 12,3×12,3

2″ — 9,75×8,65

3″ — 9,75×8,65

Габаритные размеры тела корпуса, не более, мм

13,64×13,64×2,98

23,23×23,23×3,52

41,71×41,71×4,52

Глубина монтажного колодца, мм

0,6 ±0,06

0,6 ±0,05

0,75 ±0,08

Хочется обратить внимание, что практически все корпуса, рассмотренные выше, предназначены для изготовления интегральных цифровых и аналоговых микросхем. Сегмент корпусов для мощных дискретных полупроводниковых приборов компанией практически не был представлен.

В настоящее время компания завершила выполнение работ, целью которых стало создание и освоение промышленного производства серии корпусов типов КТ (рис. 22) и SMD (рис. 23) категории качества ВП, соответствующих требованиям ГОСТ РВ 20.39.412-97, ГОСТ РВ 5901-004-2010 и ГОСТ Р 57439-2017, с улучшенными значениями теплопроводности оснований.

Серия корпусов типа КТ

Рис. 22. Серия корпусов типа КТ:
а) основание корпуса МК КТ 28 В 1;
б) основание корпуса МК КТ 43G 1;
в) основание корпуса МК КТ 98A 1;
г) основание корпуса МК КТ 99C 2;
д) основание корпуса МК КТ 105-3

Серия корпусов типа SMD

Рис. 23. Серия корпусов типа SMD:
а) основание корпуса МК КТ 93-3;
б) основание корпуса МК КТ 94-5;
в) основание корпуса МК КТ 95-3;
г) основание корпуса МК КТ 106-2

При разработке и изготовлении полупроводниковых приборов высокие требования предъявляются к тепловым параметрам корпусов (тепловому сопротивлению на границах «кристалл–корпус» и «корпус – окружающая среда»), их надежности и способности сохранять заданные характеристики в течение всего срока эксплуатации.

Именно поэтому при проектировании и разработке корпусов для мощных дискретных полупроводниковых приборов особое внимание должно быть уделено выбору материала теплоотвода.

Существует достаточно много материалов, обладающих хорошими значениями теплопроводности, однако многие из них не могут быть применены в конструкции корпуса из-за несовместимости физико-механических свойств с керамикой. В таблице 7 приведены материалы, наиболее часто используемые для изготовления теплопроводящих подложек в электронной промышленности, а также их основные физико-механические свойства. Из всего перечня материалов, представленных в таблице 7, наиболее широкое применение в конструкции корпусов нашли молибдено-медные и вольфрам-медные псевдосплавы.

Таблица 7. Основные физико-механические свойства теплопроводящих материалов

Тип материала

Наименование материала

Состав

ТКЛР (10–6 °С–1)

Теплопроводность, Вт/(м·К)

Удельный вес,
г/см3

0…+100 °С

+100…+400 °С

+400…+800 °С

+25 °С

+100 °С

Металл

W

 

4,6

4,7

167

159

19,3

Mo

 

5,2

5,7

142

138

10,2

Cu

 

17,1

19,4

394

8,93

Al

 

24,3

26,5

238

2,7

WCu

W94Cu6

5,9

6

6,4

141

137

17,6

W89Cu11

6,5

7,1

7,9

174

167

17

W85Cu15

7,0

7,4

8,6

184

178

16,4

W80Cu20

7,9

8,6

9,8

200

197

15,65

MoCu

Mo85Cu15

6,8

7,3

7,6

148

144

10,01

Mo70Cu30

7,7

7,6

7,5

195

190

9,8

Mo65Cu35

8,2

8,1

7,8

210

205

9,7

Mo60Cu40

8,8

8,5

8,2

220

215

9,6

Mo40Cu60

11,5

10,8

10,5

275

268

9,4

Cu/PCM/Cu

7,7

7,8

7,6

200

195

9,5

Cu/PCM/Cu

10,6

8,8

8,4

235

230

9,3

Cu/PCM/Cu

11,6

9,5

9,8

260

9,2

Cu/PCM/Cu

14,4

11,5

12,1

300

Cu/PCM/Cu

13,8

11,5

12,1

300

9,1

Керамика

AlN

 

4,5

200

180

3,26

Металлокерамика

Al-SiC

SiC70Al30

8

140

2,6

SiC65Al35

9

130

2,6

SiC45Al55

14

160

2,6

Графит

TPG

 

–1

1700

1500

2,3

Медь-графит

 

8,3

370

5

К примеру, сплав WCu представляет собой комбинацию вольфрама (W), который имеет низкое значение ТКЛР, и меди (Cu), отличающейся высокой теплопроводностью. Значение ТКЛР сплава WCu в зависимости от процентного содержания в нем вольфрама и меди может быть подобрано таким образом, чтобы оно соответствовало значениям ТКЛР алюмооксидной керамики и ковара. Кроме того, данный материал хорошо обрабатывается, и из него можно изготавливать детали сложной формы.

В настоящее время псевдосплавы WCu и MoCu являются основными коммерческими материалами для изготовления теплоотводов корпусов как для полупроводниковых приборов, так и для ИМС.

Структуры теплоотводов на основе слоистых композитов (рис. 24) Сu/MoCu/Cu и Сu/WCu/Cu имеют теплопроводность практически в 1,5 раза больше по сравнению с типовыми значениями теплопроводности материалов WCu и MoCu, однако имеют более высокую стоимость.

Пример структуры теплоотвода на основе слоистых композитов

Рис. 24. Пример структуры теплоотвода на основе слоистых композитов

Графитовый материал TPG обладает превосходными теплопроводящими свойствами, и его применение в структурах теплоотводов (один из вариантов ее реализации приведен на рис. 25) позволяет снизить тепловое сопротивление «переход–корпус» более чем на 30%, однако массовое промышленное применение этого перспективного материала ограничивается из-за сложности технологического процесса производства, а применение — из-за высокой стоимости.

Пример структуры теплоотвода с графитовой вставкой

Рис. 25. Пример структуры теплоотвода с графитовой вставкой

Нельзя не отметить относительно недавно появившийся на рынке материал Al-SiC, который представляет собой спеченный теплопроводящий материал, удельный вес которого составляет 1/3 Cu, а значение теплопроводности 160 Вт/(м·К). Значение ТКЛР этого материала определяет процентное содержание Al и SiC, однако он имеет ряд недостатков, что и ограничивает его применение.

В качестве материала, оптимально подходящего для решения задач повышения значений теплопроводности оснований корпусов, предназначенных для мощных дискретных полупроводниковых приборов, можно рассмотреть новый, перспективный композиционный материал Cu-Graphite. Его теплопроводность близка к теплопроводности чистой меди и составляет 370 Вт/(м·К), а удельный вес 5 г/см3, поэтому вес данного материала практически в два раза меньше меди и более чем втрое меньше сплава W85Cu15.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *