Высокотемпературные компоненты CISSOID
О компании
Компания CISSOID S. A. основана в 2000 году [1], ее головной офис расположен в бельгийском городе Мон-Сен-Гибéр. Основная специализация — разработка высокотемпературных электронных компонентов, с применением самых последних и передовых схемотехнических решений и технологических материалов, таких как SiC, GaN и другие.
Несмотря на сравнительно небольшой возраст компании, специалистами CISSOID уже сформирована довольно широкая линейка высокотемпературных компонентов (АЦП, операционные усилители, регуляторы напряжения, транзисторы, генераторы импульсов, драйверы ключей, микросхемы источников питания и пр.), которая может стать хорошей основой для построения конечного изделия.
Продукция компании успешно применяется в нефтегазовой, космической и авиационной отраслях, а относительно невысокая стоимость изделий допускает их использование в высоконадежных индустриальных и автомобильных приложениях. Примером могут служить системы управления промышленным производством, которые сопряжены с выполнением высокотемпературных процессов (изготовление стали, литье стекла, обжиг керамики и т. д.).
Для подтверждения высокой надежности своих изделий компания CISSOID применяет расширенное тестирование, включающее контроль электрических параметров при воздействии вибраций, экстремальных температур, а также производит измерение скорости утечки инертного газа из внутренней полости корпусов компонентов.
Помимо выпуска серийной продукции, CISSOID широко использует практику изготовления и разработки заказных изделий, в частности силовых модулей и источников питания. Также CISSOID изготавливает высокотемпературные DC/DC-преобразователи, заказные микросборки и микросхемы на основе базового матричного кристалла (БМК).
Основные области применения продукции CISSOID (рис. 1):
- оборудование для нефтегазовой отрасли;
- авиационная и космическая техника;
- автомобильная электроника;
- промышленное оборудование;
- военная техника.
Диапазон температур эксплуатации серийно выпускаемых изделий CISSOID довольно широкий и составляет [2]:
- от –55 до +175 °C для изделий в пластиковых корпусах;
- от –55 до +225 °C для изделий в металлокерамических и металлостеклянных корпусах.
Заявленные температурные диапазоны гарантированы (конкретные электронные компоненты сохраняют характеристики и параметры, указанные в технических описаниях), но при этом они не являются предельными. Исходя из опыта реализованных проектов, большинство серийно выпускаемых изделий в металлокерамических и металлостеклянных корпусах сохраняют работоспособность даже в температурном диапазоне от –200 до +300 °C, при некотором ухудшении рабочих характеристик. Это в большей степени касается параметра MTBF (время наработки на отказ).
Примером может служить температурный тест NASA для экстремальных условий эксплуатации, пройденный рядом изделий CISSOID. В данном тесте предусмотрен температурный диапазон от –195 до +400 °C (рис. 2). Особо следует отметить серию тестов и испытаний, которые показали стойкость исследуемых компонентов к воздействию ионизирующего излучения по следующим параметрам [3]:

Рис. 2. Диапазоны температур эксплуатации электронного оборудования для различных сфер и областей применения
- общая накопленная доза до 96 крад;
- стойкость к воздействию единичных событий (Single Event Effects, SEE), вызванных воздействием высокоэнергетических частиц (испытания на воздействие тяжелых ионов подтвердили стойкость испытуемых компонентов к таким эффектам, как тиристорный эффект или защелкивание (SEL), одиночный сбой (SEU), одиночный сбой переключения (SET) при энергии ионов до 55,9 МэВ см2/мг).
В результате за счет новых схемотехнических решений и используемых технологических материалов компоненты CISSOID сохранили свою работоспособность и подтвердили возможность применения элементной базы в составе космической аппаратуры.
Номенклатура изделий
Как уже отмечалось, номенклатура изделий CISSOID довольно широкая и насчитывает свыше 150 различных наименований. Компоненты выпускаются в металлокерамических, металлостеклянных и пластиковых корпусах (рис. 3) [2].
В настоящий момент можно выделить следующие группы номенклатуры: дискретные компоненты, силовые компоненты, преобразователи напряжения и слаботочные микросхемы.
Дискретные компоненты
Дискретные компоненты CISSOID представлены сериями PLANET и GEMSTONE, в которые входят высокотемпературные транзисторы средней и малой мощности, а также одиночные и сдвоенные кремниевые диоды (табл. 1). Гарантированный срок эксплуатации при максимальной температуре +225 °C не менее пяти лет, а при 175 °C — не менее 15 лет. Высокие технические характеристики компонентов серии PLANET обеспечиваются за счет применения высоконадежных кристаллов и герметичных металлокерамических корпусов с низким тепловым сопротивлением (от 1,1 °C/Вт). Серия GEMSTONE представлена операционными усилителями, в том числе прецизионными с полосой пропускания 2,8 МГц.
Наименование |
Тип |
VDS, В (max) |
IDS, А (max) |
VGS, В |
RDS(on) |
CISS, |
Тип корпуса |
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CHT-NMO8001 EARTH |
NMOS-транзистор |
80 |
1 (3 А имп.) |
0–5 |
0,76 Ом при 25 °C |
240 |
TDFP16 |
|
CHT-NMO8005 EARTH |
NMOS-транзистор |
80 |
5 |
0–5 |
0,48 Ом при 25 °C |
410 |
TO254 |
|
CHT-NMO8010 EARTH |
NMOS-транзистор |
80 |
10 |
0–5 |
0,24 Ом при 25 °C |
850 |
TO254 |
|
CHT-NMOS4005 SATURN |
NMOS-транзистор |
40 |
5 |
–0,5… 5,5 |
0,38 Ом при 25 °C |
370 |
TO254 |
|
CHT-NMOS4010 SATURN |
NMOS-транзистор |
40 |
10 |
–0,5…5,5 |
0,2 Ом при 25 °C |
720 |
TO254 |
|
CHT-NMOS4020 SATURN |
NMOS-транзистор |
40 |
10 |
–0,5…5,5 |
0,12 Ом при 25 °C |
1,84 нФ |
TO254 |
|
CHT-SNMOS80 MERCURY |
NMOS-транзистор |
80 |
300 мА |
–0,5…5,5 |
7,5 Ом при 25 °C |
23 |
TO39 |
|
CHT-MOON |
Dual NMOS-транзистор |
40 |
4 |
–0,5…5,5 |
0,38 Ом при 25 °C |
370 |
CSOIC16 |
|
CHT-PMOS3002 VENUS |
PMOS-транзистор |
30 |
2 |
–0,5…5,5 |
2,3 Ом при 25 °C |
150 |
TO254 |
|
CHT-PMOS3004 VENUS |
PMOS-транзистор |
30 |
4 |
–0,5…5,5 |
1,1 Ом при 25 °C |
300 |
TO254 |
|
CHT-PMOS3008 VENUS |
PMOS-транзистор |
30 |
8 |
–0,5…5,5 |
0,6 Ом при 25 °C |
600 |
TO254 |
|
CHT-SPMOS30 MARS |
PMOS-транзистор |
30 |
310 мА |
–0,5…5,5 |
15 Ом при 25 °C |
14 |
TO39 |
|
CHT-NEPTUNE |
N-MOSFET-транзистор |
1200 |
10 |
–2…20 |
0,09 Ом при 25 °C |
1915 |
TO257 |
Силовые компоненты
Силовые компоненты CISSOID включены в серии STAR и TITAN. К серии STAR относятся высокотемпературные линейные регуляторы и источники опорного напряжения (табл. 2).
Наименование |
VOUT, В |
IOUT, A |
VIN max, В |
Точность |
Тип |
|
---|---|---|---|---|---|---|
CHT-LDOS-xxx |
2,5/3,3/5/5,5/9/10/12/13/15 |
1 |
20 |
±4% |
TO-254 |
|
CHT-LDOP-xxx |
1,2–3,3 |
1 |
30 |
±4% |
TO-254 |
|
CHT-LDNS-xxx |
–2,5/–3,3/–5/–5,5/–9/–10/–12/–13/–15 |
1 |
–20 |
–2%/3% |
TO-254 |
|
CHT-LDN-025 |
–2,5 |
0,1 |
–25 |
|
TO-254 |
|
CHT-LDN-xxx |
–3,3/–5/–5,5/–9/–10/–12/–13/–15 |
1 |
–30 |
±2% |
TO-254 |
|
CHT-VEGA |
1,2–3,3 |
0,5 |
5,5 |
±5% |
TDFP16 |
|
CHT-RIGEL |
1,2–24 |
0,1 |
30 |
±5% |
TDFP16 |
Достоинствами линейных регуляторов напряжения являются минимальные габариты, сравнительно низкая стоимость, а также отсутствие пульсаций выходного напряжения. Линейные регуляторы обеспечивают высокий уровень стабильности выходного напряжения и, несмотря на усиление позиций импульсных преобразователей, с успехом могут применяться для питания ядер процессоров, аналоговых схем, высокоточных АЦП и датчиков. Серия TITAN содержит драйверы ключей и источники опорного напряжения. Все силовые компоненты CISSOID изготавливаются в герметичных металлокерамических корпусах и рассчитаны на работу в широком температурном диапазоне от –55 до +225 °C.
Преобразователи напряжений
В данную группу входят изделия серии VOLCANO (рис. 4), которые представляют собой DC/DC-преобразователи открытого исполнения с выходной мощностью от 1,65 до 150 Вт, построенные с помощью ИМС MAGMA собственного производства.
MAGMA является PWM-контроллером с диапазоном рабочей температуры –55…+225 °C и обеспечивает установку ШИМ в пределах частот от 50 до 500 кГц. MAGMA спроектирована для совместного применения с силовой микросхемой полумостового драйвера ключа HYPERION.
Для того чтобы предоставить возможность отработать схемотехнические решения по построению распределенной системы электропитания, компания CISSOID предлагает отладочные наборы FUJI, предназначенные для серии VOLCANO и включающие гальванически изолированные DC/DC-преобразователи и POL-регуляторы (табл. 3).
Наименование |
VOUT, В |
VIN, В |
IOUT, А |
POUT, Вт |
КПД |
Частота, кГц |
Топология |
Soft Start |
UVLO |
Synq |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
YELLOWSTONE |
0,9–3,3 |
3–5,5 |
0,5 |
1,65 |
90 |
1500 |
Buck |
X |
X |
X |
VESUVIO |
1,2–0,9×VIN |
6–30 |
2 |
50 |
93 |
230 |
Buck |
X |
|
X |
EREBUS |
1,2–0,9×VIN |
12–40 |
2/4/8 |
100 |
90 |
230 |
Buck |
X |
|
X |
EREBUS |
1,2–0,9×VIN |
12–50 |
2/4/8 |
75 |
90 |
230 |
Buck |
X |
|
X |
STROMBOLI |
0…25/0…±25 |
15–40 |
3 |
50* |
82 |
150 |
Flyback |
|
X |
|
STROMBOLI |
0…25/0…±25 |
150–350 |
3 |
150* |
82 |
150 |
Flyback |
|
X |
|
* мощность суммарная на все каналы выходного напряжения (3 А на канал)
Распределенная система электропитания (рис. 5) это многоуровневая структура. На первом уровне выполняется преобразование входного переменного напряжения в постоянное, например 28 В, при этом обеспечивается гальваническая изоляция выходных цепей. На втором уровне постоянное напряжение 28 В понижается DC/DC-преобразователем до более низкого напряжения, например 5 В. На третьем и последующих уровнях питание нагрузки осуществляется, как правило, с помощью неизолированных высокоэффективных POL-регуляторов [3].
В свою очередь, для отработки основных схемотехнических решений, предназначенных для преобразователей напряжения и блоков управления электрическими машинами, CISSOID предлагает инженерам воспользоваться отладочным комплектом HADES (рис. 6), в который вошли два драйвера мощных ключей ATLAS, каждый с контроллером управления THEMIS. Управление контроллерами осуществляется через приемопередатчики RHEA с гальванической изоляцией (доступны в металлокерамических и пластиковых корпусах). Дополнительно в HADES предусмотрен PWM-контроллер для отработки взаимодействия с драйвером HYPERION [2].
THEMIS-ATLAS — это драйвер ключей, специально спроектированный для SiC MOSFET, JFET, IGBT ключей на основе GaN. THEMIS является интеллектуальным контроллером, способным обслуживать до пяти силовых микросхем ATLAS. Изделия выпускаются в металлокерамических корпусах CSOIC28 с рабочей температурой от –55 до +225 °C и в пластиковых PSOIC28 с верхней рабочей температурной границей +175 °C.
RHEA является микросхемой приемопередатчика с двумя full duplex информационными последовательными каналами, с возможностью передачи информации на скорости до 2 Мбит/c на канал и установки гальванической изоляции сигнальных линий. Выпускается в металлокерамическом корпусе, с расширенным температурным диапазоном эксплуатации, а также в пластиковом корпусе, при этом джиттер составляет не более 21 нс во всем диапазоне температур.
Слаботочные микросхемы
В категорию «слаботочные микросхемы» входят три группы изделий CISSOID: RIVER, GALAXY и PULSAR. К группе RIVER относятся 10‑битный АЦП AMAZON, 8‑битный программируемый и высокоскоростной компараторы напряжения NILE и VOLGA. Группа GALAXY объединила все микросхемы двоичной логики (табл. 4), включая триггеры. Микросхемы данной группы могут быть выполнены как в металлокерамическом корпусе CDIL14 с диапазоном рабочих температур от –55 до +225 °C (обозначение CНТ), так и в пластиковом корпусе CSOIC16 с верхней рабочей температурной границей 175 °C (обозначение CMТ) [2].
Наименование |
Описание |
---|---|
CHT/ CMT-7400 |
Четыре 2И-НЕ |
CHT/CMT-7404 |
Восемь инверторов |
CHT/ CMT-7408 |
Четыре 2И |
CHT/CMT-74021 |
Четыре 2ИЛИ-НЕ |
CHT/ CMT-7432 |
Четыре 2ИЛИ |
CHT/ CMT-7474 |
Два D-триггера |
CHT/ CMT-7486 |
Два исключающее ИЛИ |
CHT/ CMT-74132 |
Четыре 2И-НЕ с триггером Шмитта по входу |
CHT-74-4040 |
12-битный счетчик |
PULSAR включает ряд генераторов тактовых импульсов и таймеры 555 (табл. 5). Из данной группы можно выделить генератор CG50LP, который обладает пониженным энергопотреблением, содержит встроенный делитель
частоты (от 1 до 512), схему удаленного управления, а также имеет возможность использования внешнего сигнала синхронизации.
Наименование |
Описание |
Напряжение питания, В |
Частота (max), МГц |
Температурный дрифт |
Корпус |
---|---|---|---|---|---|
CHT-CG50 |
генератор тактовых импульсов |
3,3–5 |
50 |
– |
CDIL24 |
CG50LP |
генератор тактовых импульсов |
3,3–5 |
50 |
– |
TDFP16 |
CHT-555 |
555 таймер |
4,5–5,5 |
4,2 |
100 ppm |
CDIL8 |
CMT-555 |
555 таймер |
4,5–5,5 |
4,2 |
100 ppm |
PSOIC8 |
Заключение
Компания CISSOID выпускает широкую линейку высокотемпературных (–55…+225 °C) электронных компонентов, способных работать в самых экстремальных условиях. Подтверждением может служить температурный тест NASA (от –195 до +400 °C), успешно пройденный компонентами CISSOID. Также следует отметить набор технологических и схемотехнических решений, которые применены при проектировании и изготовлении компонентов. Это позволило обеспечить стойкость к воздействию ионизирующего излучения ряда серийно выпускаемых изделий и возможность их применения в таких областях, как нефтегазовая отрасль, авиационная и военная техника, космическая аппаратура, медицинская техника, атомная энергетика и автомобильная электроника.
- cissoid.com
- CISSOID Product catalog. cissoid.com/images/stories/pdf/Flyers/CISSOID_Catalog_Product.pdf /ссылка утрачена/
- CISSOID High-Reliability Solution Guide. www.cissoid.com/images/stories/pdf/Flyers/Markets/High_Reliability_Guide.pdf /ссылка утрачена/
- Попович А. Топологическая норма и радиационная стойкость // Компоненты и технологии. 2010. № 9.
- Мироненко Л., Юдинцев В. Повышение радиационной стойкости интегральных схем. Конструктивные методы на базе промышленной технологии // Электроника НТБ. 2012. № 8.