Подписка на новости

Реклама

K1482ФП1Т (TISP61089) — электронный фильтр импульсов избыточного напряжения для защиты телефонных линий

№ 8’2013
PDF версия
В статье приведены технические характеристики микросхемы K1482ФП1Т — интегрального однокристального устройства, включающего транзисторные, тиристорные и диодные элементы, разработаного для защиты телефонных линий от индустриальных помех и атмосферных электрических разрядов.
Виды корпусов

Рис. 1. Виды корпусов

K1482ФП1Т — интегральное однокристальное устройство, включающее транзисторные, тиристорные и диодные элементы, разработано для защиты телефонных линий от индустриальных помех и атмосферных электрических разрядов.

Функциональная схема

Рис. 2. Функциональная схема

Особенности электронных фильтров:

  • Ширина программируемого диапазона: от –5 до –85 В.
  • Не нуждается во внешнем диоде для защиты от мощных индуцированных токов.
  • Низкий триггерный ток управления.
  • Ток удержания: IH = 150 мА (min).
Расположение контактных площадок: 01 — K1; 02 — G; 04 — K2; 05 — К2; 08 — К1

Рис. 3. Расположение контактных площадок: 01 — K1; 02 — G; 04 — K2; 05 — К2; 08 — К1

Физические характеристики:

  • Диаметр пластины — (100 ±0,5) мм.
  • Толщина пластины — (290 ±20) мкм.
  • Размер кристалла — 1,86×3,16 мм.
  • Ширина скрайберной дорожки — 80 мкм.
Схема разварки

Рис. 4. Схема разварки

Металлизация:

  • планарная сторона —Al (4,5 ±0,5) мкм;
  • обратная сторона — Al (1 ±0,1) мкм, Ti (0,1 ±0,02) мкм;
  • Ni (0,5 ±0,1) мкм, Ag (0,6 ±0,1) мкм.     
Таблица 1. Параметры фильтра

Обозначение

Параметр

IF

Прямой ток диода

VF

Прямое напряжение диода

IS

Отпирающий ток управления тиристора

IH

Ток удержания тиристора

IRG

Обратный постоянный ток управления тиристора

V(BO)

Напряжение включения тиристора

ID

Ток в закрытом состоянии тиристора

VD

Напряжение в закрытом состоянии тиристора

IT

Ток в открытом состоянии тиристора

ITSM

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии тиристора

VT

Напряжение в открытом состоянии тиристора

VRG

Напряжение управления
Таблица 2. Предельно-допустимые значения параметров
(TA = 25 °C, если другое не оговорено)

Обозначение

Параметр

Значение

VDRM

Допустимое постоянное напряжение
в закрытом состоянии тиристора (IG = 0), В

–45<TA<85 °C

150

VRG

Допустимое постоянное напряжение
«управление-линия», В

–45<TA<85 °C

120

ITSM

Ударный неповторяющийся ток
в открытом состоянии тиристора (50 Гц, синусоида), А

tp = 10 мс

5

tp = 1 с

3,5

Tj

Максимальная температура перехода, °C

 

150

Tstg

Диапазон температуры хранения, °C

 

–60…+150
Таблица 3. Электрические параметры (TA = 25 °C, если другое не оговорено)

Обозначение

Режим измерения

max

VF, В

IF = 5 А, tp ≤ 500 мкс

2

IS, мА

IT ≥ 0,3 A, VD = –12 В

5

IRG, мкА

VRG = –120 В

Tj = +25 °C

5

Tj = +85 °C

50

Tj = –45 °C

50

ID, мкА

VRG = –1 В,

VD = –150 В

Tj = +25 °C

5

Tj = +85 °C

50

Tj = –45 °C

50

01.11.2013 | Электронные компоненты
Оставить комментарий

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Наши проекты:
© Copyright 2025 Компоненты и технологии