иповая схема включения: A1 — микроконтроллер; C1 — конденсатор электролитический емкостью 1000 мкФ ±20%; C2 — конденсатор емкостью 470 нФ ±20%; C3 — конденсатор емкостью 1000 нФ ±20%; C4 — конденсатор электролитический емкостью 10 мкФ ±30%; D1 — микросхема; R1, R3, R4 — резисторы сопротивлением 20 кОм ±5%; R2 — резистор сопротивлением 20 кОм ±5%

Маломощный стабилизатор напряжения с низким остаточным напряжением IZE42794 для автомобильной электроники

№ 1’2018
PDF версия
Микросхема IZE42794 предназначена для создания постоянного напряжения значением 5 В с остаточным напряжением не более 0,5 В при токе нагрузки 100 мА и используется в источниках питания электронной аппаратуры.

Микросхема (рис. 1) имеет внутреннее ограничение максимального тока нагрузки с температурным сбросом выходного напряжения и предназначена для применения в автомобильной электронике.

Схема электрическая структурная микросхемы

Рис. 1. Схема электрическая структурная микросхемы:
A1 — логический элемент;
A2, A3, A5 — усилители;
A4 — усилитель ошибки;
G1 — генератор сброса;
R1–R3 — резисторы;
VT1–VT4 — транзисторы

Основные характеристики:

  • точность выходного напряжения: ±2% в диапазоне выходных токов –100 мкА…–100 мА и входных напряжений 6–18 В;
  • точность выходного напряжения: ±4% в диапазоне входных напряжений до 45 В;
  • обеспечение максимального тока нагрузки до –150 мА;
  • диапазон входного напряжения: 5,7–45 В;
  • низкий ток потребления;
  • низкое остаточное напряжение;
  • функция сброса;
  • супервизор питания (раннее оповещение о включении питания);
  • регулируемый порог сброса;
  • встроенная температурная защита;
  • устойчивость к короткому замыканию посредством внутреннего ограничения максимального тока нагрузки с температурным сбросом выходного напряжения;
  • устойчивость к переполюсовке напряжения до –40 В;
  • совместимость с автомобильными электронными схемами;
  • диапазон рабочих температур кристалла: –40…+125 °C;
  • допустимое значение потенциала статического электричества 2000 В.

Информация о назначении контактных площадок, предельных и предельно допустимых режимах эксплуатации, а также электрических параметрах микросхемы приведена в таблицах 1–4.

иповая схема включения: A1 — микроконтроллер; C1 — конденсатор электролитический емкостью 1000 мкФ ±20%; C2 — конденсатор емкостью 470 нФ ±20%; C3 — конденсатор емкостью 1000 нФ ±20%; C4 — конденсатор электролитический емкостью 10 мкФ ±30%; D1 — микросхема; R1, R3, R4 — резисторы сопротивлением 20 кОм ±5%; R2 — резистор сопротивлением 20 кОм ±5%

Рис. 2. Типовая схема включения:
A1 — микроконтроллер;
C1 — конденсатор электролитический емкостью 1000 мкФ ±20%; C2 — конденсатор емкостью 470 нФ ±20%;
C3 — конденсатор емкостью 1000 нФ ±20%;
C4 — конденсатор электролитический емкостью 10 мкФ ±30%; D1 — микросхема;
R1, R3, R4 — резисторы сопротивлением 20 кОм ±5%;
R2 — резистор сопротивлением 20 кОм ±5%

Таблица 1. Назначение и нумерация контактных площадок

Номера контактной площадки

кристалла

Обозначение

Назначение

01, 02

I

Вход:

для компенсации влияний линии рекомендуется подключать через конденсатор, расположенный близко от выводов микросхемы и подключенный к GND

03

SI

Вход супервизора питания (вход считывания):

  • подключается к входному напряжению UI, которое будет отслеживаться блоком супервизора питания;
  • подключается к выходу Q, если не требуется функция супервизора питания

04

RADJ

Вход регулировки сброса:

  • подключается к выходу Q через резистивный делитель для регулировки порога сброса;
  • подключается к GND для использования встроенного порога сброса (если не требуется регулировка порога сброса)

05

D

Вывод задержки сигнала сброса:

  • подключается керамический конденсатор на GND для регулировки времени задержки при выключении trd;
  • остается свободным, если функция сброса не требуется

11

GND

Общий вывод

12

RO

Выход генератора сброса:

  • выход с открытым коллектором; подключается к выходу Q через внешний заряжающий резистор сопротивлением не менее 10 кОм;
  • остается свободным, если функция сброса не требуется

14

SO

Выход супервизора питания (выход считывания):

  • выход с открытым коллектором подключается к выходу Q через внешний заряжающий резистор сопротивлением не менее 10 кОм;
  • остается свободным, если компаратор считывания не требуется

15, 16

Q

Выход:

блокируется на «землю» конденсатором емкостью не менее 10 мкФ, близко расположенным к выводам микросхемы, с собственным сопротивлением не более 3 Ом

06, 07, 08, 09, 10, 13

Контактные площадки — тестовые

Временная диаграмма работы микросхемы

Рис. 3. Временная диаграмма работы микросхемы:
1 — подача входного напряжения;
2 — срабатывание тепловой защиты;
3 — падение напряжения на входе;
4 — снижение входного напряжения ниже нормы;
5 — кратковременное снижение выходного напряжения;
6 — перегрузка выхода

Таблица 2. Предельные режимы

Обозначение параметра

Наименование параметра

Норма

не менее

не более

UI

Входное напряжение, В

–40

45

UQ

Выходное напряжение, В

–0,3

7

URO

Выходное напряжение на выходе сброса, В

–0,3

7

USO

Выходное напряжение на выходе супервизора питания, В

–0,3

7

UD

Напряжение на выводе задержки сигнала сброса, В

–0,3

7

URADJ

Напряжение на входе регулировки сброса, В

–0,3

7

TJ

Температура кристалла, °С

–60*

150

Примечание. *Указана температура среды.

Таблица 3. Предельно допустимые режимы эксплуатации

Обозначение параметра

Наименование параметра

Норма

не менее

не более

UI

Входное напряжение, В

5,7

45

UQ

Выходное напряжение, В

4,8

5,2

TJ

Температура кристалла, °С

–40*

125

Примечание. *Указана температура среды.

Таблица 4. Электрические параметры микросхем

Буквенное обозначение

Наименование параметра

Режим измерения

Норма

Температура кристалла, °C

не менее

не более

UQ

Выходное напряжение, В

6 В £ UI £ 18 В

–100 мкА £ IQ £ –100 мА

4,9

5,1

25 ±10

–40*;125

5,6 В £ UI £ 45 В

IQ = –100 мкА

4,8

5,2

UDR

Остаточное напряжение, В

UI = 13,5 В,

 IQ = –100 мА

0,5

25±10

–40*; 125

DUQ(U)

Изменение выходного напряжения при изменении входного напряжения, мВ

6 В £ UI £ 32 В

IQ = –5 мА

40

25 ±10

–40*; 125

DUQ(I)

Изменение выходного напряжения при изменении тока нагрузки, мВ

UI = 6 В

–5 мА £ IQ £ –100мА

│–30│

25 ±10

–40*; 125

IQmax

Максимальный выходной ток, мА

UI = 13,5 В, UQ = 4,8 В

│–150│

│–500│

25 ±10

–40*; 125

Iq

Ток потребления, мА

UI = 13,5 В

IQ = –100 мкА

0,28

25 ±10

0,3

–40*; 85

UI = 13,5 В, IQ = –10 мА

1

25 ±10

–40*;125

UI = 13,5 В, IQ = –50 мА

8

25 ±10

–40*; 125

PSRR

Коэффициент сглаживания пульсаций дБ

UI = 13,5 В, f = 100 Гц

60

25 ±10

–40*; 125

Regterm

Термостабилизация, %/Вт

UI = 45 В, IQ = –1 мА

IQ = –67 мА (1200 мс)

0,5

25 ±10

URT

Пороговое напряжение включения выхода генератора сброса, В

4,5

4,8

25 ±10

–40*; 125

URADJ.th

Пороговое напряжение включения по входу регулировки сброса, В

 

1,26

1,44

25 ±10

–40*; 125

URO.low

Напряжение низкого уровня на выходе генератора сброса, В

UQ ≤ 1 В,

R1 = 10 кОм

0,4

25 ±10

–40*; 125

UD.SAT

Напряжение насыщения, В

UI = 13,5 В

0,1

25 ±10

–40*; 125

UDU

Пороговое напряжение переключения выхода RO в состояние высокого уровня, В

1,4

2,2

25 ±10

–40*; 125

UDL

Пороговое напряжение переключения выхода сброса в состояние низкого уровня, В

0,3

0,6

25 ±10

–40*; 125

ID.ch

Ток заряда, мкА

UD = 1 В

3

15

25 ±10

–40*; 125

ID,dch

Ток разряда сброса, мА

UD = 1 В

20

100

25 ±10

–40*; 125

trd

Время задержки при выключении, мс

UI = 13,5 В, IQ = –5 мА, C1 = 100 нФ

17

39

25 ±10

–40*; 125

trr,total

Суммарное время задержки при включении, мкс

UI = 13,5 В, IQ = –5 мА, C1 = 100 нФ

10

25 ±10

–40*; 125

Параметры супервизора питания

USI.high

Пороговое напряжение высокого уровня по входу супервизора питания, В

1,24

1,38

25 ±10

–40*; 125

USI.low

Пороговое напряжение низкого уровня по входу супервизора питания, В

1,15

1,28

25 ±10

–40*; 125

USI.hy

Гистерезис включения по входу супервизора питания, мВ

20

160

25 ±10

–40*; 125

ISI

Входной ток супервизора питания, мкА

UI = 5 В

–1

1,0

25 ±10

–40*; 125

USO.low

Напряжение низкого уровня на выходе супервизора питания, В

UI > 5,5 В, R1 = 10 кОм

0,4

25 ±10

–40*; 125

Примечания.

  1. Обозначения:

UD — напряжение по выводу задержки сигнала сброса (контактная площадка 05);
C1 — емкость, подключаемая к выводу задержки сигнала сброса (контактная площадка 05);
R1 — сопротивление, подключаемое к контактным площадкам 15, 16.

  1. Знак «–» перед нормой на ток в таблицах указывает только его направление (вытекающий ток). За величину тока принимается абсолютное значение показаний измерителя тока.

*Указана температура среды.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *