
Маломощный стабилизатор напряжения с низким остаточным напряжением IZE42794 для автомобильной электроники
Микросхема (рис. 1) имеет внутреннее ограничение максимального тока нагрузки с температурным сбросом выходного напряжения и предназначена для применения в автомобильной электронике.

Рис. 1. Схема электрическая структурная микросхемы:
A1 — логический элемент;
A2, A3, A5 — усилители;
A4 — усилитель ошибки;
G1 — генератор сброса;
R1–R3 — резисторы;
VT1–VT4 — транзисторы
Основные характеристики:
- точность выходного напряжения: ±2% в диапазоне выходных токов –100 мкА…–100 мА и входных напряжений 6–18 В;
- точность выходного напряжения: ±4% в диапазоне входных напряжений до 45 В;
- обеспечение максимального тока нагрузки до –150 мА;
- диапазон входного напряжения: 5,7–45 В;
- низкий ток потребления;
- низкое остаточное напряжение;
- функция сброса;
- супервизор питания (раннее оповещение о включении питания);
- регулируемый порог сброса;
- встроенная температурная защита;
- устойчивость к короткому замыканию посредством внутреннего ограничения максимального тока нагрузки с температурным сбросом выходного напряжения;
- устойчивость к переполюсовке напряжения до –40 В;
- совместимость с автомобильными электронными схемами;
- диапазон рабочих температур кристалла: –40…+125 °C;
- допустимое значение потенциала статического электричества 2000 В.
Информация о назначении контактных площадок, предельных и предельно допустимых режимах эксплуатации, а также электрических параметрах микросхемы приведена в таблицах 1–4.

Рис. 2. Типовая схема включения:
A1 — микроконтроллер;
C1 — конденсатор электролитический емкостью 1000 мкФ ±20%; C2 — конденсатор емкостью 470 нФ ±20%;
C3 — конденсатор емкостью 1000 нФ ±20%;
C4 — конденсатор электролитический емкостью 10 мкФ ±30%; D1 — микросхема;
R1, R3, R4 — резисторы сопротивлением 20 кОм ±5%;
R2 — резистор сопротивлением 20 кОм ±5%
Номера контактной площадки кристалла |
Обозначение |
Назначение |
01, 02 |
I |
Вход: для компенсации влияний линии рекомендуется подключать через конденсатор, расположенный близко от выводов микросхемы и подключенный к GND |
03 |
SI |
Вход супервизора питания (вход считывания):
|
04 |
RADJ |
Вход регулировки сброса:
|
05 |
D |
Вывод задержки сигнала сброса:
|
11 |
GND |
Общий вывод |
12 |
RO |
Выход генератора сброса:
|
14 |
SO |
Выход супервизора питания (выход считывания):
|
15, 16 |
Q |
Выход: блокируется на «землю» конденсатором емкостью не менее 10 мкФ, близко расположенным к выводам микросхемы, с собственным сопротивлением не более 3 Ом |
06, 07, 08, 09, 10, 13 |
– |
Контактные площадки — тестовые |

Рис. 3. Временная диаграмма работы микросхемы:
1 — подача входного напряжения;
2 — срабатывание тепловой защиты;
3 — падение напряжения на входе;
4 — снижение входного напряжения ниже нормы;
5 — кратковременное снижение выходного напряжения;
6 — перегрузка выхода
Обозначение параметра |
Наименование параметра |
Норма |
|
не менее |
не более |
||
UI |
Входное напряжение, В |
–40 |
45 |
UQ |
Выходное напряжение, В |
–0,3 |
7 |
URO |
Выходное напряжение на выходе сброса, В |
–0,3 |
7 |
USO |
Выходное напряжение на выходе супервизора питания, В |
–0,3 |
7 |
UD |
Напряжение на выводе задержки сигнала сброса, В |
–0,3 |
7 |
URADJ |
Напряжение на входе регулировки сброса, В |
–0,3 |
7 |
TJ |
Температура кристалла, °С |
–60* |
150 |
Примечание. *Указана температура среды.
Обозначение параметра |
Наименование параметра |
Норма |
|
не менее |
не более |
||
UI |
Входное напряжение, В |
5,7 |
45 |
UQ |
Выходное напряжение, В |
4,8 |
5,2 |
TJ |
Температура кристалла, °С |
–40* |
125 |
Примечание. *Указана температура среды.
Буквенное обозначение |
Наименование параметра |
Режим измерения |
Норма |
Температура кристалла, °C |
|
не менее |
не более |
||||
UQ |
Выходное напряжение, В |
6 В £ UI £ 18 В –100 мкА £ IQ £ –100 мА |
4,9 |
5,1 |
25 ±10 –40*;125 |
5,6 В £ UI £ 45 В IQ = –100 мкА |
4,8 |
5,2 |
|||
UDR |
Остаточное напряжение, В |
UI = 13,5 В, IQ = –100 мА |
– |
0,5 |
25±10 –40*; 125 |
DUQ(U) |
Изменение выходного напряжения при изменении входного напряжения, мВ |
6 В £ UI £ 32 В IQ = –5 мА |
– |
40 |
25 ±10 –40*; 125 |
DUQ(I) |
Изменение выходного напряжения при изменении тока нагрузки, мВ |
UI = 6 В –5 мА £ IQ £ –100мА |
– |
│–30│ |
25 ±10 –40*; 125 |
IQmax |
Максимальный выходной ток, мА |
UI = 13,5 В, UQ = 4,8 В |
│–150│ |
│–500│ |
25 ±10 –40*; 125 |
Iq |
Ток потребления, мА |
UI = 13,5 В IQ = –100 мкА |
– |
0,28 |
25 ±10 |
– |
0,3 |
–40*; 85 |
|||
UI = 13,5 В, IQ = –10 мА |
– |
1 |
25 ±10 –40*;125 |
||
UI = 13,5 В, IQ = –50 мА |
– |
8 |
25 ±10 –40*; 125 |
||
PSRR |
Коэффициент сглаживания пульсаций дБ |
UI = 13,5 В, f = 100 Гц |
60 |
– |
25 ±10 –40*; 125 |
Regterm |
Термостабилизация, %/Вт |
UI = 45 В, IQ = –1 мА IQ = –67 мА (1200 мс) |
– |
0,5 |
25 ±10 |
URT |
Пороговое напряжение включения выхода генератора сброса, В |
– |
4,5 |
4,8 |
25 ±10 –40*; 125 |
URADJ.th |
Пороговое напряжение включения по входу регулировки сброса, В |
1,26 |
1,44 |
25 ±10 –40*; 125 |
|
URO.low |
Напряжение низкого уровня на выходе генератора сброса, В |
UQ ≤ 1 В, R1 = 10 кОм |
– |
0,4 |
25 ±10 –40*; 125 |
UD.SAT |
Напряжение насыщения, В |
UI = 13,5 В |
– |
0,1 |
25 ±10 –40*; 125 |
UDU |
Пороговое напряжение переключения выхода RO в состояние высокого уровня, В |
– |
1,4 |
2,2 |
25 ±10 –40*; 125 |
UDL |
Пороговое напряжение переключения выхода сброса в состояние низкого уровня, В |
– |
0,3 |
0,6 |
25 ±10 –40*; 125 |
ID.ch |
Ток заряда, мкА |
UD = 1 В |
3 |
15 |
25 ±10 –40*; 125 |
ID,dch |
Ток разряда сброса, мА |
UD = 1 В |
20 |
100 |
25 ±10 –40*; 125 |
trd |
Время задержки при выключении, мс |
UI = 13,5 В, IQ = –5 мА, C1 = 100 нФ |
17 |
39 |
25 ±10 –40*; 125 |
trr,total |
Суммарное время задержки при включении, мкс |
UI = 13,5 В, IQ = –5 мА, C1 = 100 нФ |
– |
10 |
25 ±10 –40*; 125 |
Параметры супервизора питания |
|||||
USI.high |
Пороговое напряжение высокого уровня по входу супервизора питания, В |
– |
1,24 |
1,38 |
25 ±10 –40*; 125 |
USI.low |
Пороговое напряжение низкого уровня по входу супервизора питания, В |
– |
1,15 |
1,28 |
25 ±10 –40*; 125 |
USI.hy |
Гистерезис включения по входу супервизора питания, мВ |
– |
20 |
160 |
25 ±10 –40*; 125 |
ISI |
Входной ток супервизора питания, мкА |
UI = 5 В |
–1 |
1,0 |
25 ±10 –40*; 125 |
USO.low |
Напряжение низкого уровня на выходе супервизора питания, В |
UI > 5,5 В, R1 = 10 кОм |
– |
0,4 |
25 ±10 –40*; 125 |
Примечания.
- Обозначения:
UD — напряжение по выводу задержки сигнала сброса (контактная площадка 05);
C1 — емкость, подключаемая к выводу задержки сигнала сброса (контактная площадка 05);
R1 — сопротивление, подключаемое к контактным площадкам 15, 16.
- Знак «–» перед нормой на ток в таблицах указывает только его направление (вытекающий ток). За величину тока принимается абсолютное значение показаний измерителя тока.
*Указана температура среды.