Моделирование МОП-транзисторов. Методологический аспект

№ 7’2004
PDF версия
Преодоление полупроводниковой технологией 0,25-микронного рубежа предъявило новые требования к системам моделирования ИС. Теперь даже цифровые ИС требуют детального схемотехнического моделирования с применением точных компактных моделей. В статье описаны методологические проблемы построения компактных моделей МОП-транзисторов.

Статьи данных номеров доступны только в pdf-формате. Вы можете заказать старые номера журнала «Компоненты и технологии» в редакции. Извините за доставленные неудобства.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *