Два новых GaN-транзистора с высокой подвижностью электронов (HEMT)

Компания Cree объявила о выходе двух новых GaN-транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT).

Основной областью применения новинок — CGHV14250 и CGHV14500 с выходной мощностью 250 и 500 Вт соответственно — являются L-радары с диапазоном рабочих частот 1,2–1,4 ГГц.

Новые транзисторы Cree по сравнению с существующими компонентами обладают повышенной эффективностью при температуре 85 °C, высоким коэффициентом усиления по мощности, а также широкой пропускной способностью. Это позволяет улучшить характеристики специального оборудования, работающего в диапазоне частот от UHF до 1,8 ГГц: радионавигационных систем ближнего действия (TACAN), радиолокационных систем опознавания самолетов и кораблей типа «свой – чужой» (IFF) и других военных телеметрических систем.

С помощью новых транзисторов, основанных на технологии GaN, на SiC с рабочим напряжением 50 В и с толщиной затвора 0,4 мкм специалисты-разработчики могут получить высокие показатели мощности и малые искажения, связанные, например, с изменениями формы сигнала.

Эти компоненты имеют предварительное согласование на входе и собраны в металлокерамических фланцевых корпусах или корпусах таблеточного типа. Поэтому они значительно меньше, чем аналогичные СВЧ-компоненты на основе арсенида галлия (GaAs) или кремния (Si).

Основные характеристики транзистора CGHV14250:

• Типичная выходная мощность: 250 Вт.
• Коэффициент усиления: 18 дБ.
• Типовой КПД стока: 77%.

Основные характеристики транзистора CGHV14500:

• Типичная выходная мощность: 500 Вт.
• Коэффициент усиления: 17 дБ.
• Типовой КПД стока: 70%.

ПРОСОФТ