Импульсные диоды от ОАО «Цветотрон»
Диод импульсный 2Д695А, 2Д695Б, 2Д695В (АЕЯР.432120.589 ТУ)
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды 2Д695А, 2Д695Б, 2Д695В (рис. 1) в стеклянном корпусе КД‑34 (ГОСТ 18472-88) предназначены для работы в аппаратуре специального назначения.
- Масса диода: не более 0,04 г.
- Диапазон рабочих температур: –60…+125 °C.
- Гарантийный срок: 25 лет.
- Гарантийная наработка: 80 000 ч.
- Цвет маркировки: красный.
Технические характеристики диодов представлены в таблице 1.
Наименование параметра, единица измерения (режим измерения) |
Буквенное обозначение параметра |
Норма параметра для диода |
|||||
2Д695А |
2Д695Б |
2Д695В |
|||||
не менее |
не более |
не менее |
не более |
не менее |
не более |
||
Обратный ток, мкА |
Iобр |
|
|
|
|
|
|
при Uобр = 200 В |
– |
0,1 |
– |
– |
– |
– |
|
при Uобр = 150 В |
– |
– |
– |
0,1 |
– |
– |
|
при Uобр = 100 В |
– |
– |
– |
– |
– |
0,1 |
|
Прямое напряжение, В при IПР =100 мА |
Uпр |
– |
1 |
– |
1 |
– |
1 |
Обратное пробивное напряжение, В при IОБР = 100 мкА, tp/Т = 0,01, tp = 0,03 мс |
Uпроб |
250 |
– |
200 |
– |
120 |
– |
Емкость, пФ при UОБР = 0 В и частоте сигнала f = 1 МГц |
СД |
– |
5 |
– |
5 |
– |
5 |
Заряд восстановления, пКл при переключении с IПР = 30 мА на UОБР = 10 В |
Qвос |
– |
600 |
– |
600 |
– |
600 |
Время обратного восстановления, нс при IПР = IОБР = 30 мА, iвос. = 0,1×IОБР = 3 мА, |
tвос.обр. |
– |
50 |
– |
50 |
– |
50 |
Диод импульсный 2Д814А (АЕЯР.432120.340 ТУ)
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды 2Д814А (табл. 2, рис. 2) в корпусе КД‑3 (ГОСТ 18472) предназначены для работы в аппаратуре специального назначения.
- Масса диода: не более 0,15 г.
- Диапазон рабочих температур: –60…+125 °C.
- Гарантийная наработка:
- 80 000 ч в предельно допустимом режиме,
- 120 000 ч в типовом режиме.
- Цвет маркировки: черный.
Обозначение |
L, мм |
Н, мм |
РИДП.432123.502 |
28,4 ±0,2 |
60,8 |
РИДП.432123.501 |
28,7 ±0,2 |
61,28 |
Основные технические характеристики диода 2Д814А приведены в таблице 3.
Наименование параметра, единица измерения (режим измерения) |
Буквенное обозначение |
Норма |
|
не менее |
не более |
||
Обратный ток при максимальном обратном напряжении, мкА |
IОБР |
|
|
UОБР1 = 75 В |
– |
5 |
|
UОБР2 = 20 В |
– |
0,025 |
|
Прямое напряжение при постоянном токе IПР = 10 мА, В |
UПР |
– |
1 |
Обратное пробивное напряжение при обратном токе IОБР = 100 мкА, В |
Uпроб |
100 |
– |
Емкость при обратном смещении UОБР = 0 В и частоте сигнала f = 1 МГц, пФ |
СД |
– |
4 |
Заряд восстановления при переключении с IПР = 10 мА на UОБР =10 В, пКл |
Qвос |
– |
200 |
Время обратного восстановления, нс при IПР = 10 мА, UОБР = 10 В, iвос. = 0,1×IОБР, RΣ = 300 Ом |
tвос.обр. |
– |
4 |
Примечания.
- IОБР при UОБР2 = 20В измеряется при Токр = +(25 ±5) °C
- Время обратного восстановления (tвос.обр.) гарантируется конструкцией и измерением заряда восстановления Qвос).
ОАО «Цветотрон»
(холдинг «ИНТЕГРАЛ»)
224022, Республика Беларусь,
г. Брест, ул. Карьерная, д. 11, корп. 3
Тел./факс: +375 (162) 48-68-14, 48-69-62
E‑mail: postmaster@tsvetotron.com, cvetsbit@tut.by