Цветотрон

Импульсные диоды от ОАО «Цветотрон»

№ 8’2018
PDF версия
Представлены основные характеристики импульсных диодов 2Д695А, 2Д695Б, 2Д695В, а также 2Д814А, выпускаемых ОАО «Цветотрон».

Диод импульсный 2Д695А, 2Д695Б, 2Д695В (АЕЯР.432120.589 ТУ)

Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды 2Д695А, 2Д695Б, 2Д695В (рис. 1) в стеклянном корпусе КД‑34 (ГОСТ 18472-88) предназначены для работы в аппаратуре специального назначения.

Габаритный чертеж диодов 2Д695А, 2Д695Б, 2Д695В

Рис. 1. Габаритный чертеж диодов 2Д695А, 2Д695Б, 2Д695В

  • Масса диода: не более 0,04 г.
  • Диапазон рабочих температур: –60…+125 °C.
  • Гарантийный срок: 25 лет.
  • Гарантийная наработка: 80 000 ч.
  • Цвет маркировки: красный.

Технические характеристики диодов представлены в таблице 1.

Таблица 1. Основные электрические параметры диодов 2Д695А, 2Д695Б, 2Д695В при Токр = +25 °C

Наименование параметра, единица измерения (режим измерения)

Буквенное обозначение параметра

Норма параметра для диода

2Д695А

2Д695Б

2Д695В

не менее

не более

не менее

не более

не менее

не более

Обратный ток, мкА

Iобр

 

 

 

 

 

 

при Uобр = 200 В

0,1

при Uобр = 150 В

0,1

при Uобр = 100 В

0,1

Прямое напряжение, В

при IПР =100 мА

Uпр

1

1

1

Обратное пробивное напряжение, В

при IОБР = 100 мкА, tp/Т = 0,01, tp = 0,03 мс

Uпроб

250

200

120

Емкость, пФ

при UОБР = 0 В и частоте сигнала f = 1 МГц

СД

5

5

5

Заряд восстановления, пКл

при переключении с IПР = 30 мА на UОБР = 10 В

Qвос

600

600

600

Время обратного восстановления, нс

при IПР = IОБР = 30 мА,  iвос. = 0,1×IОБР = 3 мА,
RΣ = 100 Ом

tвос.обр.

50

50

50

 

Диод импульсный 2Д814А (АЕЯР.432120.340 ТУ)

Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды 2Д814А (табл. 2, рис. 2) в корпусе КД‑3 (ГОСТ 18472) предназначены для работы в аппаратуре специального назначения.

Габаритный чертеж диода 2Д814А

Рис. 2. Габаритный чертеж диода 2Д814А
l1 — неконтролируемая и непригодная для монтажа зона

  • Масса диода: не более 0,15 г.
  • Диапазон рабочих температур: –60…+125 °C.
  • Гарантийная наработка:
    • 80 000 ч в предельно допустимом режиме,
    • 120 000 ч в типовом режиме.
  • Цвет маркировки: черный.
Таблица 2. Габариты диодов

Обозначение

L, мм

Н, мм

РИДП.432123.502

28,4 ±0,2

60,8

РИДП.432123.501

28,7 ±0,2

61,28

Основные технические характеристики диода 2Д814А приведены в таблице 3.

Таблица 3. Основные электрические параметры диода 2Д814А при Токр = +25 °C

Наименование параметра, единица измерения (режим измерения)

Буквенное обозначение

Норма

не менее

не более

Обратный ток при максимальном  обратном напряжении, мкА

IОБР

 

 

UОБР1 = 75 В

5

UОБР2 = 20 В

0,025

Прямое напряжение при постоянном токе IПР = 10 мА, В

UПР

1

Обратное пробивное напряжение при обратном токе IОБР = 100 мкА, В

Uпроб

100

Емкость при обратном смещении UОБР = 0 В и частоте сигнала f = 1 МГц, пФ

СД

4

Заряд восстановления при переключении с IПР = 10 мА на UОБР =10 В, пКл

Qвос

200

Время обратного восстановления, нс

при IПР = 10 мА, UОБР = 10 В, iвос. = 0,1×IОБР, RΣ = 300 Ом

tвос.обр.

4

Примечания.

  1. IОБР при UОБР2 = 20В измеряется при Токр = +(25 ±5) °C
  2. Время обратного восстановления (tвос.обр.) гарантируется конструкцией и измерением заряда восстановления Qвос).

 

ОАО «Цветотрон»
(холдинг «ИНТЕГРАЛ»)
224022, Республика Беларусь,
г. Брест, ул. Карьерная, д. 11, корп. 3
Тел./факс: +375 (162) 48-68-14, 48-69-62
E‑mail: postmaster@tsvetotron.com, cvetsbit@tut.by

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *