Монолитные усилители мощности СВЧ: от С-диапазона до миллиметровых волн

Рассматриваются современные монолитные GaAs микросхемы усилителей мощности СВЧ, предназначенные для работы в различных диапазонах частот от 3,4 до 32 ГГц. Представлены изделия ведущих мировых производителей (Toshiba, Fujitsu, M/A-Com, Hewlett-Packard, GaAsTEK, Teledyne Electronic Technologies), как серийно выпускаемые, так и готовящиеся к производству. Приведены основные параметры усилителей, и...

Отечественные электрически управляемые СВЧ-аттенюаторы

Аттенюаторы некоторых зарубежных фирм подробно рассмотрены в [1, 2]. О продукции российских предприятий информации явно недостаточно. В данной статье дан обзор отечественных аттенюаторов на основе p-i-n

Проектирование ВЧ схем на микросхемах HMC414MS8G с использованием дешевых материалов для печатных плат

В данной статье подробно рассмотрены прикладные проблемы при проектировании схем с использованием монолитных СВЧ интегральных схем (MMIC) усилителей мощности, даны подробные рекомендации по расчету и проектированию схем согласования с возможностью перехода к дешевым материалам печатных плат, приводятся примеры с результатами моделирования и экспериментальными данными.

Опыт проектирования высокочастотных фильтров с использованием элементной базы фирмы АТС

При разработке высокочастотных фильтров встает извечная проблема выбора между обеспечением хороших электрических характеристик и малых габаритов. Появление малогабаритных SMD-индуктивностей, обладающих высокой добротностью и имеющих высокие паразитные резонансные частоты, позволяет создавать малогабаритные фильтры, успешно конкурирующие по электрическим характеристикам и габаритам с фильтрами н...

Многослойные гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN/AlGaN — основа новой компонентной базы твердотельной СВЧ электроники

В статье рассмотрены уникальные возможности широкозонных полупроводниковых нитридов III группы, позволяющие создавать мощные приемо-передающие устройства СВЧ-диапазона, а также пути преодоления основных проблем, возникающих при разработке технологии приборных нитридных гетероструктур. Комплексный подход, заключающийся в создании специализированного ростового оборудования и применении новаторски...

Мощные ВЧ и СВЧ полевые транзисторы для аппаратуры средств радиосвязи

В данной статье речь идет о новых мощных ВЧ и СВЧ полевых (DMOS) генераторных транзисторах, разработанных и освоенных на Воронежском ФГУП «НИИ электронной техники».

Миниатюрные коаксиальные фильтры для цепей управления микроэлектронных устройств

Подавление межсистемных и внутрисистемных электромагнитных помех является важнейшей задачей при создании устройств микроэлектроники СВЧ. Фильтрация помех в цепях питания освещена достаточно полно [1]. Подавление же помех в цепях управления, в которых используются импульсные сигналы, не нашло достаточного отражения в специальной литературе. Этому посвящена настоящая работа.

Отечественные транзисторные усилители СВЧ.
Сравнение российских производителей усилителей СВЧ

В работе [1] сделан обзор зарубежных твердотельных усилителей, работающих в диапазоне частот 1–100 ГГц с выходной мощностью до 10 Вт, определены их параметры и дана классификация усилителей. В настоящей статье представлен обзор продукции двенадцати отечественных предприятий, выпускающих транзисторные усилители СВЧ (малошумящие, узкополосные иширокополосные) с рабочими частотами до 27 ГГц и вых...

Синтез параметрического избирательного фильтра СВЧ-диапазона

Отделение высокочастотных приборов PPGR компании Microsemi Corporation начало производство мощных СВЧ-модулей, так называемых паллет, для применения в радарах, работающих в диапазонах частот L (1200–1400 МГц) и S (2700–3100 МГц, 3100–3400 МГц). Такие СВЧ-модули позволяют получить в 2–3 раза большую выходную мощность по сравнению с одиночными транзисторами и имеют крайне простую концепцию работы...

ВЧ высокочастотные компоненты фирмы Tyco Electronics M/A-COM: широкополосные транзисторные усилители

Эта публикация продолжает серию статей, посвященных высокочастотным компонентам фирмы Tyco Electronics M/A(COM [1, 2]. В данной статье рассмотрены особенности широкополосных транзисторных усилителей.