Компания Microchip Technology анонсирует выпуск нового готового к производству цифрового драйвера затвора на 1200 В, который обеспечивает несколько уровней управления и защиты для безопасной и надежной работы и отвечает строгим требованиям к эксплуатации транспортных средств. Разработчикам источников питания на основе карбида кремния компания Microchip предлагает готовый к производству полностью конфигурируемый двухканальный цифровой драйвер затвора AgileSwitch 2ASC-12A2HP на 1200 В, использующий усовершенствованную технологию коммутации (Augmented Switching). Для обеспечения надежной и ...

Компания International Rectifier анонсировала выпуск новой продукции — силовых IGBT-модулей. На первом этапе в производство запущены модули на базе IGBT-кристаллов поколений Gen5 и Gen7. Затем предполагается начать изготовление модулей, содержащих IGBT-кристаллы нового поколения Gen8, обладающих низкими значениями напряжения насыщения и способных коммутировать большие токи. Цель данной статьи —...

Компания Microchip Technology анонсирует первые в отрасли силовые модули без базовых плат, предназначенные для авиакосмической отрасли, которые позволяют повысить эффективность и уменьшить массогабаритные показатели систем преобразования мощности и управления электроприводами. Эти модули были разработаны совместно с консорциумом Clean Sky — государственно-частным партнерством между Европейской комиссией и европейской авиакосмической отраслью. Силовые модули BL1, BL2 и BL3 отвечают жестким требованиям авиакосмической отрасли к выхлопным газам, позволяя к 2050 году исключить вредное влияние ...

Силовые транзисторы International Rectifier в корпусе DirectFET характеризуются малым сопротивлением канала, низкой индуктивностью выводов и отличной теплоотдачей. Однако непривычная конструкция корпуса может создать некоторые неудобства при монтаже. Но если вы будете следовать советам производителя и его рекомендациям по монтажу таких компонентов, то сможете снизить риск появления брака при их...

Современная силовая электроника практически немыслима без импульсных преобразователей энергии — корректоров коэффициента мощности, преобразователей напряжения, инверторов, драйверов электродвигателей и др. В основе каждой из этих схем лежит силовой транзистор, чье состояние изменяется согласно требуемой функции управления. Во многом от характеристик транзистора зависит эффективность работы импу...

IGBT-транзисторы, как известно, имеют протяженный «хвост» тока (tail current) и используются главным образом в низкочастотных приводах. IGBT для работы на частоте до 30 кГц назывались быстрыми, и в них ради снижения коммутационных потерь завышался уровень статических потерь. В 2008 году компания Infineon представила революционную технологию IGBT-транзисторов HighSpeed3, обладающих наивысшей эфф...

Компания CISSOID расширила свою линейку трехфазных интеллектуальных силовых модулей (IPM) на полевых транзисторах из карбида кремния (SiC), представив новые силовые модули на плоской опорной панели из AlSiC 9 (композитный материал с металлической матрицей на основе алюминия и карбида кремния): CXT-PLA3SA12340AA (1200 В/340 A); CXT-PLA3SA12550AA (1200 В/550 A); CMT-PLA3SB12340AA (1200 В/340 A). Устройства отвечают требованиям теплоотвода при естественной конвекции или принудительном охлаждении для применений в аэрокосмической отрасли и специализированных промышленных приложениях. ...

Компания XP Power представила новую серию HRC05 5-В преобразователей постоянного напряжения в высоковольтные напряжения до 6 кВ. Преобразователи напряжения обеспечивают хорошо стабилизированное напряжение с возможностью подстройки, а также защитой от короткого замыкания, перегрузки по току и перегрева. Модули имеют встроенную функцию защиты от дугового разряда. Выходное напряжение управляется в диапазоне 0–100% напряжением в диапазоне 0–5 В. Преобразователи серии HRC05 имеют цифровые совместимые функции управления и контроля выходным напряжением и током, легко встроить в любое применение. Это ...

Элементы силовой электроники на основе нитрида галлия (GaN) стремительно обретают популярность благодаря своей способности работать на частотах и скоростях переключения, значения которых лежат далеко за пределами возможностей силовых приборов на основе кремния. Дискретные компоненты на основе GaN могут функционировать при скоростях нарастания выходного напряжения вплоть до 70 В/нс, при этом на ...

В связи с экспоненциальным ростом спроса на мощное телекоммуникационное и серверное оборудование ежегодно повышаются требования к плотности мощности его источников питания. Увеличение плотности мощности достигается за счет снижения числа компонентов в схеме, уменьшения габаритных размеров реактивных компонентов и/или возрастания эффективности системы. Переход на более высокие частоты переключен...