Проблемы формирования микросварных соединений с повышенной плотностью монтажа

В статье предложены пути решения проблем формирования микросварных соединений с повышенной плотностью монтажа. Они включают многоуровневое расположение выводов в корпусе, применение микроинструмента с утонением рабочего торца и прецизионных устройств формирования шарика, обеспечивающих воспроизводимость качества соединений.

Экспериментальные исследования особенностей щелочного травления кварцевых кристаллических элементов

В статье рассматриваются некоторые результаты экспериментального исследования щелочного травления кварцевых кристаллических элементов.

Учет резистивно-емкостных эффектов при проектировании цифровых БИС по субмикронным проектным нормам

С наступлением эры субмикронных технологий БИС стали работать на высоких частотах, потреблять больший ток и мощность при меньших напряжениях питания. Обострились паразитные эффекты (паразитная емкость связи между проводниками, приводящая к перекрестным искажениям, электромиграция, времязависимый пробой подзатворных оксидов, паразитное падение напряжения в цепях питания и заземления, паразитные ...

Использование нейронных сетей для изучения надежности ИС

Под техническими характеристиками ИС понимают электрические параметры ИС, контролируемые по ТУ. Например, для ТТЛ ИС обязательным является контролирование параметров UOL (выходное напряжение низкого уровня) и UOH (выходное напряжение высокого уровня).

Особенности сборки транзисторов в корпусе D-PAK

Авторы статьи, имея многолетний опыт в области сборки и монтажа изделий электроники, разрабатывают новые автоматизированные процессы монтажа кристаллов транзисторов вибрационной пайкой в защитной атмосфере. Для того чтобы гарантировать требуемую устойчивость мощных транзисторов, выполненных в корпусе D-Pak, к условиям поверхностного монтажа, необходимо обеспечить высокое качество посадки криста...

Легкоплавкие стекла с определенным комплексом физико-механических свойств

Легкоплавкие стекла (стекла, температура размягчения которых находится ниже 600 °С) применяются для герметизации полупроводниковых приборов с целью защиты их от механических воздействий и химической коррозии, попадания влаги и примесей, ухудшающих их электрические характеристики. В некоторых случаях применение легкоплавкого стекла вызвано ограничениями, накладываемыми на допустимую максимальную...