Микросхемы памяти компании STMicroelectronics. Часть 4

В статье продолжается рассмотрение различных видов памяти, разрабатываемых и производимых компанией STMicroelectronics, одним из мировых лидеров по производству электронных компонентов, в том числе микросхем памяти, обладающей уникальной технологией производства Flash-памяти и программируемых систем памяти на одном кристалле.

Микросхемы памяти компании STMicroelectronics. Часть 3

В статье продолжается рассмотрение различных видов памяти, разрабатываемых и производимых компанией STMicroelectronics, одним из мировых лидеров по производству электронных компонентов, в том числе микросхем памяти, обладающей уникальной технологией производства Flash-памяти и программируемых систем памяти на одном кристалле (Микросхемы памяти EPROM компании STMicroelectronics, №6 2003; Микросх...

Микросхемы памяти компании STMicroelectronics. Часть 2

В статье продолжается рассмотрение различных видов памяти, разрабатываемых и производимых компанией STMicroelectronics (ST), одним из мировых лидеров по производству электронных компонентов, в том числе микросхем памяти, и обладающей уникальной технологией производства Flash-памяти и программируемых систем памяти на одном кристалле.

Микросхемы памяти компании STMicroelectronics. Часть 1

В статье рассказывается о принципах построения микросхем памяти и дается обзор различных видов памяти разрабатываемых и производимых компанией STMicroelectronics, одного из мировых лидеров по производству электронных компонентов, в том числе микросхем памяти, и обладающей уникальной технологией производства Flash-памяти и программируемых систем памяти на одном кристалле.

Радиационно-стойкая статическая оперативная память от BAE Systems. Часть 1

Оперативная память — это неотъемлемая часть любого вычислительного устройства. Выбор «обычных» микросхем статической памяти (ОЗУ) весьма велик, и достигнутые производителями технические характеристики отвечают самым высоким требованиям коммерческих приложений. Совсем иначе обстоят дела с радиационно-стойкими микросхемами памяти. До сих пор требования по стойкости к факторам космического простра...

Новые микросхемы памяти FeRAM компании OKI Semiconductor

Дальнейшее улучшение параметров микросхем памяти является одним из наиболее актуальных направлений современной микроэлектроники. Исторически знаменитый закон Мура выдвигался для интегральных микросхем обработки информации, однако приблизительно тот же экспоненциальный рост объемов наблюдается и в микросхемах памяти (что логично, учитывая, что закон касается взрывообразного роста количества тран...

CATALIST от ON Semiconductor: качественная EEPROM без лишних материальных затрат

Широта использования микросхем энергонезависимой EEPROM обуславливается известными преимуществами — высоким допустимым количеством циклов перезаписи, простотой внедрения и низкой стоимостью. Применение памяти такого вида может быть эффективно там, где необходимо запоминать относительно небольшие объемы часто обновляемой информации, а использование flash избыточно. Это хороший выбор для массовых...

Радиационно-стойкая статическая оперативная память от BAE Systems. Часть 2

В предыдущем номере журнала обсуждалось четвертое поколение статических ОЗУ, выпускаемых корпорацией BAE Systems и доступных в России с 2009 года. Сегодня отечественные разработчики могут использовать следующее, уже пятое с 1983 года поколение микросхем памяти от BAE Systems. Очередное семейство, получившее название Monolithic, основано на принципиально новом чипе объемом 2 097 152 × 8 ...

Хранить вечно.
Интервью Майкла Холабо, старшего вице-президента по маркетингу и продажам компании Ramtron

Интервью Майкла Холабо (Michael Hollabaugh), старшего вице-президента по маркетингу и продажам компании Ramtron, для журнала «Компоненты и технологии».

Халькогенидная энергонезависимая память CRAM

Практическая реализация запатентованного более 40 лет назад запоминающего устройства на основе эффекта изменения фазы агрегатного состояния вещества потребовала десятилетий исследований. Сегодня микросхемы энергонезависимой памяти CRAM с запоминающими ячейками на основе сплавов GeSbTe начинают входить в повседневную практику космического приборостроения как один из ключевых элементов радиационн...