Микросхемы SigmaQuad-II/II+ и SigmaDDR-II/II+ от GSI Technology

Материал посвящен целевому назначению микросхем SigmaRAM, их эволюции и основным отличиям в поколениях. Статья позволяет читателю быстро сориентироваться в выборе семейства SRAM исходя из заданной производительности и характера обращений к памяти.

4-Мбит Serial EEPROM-память с самой высокой плотностью от Microchip

Компания Microchip Technology Inc. анонсирует новую память EEPROM семейства 25CSM04. Плотность новой памяти EEPROM от Microchip является наибольшей среди запоминающих устройств EEPROM и в два раза превышает плотность 2-Мбит памяти, которая до сих пор ограничивала возможности проектирования: разработчики использовали относительно недорогие ИС флэш-памяти NOR для хранения наборов данных во всех энергонезависимых приложениях плотностью выше 2 Мбит. Поскольку показатели EEPROM лучше, чем у флэш-памяти NOR, компания Microchip разработала 4-Мбит EEPROM. К числу преимуществ EEPROM относятся: ...

Измерение сигналов DDR с помощью переходника от Agilent

В статье описываются применение переходника пробников для тестирования микросхем BGA (в дальнейшем — «переходник») и связанные с этим проблемы, рассказывается о физической реализации переходника и его влиянии на тестируемую систему, а также об анализе сигналов с помощью ПО исключения элементов схемы. Касаясь методологии проектирования, авторы выделяют важные аспекты, которые надо учитывать для ...

Модули оперативной памяти и SSD от Apacer

Apacer Technology Inc. — мировой разработчик, производитель и поставщик серийно выпускаемых и специализированных решений на основе flash-памяти. Производство компании находится на Тайване, однако основными рынками сбыта являются Япония, США и Европа. Apacer имеет два подразделения, ориентированных соответственно на потребительский рынок и на спецприменения: промышленность, авиакосмическая отрас...

Энергонезависимая память будущего Fujitsu FRAM

Свойства сегнетоэлектрической памяти FRAM уникальны: она сочетает в себе преимущества традиционных энергонезависимых ячеек и быстродействующих ячеек оперативной памяти. С экономической точки зрения это весьма перспективная технология.

Микросхемы SRAM No Bus Turnaround от GSI Technology

В статье дан краткий обзор семейства No Bus Turnaround (NBT) и на примере продуктовой линейки GSI Technology рассмотрены отличия режимов работы микросхемы, дополнительные функциональные возможности и ключевые параметры.

Сегментация EEPROM-памяти микросхем FTDI на примере ft232h

В статье рассматривается назначение полей энергонезависимой памяти EEPROM, применяемых для конфигурации микросхем фирмы FTDI, а также совместимость конфигурации микросхем внутри серии.

Микросхемы высокопроизводительной памяти GSI — теперь и в России

Компания GSI Technology достаточно хорошо известна на мировом рынке микросхем высокопроизводительной памяти, но в России ее продукция появилась лишь недавно. Евгений Павлюкович, директор Semicom — представительства GSI Technology в России и СНГ, рассказал нашему журналу о специализации компании, преимуществах ее микросхем, а также о состоянии этого рынка в России и мире.

Winbond стал ведущим поставщиком для портативных электронных устройств с выпуском пакета HyperRAM WLCSP

Устройства HyperRAM с корпусом на базе подложки кристалла (WLCSP) помогают уменьшить форм-фактор и упростить его. Winbond Electronics Corporation объявила о выпуске новых продуктов HyperRAM с WLCSP, который достигает беспрецедентного тонкого форм-фактора во встроенных приложениях. Технология HyperBus  была впервые представлена Cypress в 2014 году. По сравнению с интерфейсом передачи и управления другой памятью одной из характеристик интерфейса HyperBus является низкое число выводов, что упрощает монтаж печатной платы с малым размером посадочного места. Несколько компаний, предоставляющих ...

РСМ-память на основе фазового перехода

Общепризнанная тенденция развития современных микросхем памяти заключается, по всей видимости, в том, что так называемая память PCM (Phase Change Memory), или память на основе фазового перехода, в самом скором будущем полностью сменит (или уже сменила) флэш-память NOR и NAND.