Органические полевые транзисторы были представлены еще в 1986 году, но их производительность все еще сильно отстает от кремниевых компонентов. Исследовательской группе под руководством профессора Карла Лео и доктора Ханса Клеманна из Технического университета Дрездена впервые удалось продемонстрировать органический высокоэффективный биполярный транзистор. Решающее значение для этого имело использование высокоупорядоченных тонких органических слоев. Эта новая технология во много раз быстрее, чем предыдущие органические транзисторы, и впервые компоненты достигли рабочих частот в гигагерцовом ...

Работоспособность аппаратуры, эксплуатируемой при экстремальных температурах окружающей среды, или устройств, в которых использование силовых компонентов приводит к саморазогреву мощных электронных схем, напрямую зависит от способности электронной начинки выполнять свои функции в таких условиях. Обеспечить надежное функционирование можно путем применения компонентов с гарантированными стабильны...

Инженеры испытательного центра АО «НИИЭТ» (НИИ электронной техники) разработали и ввели в эксплуатацию стенд для испытаний транзисторов ответственного применения, что позволило в том числе более чем в два раза снизить затраты предприятия на его производство. Стенд предназначен для проведения термоэлектротренировки транзисторов в ускоренном режиме. Это пример настоящей командной работы инженерного состава испытательного центра и других отделов и служб предприятия. Многие комплектующие были изготовлены по индивидуальным чертежам. В конце мая стенд был аттестован и прошел метрологическую ...

Компания Toshiba Electronics Europe продолжает расширять серию компактных высокоэффективных быстродействующих МОП-транзисторов U-MOS IX-H и представляет новое устройство в корпусе для поверхностного монтажа с максимальным допустимым VDSS 60 В и максимальным током стока 100 А. TPH1R306PL выпускается в корпусе SOP Advance для поверхностного монтажа и обладает сверхнизким типовым сопротивлением в открытом состоянии (RDS(ON)), которое составляет всего 1 мОм (при VGS = 10 В). Поскольку технологический процесс U-MOS IX-H компании Toshiba обеспечивает лучшее в классе сочетание RDS(ON) и выходной ...

В статье приведена таблица соответствия полевых транзисторов зарубежного производства и изделий производства ОАО «ИНТЕГРАЛ».

В статье приведена таблица соответствия транзисторов производства ОАО «ИНТЕГРАЛ» их функциональным аналогам зарубежного производства.

О функциональных аналогах транзисторов (биполярных, полевых) производства ОАО «ИНТЕГРАЛ» — управляющей компании холдинга «ИНТЕГРАЛ»

В статье приведена таблица сопоставления биполярных транзисторов производства ОАО «ИНТЕГРАЛ» — управляющей компании холдинга «ИНТЕГРАЛ» и их зарубежных аналогов.

В статье приведены таблицы соответствия популярных транзисторов зарубежного производства и их аналогов из ассортимента продукции ОАО «ИНТЕГРАЛ».

В статье приведен обзор перспективных разработок компании Microsemi в области высокочастотных силовых транзисторов на основе нитрида галлия. Отдельное внимание уделено сравнению характеристик полупроводниковых материалов, применяемых при изготовлении современных транзисторов.