Работоспособность аппаратуры, эксплуатируемой при экстремальных температурах окружающей среды, или устройств, в которых использование силовых компонентов приводит к саморазогреву мощных электронных схем, напрямую зависит от способности электронной начинки выполнять свои функции в таких условиях. Обеспечить надежное функционирование можно путем применения компонентов с гарантированными стабильны...

Инженеры испытательного центра АО «НИИЭТ» (НИИ электронной техники) разработали и ввели в эксплуатацию стенд для испытаний транзисторов ответственного применения, что позволило в том числе более чем в два раза снизить затраты предприятия на его производство. Стенд предназначен для проведения термоэлектротренировки транзисторов в ускоренном режиме. Это пример настоящей командной работы инженерного состава испытательного центра и других отделов и служб предприятия. Многие комплектующие были изготовлены по индивидуальным чертежам. В конце мая стенд был аттестован и прошел метрологическую ...

Компания Toshiba Electronics Europe продолжает расширять серию компактных высокоэффективных быстродействующих МОП-транзисторов U-MOS IX-H и представляет новое устройство в корпусе для поверхностного монтажа с максимальным допустимым VDSS 60 В и максимальным током стока 100 А. TPH1R306PL выпускается в корпусе SOP Advance для поверхностного монтажа и обладает сверхнизким типовым сопротивлением в открытом состоянии (RDS(ON)), которое составляет всего 1 мОм (при VGS = 10 В). Поскольку технологический процесс U-MOS IX-H компании Toshiba обеспечивает лучшее в классе сочетание RDS(ON) и выходной ...

В статье приведена таблица соответствия полевых транзисторов зарубежного производства и изделий производства ОАО «ИНТЕГРАЛ».

В статье приведены таблицы соответствия популярных транзисторов зарубежного производства и их аналогов из ассортимента продукции ОАО «ИНТЕГРАЛ».

В статье приведен обзор перспективных разработок компании Microsemi в области высокочастотных силовых транзисторов на основе нитрида галлия. Отдельное внимание уделено сравнению характеристик полупроводниковых материалов, применяемых при изготовлении современных транзисторов.

В этой статье мы возвращаемся к основам разработки преобразователя напряжения — как включить и как выключить мощный полевой транзистор (ПТ) в современном источнике питания с DC/DC преобразователем напряжения.