CAT25M02

Новая 2-Мбит EEPROM от ON Semiconductor

№ 5’2014
PDF версия
Новая память EEPROM CAT25M02VI-GT3 семейства CAT25M02 с рекордным объемом 2 Мбит предназначена для работы в жестких условиях промышленного производства. Микросхема может применяться в широком диапазоне температур и питающих напряжений. Она обладает низким энергопотреблением, высокой скоростью записи/чтения и предназначена для широкого круга применений: в интеллектуальных электросчетчиках, медицинских приборах (например, слуховых аппаратах), сетевых картах, системах цифровой обработки данных и различной промышленной электронике.

Основными стратегическими направлениями развития современной электроники являются уменьшение габаритов и снижение энергопотребления. Однако существует множество областей, где более критичными являются такие свойства электронных компонентов, как надежность и способность работать в широком диапазоне температур и питающих напряжений. Одной из таких областей является промышленная электроника: приводы электродвигателей, промышленные компьютеры, промышленные сетевые контроллеры и др.

Новые микросхемы CAT25M02VI-GT3 способны работать в самых жестких условиях и, кроме того, обладают большой емкостью, высокой скоростью записи/чтения и низким энергопотреблением.

 

Общая характеристика CAT25M02VI-GT3

Память CAT25M02VI-GT3 является представителем семейства CAT25M02 от ON Semiconductor.

CAT25M02VI-GT3 представляет собой EEPROM объемом 2 Мбит с последовательным интерфейсом SPI. На настоящий момент объем памяти в 2 Мбит является рекордным не только для семейства CAT25M, но и для всей отрасли в целом. CAT25M02VI-GT3 обладает преимуществами перед аналогичными микросхемами и соответствует устоявшимся в промышленности требованиям к памяти: стандартный корпус, стандартное назначение выводов, стандартный интерфейс связи, стандартный протокол обмена. Это позволяет применять данную микросхему в уже разработанных устройствах, для замены микросхем памяти не только производства ON Semiconductor, но и других производителей.

Габаритные размеры CAT25M02VI (SOIC8)

Рис. 1. Габаритные размеры CAT25M02VI (SOIC8)

Характеристики памяти CAT25M02VI-GT3, соответствующие устоявшимся стандартам:

  • корпус SOIC8 (рис. 1);
  • стандартное расположение выводов (рис. 2);
  • организация памяти — 256 кбайт по 8 бит;
  • дополнительная страница хранения идентификаторов с индивидуальной возможностью программной защиты от перезаписи;
  • последовательный коммуникационный интерфейс SPI, реализуемый с помощью четырех линий:
    • выбор кристалла (CS, Chip Select);
    • последовательный выход (SO, Serial Output);
    • последовательный вход (SI, Serial Input);
    • тактовый вход (SCK, Serial Clock).
  • дополнительный вывод WP (Write Protect), позволяющий реализовать аппаратную защиту от записи;
  • вывод HOLD для приостановки обмена с данными CAT25M02VI-GT3;
  • обмен данными с процессором путем стандартного набора инструкций (табл. 1):
    • записи/чтения данных — WRITE/READ;
    • по защите данных — WREN/WRDI;
    • по работе с регистром состояния — RDSR/WRSR;
  • наличие возможности аппаратной и программной защиты данных.
Внешний вид и назначение выводов CAT25M02VI

Рис. 2. Внешний вид и назначение выводов CAT25M02VI

Таблица 1. Набор инструкций CAT25M02VI

Название

Код

Назначение

WREN

0000 0110

Инструкция разрешения записи

WRDI

0000 0100

Инструкция запрещения записи

RDSR

0000 0101

Инструкция записи в регистр состояния

WRSR

0000 0001

Инструкция чтения регистра состояния

READ

0000 0011

Инструкция чтения данных из памяти

WRITE

0000 0010

Инструкция записи данных в память

Для определения преимущества CAT25M02VI-GT3 над другими микросхемами памяти проведем сравнительный анализ с ее аналогами — CAT25AM02 и M95M02‑DRMN6 (STMicroelectronics).

 

Сравнительный анализ микросхем памяти семейства CAT25 от ON Semiconductor

Микросхемы CAT25AM02 являются представителем того же семейства CAT25M от ON Semiconductor. Они обладают тем же объемом памяти, что и CAT25M02VI, но разработаны для применения в портативной электронике с батарейным питанием и имеют специфические характеристики. Сравнительный анализ показал целый ряд преимуществ CAT25M02VI (табл. 2):

  • Микросхема способна работать в более широком диапазоне питающих напряжений (1,7–5,5 В).
  • Микросхема имеет более широкий диапазон рабочих температур — –40…+85 °C. Кроме того, температура хранения составляет –65…+150 °C.
  • Скорость работы SPI-интерфейса — 10 МГц, в то время как у CAT25AM02 только 5 МГц.
  • Длительность цикла записи составляет рекордное значение в 6 мс, а в случае напряжения питания более 2,5 В — всего 3 мс.
Таблица 2. Сравнительные характеристики микросхем памяти

Параметр

CAT25AM02

CAT25M02

M95M02-DRMN6

Тип памяти

EEPROM

Объем памяти, Мбит

2

Максимальная тактовая частота, МГц

5

10

5

Корпус

WLCSP-8

SOIC8

Диапазон напряжений питания, В

1,6–3,6

1,7–5,5

1,8–5,5

Максимальный ток потребления

в режиме чтения, мА

0,8*

2*

3*

в режиме записи, мА

1*

2

3*

в режиме ожидания, мкА

3*

5*

Длительность цикла записи, мс

10

6/3**

10

Диапазон рабочих температур, °С

0…+85

–40…+85

Температура хранения, °С

–10…+90

–65…+150

Количество циклов записи / чтения

1 млн

4 млн

Время хранения данных, лет

100

Примечания:
* — значения токов потребления приведены для: случая максимального напряжения питания 3,6 В (CAT25AM02), 5,5 В (CAT25M02 и M95M02‑DRMN6); всего рабочего диапазона температур.
** — уменьшение длительности цикла записи для CAT25M02 возможно при напряжениях питания более 2,5 В, после установки бита twc в регистре Status Register.

Важно отметить, что CAT25AM02 имеет рекордно низкие показатели по потреблению: ток потребления в режимах чтения/записи составляет всего 0,8/1 мА соответственно. В режиме ожидания потребление обеих микросхем не превышает 1 мкА. Нижний порог напряжения питания CAT25AM02 составляет 1,6 В, это ниже, чем у CAT25M02VI-GT3. Кроме того, CAT25AM02 выпускается в миниатюрном корпусе WLCSP-8, что крайне важно в портативной электронике.

Таким образом, можно сделать общий вывод, что использование CAT25AM02 будет предпочтительнее в потребительской, медицинской и другой электронике без особых требований к условиям окружающей среды, в то время как CAT25M02VI будет иметь значительное преимущество в промышленной электронике и электронике, работающей в жестких окружающих условиях.

 

Сравнительный анализ микросхем CAT25M02VI-GT3 и M95M02‑DRMN6

Проведем сравнительный анализ CAT25M02VI-GT3 и микросхемы EEPROM M95M02‑DRMN6. Последняя также разработана для применения в жестких условиях промышленного производства.

Анализ показывает (табл. 1), что M95M02‑DRMN6 имеет большее количество циклов записи/чтения (4 млн). Бесспорно, в ряде приложений этот показатель может оказаться чрезвычайно важным. Однако CAT25M02VI-GT3 выгодно отличается от аналога по целому ряду параметров:

  • Более широкий диапазон питающих напряжений.
  • Меньшее потребление. Ток потребления в режимах чтения/записи составляет всего 2 мА, в то время как для M95M02‑DRMN6 аналогичные характеристики имеют значения 3 мА. Кроме того, в режиме ожидания потребление CAT25M02VI-GT3 составляет всего 3 мкА.
  • Большая скорость обмена по интерфейсу SPI. Для CAT25M02VI-GT3 максимальная скорость 10 МГц, в то время как у M95M02‑DRMN6 только 5 МГц.
  • Меньшее время цикла записи. Этот факт, с одной стороны, позволяет увеличить скорость работы с памятью, а с другой — приводит к уменьшению потребления.

Таким образом, можно сделать вывод, что CAT25M02VI-GT3, не уступая по эксплуатационным параметрам, обладает лучшими характеристиками потребления и быстродействия.

 

Примеры применения микросхем семейства CAT25M02

Микросхемы памяти CAT25M02 могут применяться в различных областях электроники, от потребительской до промышленной. Приведем несколько конкретных примеров.

Счетчики воды/газа/электричества

Собранные счетчиком данные о потреблении воды/газа/электричества (рис. 3) необходимо передавать пользователю. Существует два пути передачи данных:

  1. Полученные данные хранятся и периодически считываются. В этом случае объема CAT25M02 хватит для хранения не только текущих показаний, но и множества отсчетов для определения динамики потребления.
  2. Данные не хранятся, а пересылаются по одному из интерфейсов (Ethernet, RS-485, радиоканалы и др.). В этом случае микросхема памяти может содержать параметры счетчика (серийный номер, коэффициенты преобразования и т. д.). Кроме того, CAT25M02 может использоваться для хранения данных в случае возникновения нарушений интерфейса передачи данных (например, обрыв кабеля).
Работа CAT25M02 в составе счетчика воды/газа/электричества

Рис. 3. Работа CAT25M02 в составе счетчика воды/газа/электричества

Сетевые карты

Большинство Ethernet-контроллеров не имеет встроенной памяти для хранения настроек сети и данных адресации и использует для этого внешнюю память (рис. 4). В данном случае требования к объему памяти не столь критичны, так как объем хранимых данных не велик. Более важным является стандартное расположение выводов CAT25M02. Это позволяет применять данную EEPROM вместо устаревших микросхем в уже разработанных устройствах.

Работа CAT25M02 в составе сетевой карты

Рис. 4. Работа CAT25M02 в составе сетевой карты

Системы цифровой обработки данных

В системах цифровой обработки используются высокопроизводительные DSP-процессоры и FPGA. Они зачастую не имеют встроенной энергонезависимой памяти и используют внешние EEPROM/Flash. Раньше EEPROM использовалась для достаточно простых проектов, так как она обладала не очень большим объемом. Появление CAT25M02 сняло это ограничение. На рис. 5 представлена обобщенная система цифровой обработки звука, в ней CAT25M02 хранит непосредственно исполнительный код DSP, коэффициенты фильтров, готовые таблицы расчетных значений функций и т. д.

Пример работы CAT25M02 в составе системы обработки звука

Рис. 5. Пример работы CAT25M02 в составе системы обработки звука

 

Краткий обзор микросхем EEPROM от ON Semiconductor

Компания ON Semiconductor производит память с тремя типами коммуникационных интерфейсов: I2C, SPI, Microwire. Объем памяти составляет от 1 кбит до 2 Мбит (табл. 3). Выпускаются также микросхемы памяти для автомобильной электроники.

Таблица 3. Микросхемы EEPROM-памяти ON Semiconductor

Объем

Интерфейс

I2С

SPI

Microwire

2 Мбит

 

CAT25M02, CAT25AM02

 

1 Мбит

CAT24M01

CAT25M01

 

512 кбит

CAT24C512

CAT25512

 

256 кбит

CAT24C256

CAT25256

 

128 кбит

CAT24C128

CAT25128

 

64 кбит

CAT24C64

CAT25640

 

32 кбит

CAT24C32

CAT25320

 

16 кбит

CAT24C16, CAT24164, CAT24AA16

CAT25160

CAT93C86

8 кбит

CAT24C08, CAT24AA08

CAT25080

CAT93C76

4 кбит

CAT24C04, CAT24C05б CAT24AA04

CAT25040

CAT93C66

2 кбит

CAT24C02, CAT24C03, CAT34C02, CAT24AA02

CAT25020

CAT93C56, CAT93C57

1 кбит

CAT24C01, CAT24AA01

CAT25010

CAT93C46, CAT93C46R

ON Semiconductor является одним из лидеров производства микросхем EEPROM. С одной стороны, выпускаемые компанией микросхемы последовательной EEPROM совместимы с микросхемами других производителей (табл. 4). С другой стороны, всего несколько фирм производят память такого объема.

Таблица 4. Семейства микросхем памяти от ON Semiconductor и их аналоги

Тип памяти

Объем

Интерфейс

Семейства микросхем

ONS

Atmel

STM

Seiko/Epson

Microchip

EEPROM

512 кбит

I2C

CAT24C512

AT24C512

M24512

S-24C512

24LC512, 24FC512, 24AA512

1 Мбит

CAT24M01

AT24C1024

M24M01

S-24CM01

24LC1025, 24FC1025, 24AA1025

512 кбит

SPI

CAT25512

AT25512

M95512

S-25C512

25LC512, 25A512, 25AA512

1 Мбит

CAT25M01

AT25M01

M95M01

S-25CM01

25LC1024, 25AA1024

2 Мбит

CAT25M02

M95M02

 

Заключение

ON Semiconductor выпускает широкую номенклатуру последовательной EEPROM, отвечающей самым высоким электрическим и эксплуатационным требованиям.

Новая микросхема памяти CAT25M02VI-GT3 имеет стандартный корпус, стандартное расположение выводов, общепринятый протокол обмена. В то же время она обладает рекордным объемом данных (2 Мбит), низким потреблением (всего 2 мА в режиме записи/чтения), высокой скоростью обмена (до 10 МГц), широким диапазоном питающих напряжений (1,7–5,5 В), способна работать при температурах –40…+85 °C и допускает хранение при –65 до +150 °C. Все это делает эту микросхему памяти отличным выбором для устройств промышленной электроники: систем ЧПУ, приводов двигателей, систем сбора информации.

Литература
  1. CAT25M02/D. Rev. 1. ON Semicon-ductor. 2014.
  2. CAT25AM02/D. Rev. 1. ON Semicon-ductor. 2014.
  3. M95M02‑DR. Rev. 8. ST Microelectro-nics. 2013.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *