Первое семейство силовых модулей без базовых плат от Microchip по авиакосмическим стандартам
Компания Microchip Technology анонсирует первые в отрасли силовые модули без базовых плат, предназначенные для авиакосмической отрасли, которые позволяют повысить эффективность и уменьшить массогабаритные показатели систем преобразования мощности и управления электроприводами. Эти модули были разработаны совместно с консорциумом Clean Sky — государственно-частным партнерством между Европейской комиссией и европейской авиакосмической отраслью.
Силовые модули BL1, BL2 и BL3 отвечают жестким требованиям авиакосмической отрасли к выхлопным газам, позволяя к 2050 году исключить вредное влияние авиации на климат, обеспечивают более высокую эффективность AC/DC- и DC/AC-преобразования и генерации за счет интегрированной технологии силовых карбидокремниевых полупроводников.
Благодаря модифицированной подложке новые изделия стали на 40% легче других силовых модулей, а производственные расходы сократились примерно на 10% по сравнению со стандартными модулями с металлическими базовыми платами. Модули BL1, BL2 и BL3 соответствуют всем требованиям по механике и закона об охране окружающей среды, изложенным в RTCA DO-160G «Условия эксплуатации и окружающей среды для бортового авиационного оборудования. Требования, нормы и методы испытаний», версия G (август 2010 г.).
Новинки выпускаются в низкопрофильных корпусах с малой индуктивностью, с силовыми и сигнальными разъемами, которые припаиваются непосредственно к печатным платам, что ускоряет разработку и повышает надежность. Одинаковая высота модулей этого семейства позволяет устанавливать их параллельно или использовать в виде трехфазного моста и в других топологиях для повышения эффективности силовых преобразователей и инверторов.
В состав новых модулей входят SiC MOSFET и диоды Шоттки, максимально повышающие эффективность системы. Корпуса модулей BL1, BL2 и BL3, рассчитанные на мощность в диапазоне 100 Вт — 10 кВт и более, предназначены для работы в разных топологиях, к которым относятся фазное плечо, полный и асимметричный мосты, повышающая, понижающая топология и конфигурация с двойным общим истоком. Эти высоконадежные силовые модули рассчитаны на эксплуатацию с 600–1200 В SiC MOSFET и IGBT, а также с выпрямительными диодами до 1600 В.