Радиочастотный транзистор S-диапазона 2729GN-500 Microsemi для радарных систем

Корпорация Microsemi представила новое устройство 2729GN-500 семейства радиочастотных транзисторов с пиковой выходной мощностью 500 Вт для работы в S-диапазоне.

Новый транзистор компании Microsemi изготавливается по полупроводниковой технологии «нитрид галлия на карбиде кремния» (GaN-on-SiC), обеспечивающей более высокую надежность и большее время наработки на отказ по сравнению с традиционной технологией «нитрид галлия на подложке из кремния» (GaN-on-Si).

Транзистор 2729GN-500 позволяет получить значение пиковой мощности 500 Вт, коэффициент усиления мощности 12 дБ и 53%-ную эффективность стока в полосе частот от 2,7 до 2,9 ГГц. Столь высокие характеристики достигнуты для получения максимальной выходной мощности одного компонента во всем представленном диапазоне частот.

Транзистор 2729GN-500 предназначен для мощных радаров авиадиспетчерской службы аэропортов. Радары наблюдения необходимы для контроля и управления движением самолетов в радиусе до 160 км от аэропорта.

Основные характеристики транзистора 2729GN-500:

• Стандартный формат пакетов импульсов: 100 мкс, коэффициент заполнения 10%.
• Пиковая выходная мощность: 500 Вт.
• Коэффициент усиления мощности: 11,5 дБ (минимум), 12,16 дБ (типичный).
• Напряжение смещения стока (Vdd): +65 В.
• Тепловое сопротивление: 0,2 °С/Вт.
• Герметичный корпус 55-KR (26,16×9,78×3,43 мм) с высокотемпературной металлизацией и золотыми внутренними межсоединениями.

Применение транзисторов, выполненных по технологии GaN-on-SiC с высокой подвижностью электронов, позволяет достичь следующих преимуществ:

• Высокие значения выходной мощности и коэффициента усиления дают возможность уменьшить количество выходных каскадов.
• С помощью одного каскада из пары транзисторов можно получить 1 кВт пиковой выходной мощности с запасом. Четырехтранзисторная схема усилителя обеспечивает получение пиковой выходной мощности в 2 кВт.
• Высокое рабочее напряжение — 65 В. Как следствие, можно уменьшить требуемый размер источника питания и величину потребляемого постоянного тока.
• На 50% снижены размеры усилителя по сравнению с разработками на основе кремниевых биполярных или LDMOS транзисторов.

КВЕСТ